摩爾定律將死？看工程師如何解決制程微縮障礙

工程師們對半導體技術(shù)發(fā)展前景憂喜參半；他們認為半導體制程藍圖可再延續(xù)十年，但也可能因為缺乏新的光阻劑化學材料而遭遇發(fā)展瓶頸。

在一場于美國硅谷舉行之年度半導體微影技術(shù)研討會(編按：SPIE Advanced Lithography)的晚間座談上，工程師們對半導體技術(shù)發(fā)展前景憂喜參半；他們認為半導體制程藍圖可再延續(xù)十年、達到1奈米節(jié)點，但也可能因為缺乏新的光阻劑(resist)化學材料，而在3奈米節(jié)點之前就遭遇發(fā)展瓶頸。

這場座談會試圖輕松看待早就被預言的「摩爾定律(Moore’s Law)將死」議題，也凸顯了令人不安的不確定因素，盡管那都是會在新一代芯片發(fā)展過程中不斷自然產(chǎn)生的種種挑戰(zhàn)。

目前三星(Samsung)已經(jīng)開始使用極紫外光(EUV)微影技術(shù)生產(chǎn)7奈米組件，臺積電(TSMC)也預計在6月開始量產(chǎn)采用EUV微影的強化版7奈米制程(N7+)。而微影設(shè)備大廠ASML希望在今年透過升級其EUV系統(tǒng)(3400C)來服務(wù)這兩家客戶，并承諾達到每小時170片晶圓的生產(chǎn)速率和90 %以上的稼動率(availability)。

ASML計劃在今年升級現(xiàn)有EUV系統(tǒng)。（來源：ASML）