三星開發(fā)出第3代10nm級(jí)DDR4內(nèi)存：導(dǎo)入EUV技術(shù)、下半年量產(chǎn)

3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。

第三代10nm級(jí)工藝即1z nm（在內(nèi)存制造中，用x/y/z指代際，工藝區(qū)間是10~20nm），整合了EUV極紫外光刻技術(shù)，單芯片容量8Gb(1GB)。

三星表示，1z nm是業(yè)內(nèi)目前最頂尖的工藝，生產(chǎn)效率較1y nm提升了20%，可以更好地滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

量產(chǎn)時(shí)間敲定在今年下半年，成品的8GB DDR4模組也在驗(yàn)證中，目標(biāo)領(lǐng)域是下一代企業(yè)級(jí)服務(wù)器和2020年的高端PC產(chǎn)品。

三星還表示，將在平澤市（Pyeongtaek）提高DRAM芯片的產(chǎn)能，同時(shí)上述先進(jìn)技術(shù)還將應(yīng)用于未來(lái)的DDR5、LPDDR5、GDDR6產(chǎn)品上。

不過(guò)，就在昨天（3月20日），三星電子聯(lián)席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出，由于智能機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力，數(shù)據(jù)中心公司削減投資，公司的存儲(chǔ)芯片等零部件業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)將面臨艱難一年。