UnitedSiC在UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩個650V SiC FET封裝

2019年7月24日，美國新澤西州普林斯頓---新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)。

新產(chǎn)品的RDS(on)值分別為30mΩ(UF3C065030T3S)和80mΩ(UF3C065080T3S)，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的三引腳TO220-3L封裝，結(jié)合了UnitedSiC自己開發(fā)的燒結(jié)銀(sintered-silver)封裝技術(shù)，因而具有更強(qiáng)的散熱性能。

對于電動汽車充電、光伏逆變器、開關(guān)電源、功率因數(shù)校正模塊、馬達(dá)驅(qū)動和感應(yīng)加熱等應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員正在尋求以3引腳TO220封裝實(shí)現(xiàn)更高性能，這些新器件是面向這些應(yīng)用的理想選擇。

這兩款全新的SiC FET產(chǎn)品均基于UnitedSiC獨(dú)特的“共源共柵”電路配置，其中常開型SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，以構(gòu)建常關(guān)型SiC FET器件。器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超結(jié)器件，設(shè)計(jì)人員能夠以更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗實(shí)現(xiàn)更高性能，同時具有更強(qiáng)的散熱性能和集成的柵極ESD保護(hù)。

而對于新設(shè)計(jì)，UnitedSiC FET可提供更高的開關(guān)頻率，從而能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，更小尺寸，更低的無源元件(如磁性元件和電容器)成本等顯著系統(tǒng)優(yōu)勢。FAST系列器件不僅具有超低柵極電荷，而且在具有類似額定值的任何器件中還可提供最佳反向恢復(fù)特性。如果與推薦的RC緩沖器一起使用，這些器件非常適合于開關(guān)電感性負(fù)載，以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。

UnitedSiC UF3C FAST SiC產(chǎn)品系列現(xiàn)有14種器件，可提供TO247-3L、TO247-4L、TO220-3L和D2PAK7-3L封裝，并具備4種1200V和10種650V選項(xiàng)。

價格和供貨信息

以1000片最小批量計(jì)，UF3C065080T3S單價為5.18美元，UF3C065030T3S單價為13.79美元。UnitedSiC全球分銷合作伙伴貿(mào)澤電子(Mouser)和理察森電子(Richardson Electronics)以及其他當(dāng)?shù)胤咒N商可提供庫存。