耗資25億美元 國產(chǎn)DDR4內(nèi)存已完成研發(fā)測試 年內(nèi)部分投產(chǎn)

在5月中旬舉行的GSA+Memory存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發(fā)表了《中國存儲技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，其中就提到了長鑫DRAM內(nèi)存的技術(shù)來源—;—;已破產(chǎn)的奇夢達(dá)公司。

通過與奇夢達(dá)合作，將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是公司最初的技術(shù)來源之一。長鑫存儲在所接收技術(shù)和國際合作的基礎(chǔ)上，利用專用研發(fā)線，展開世界速度的快速迭代研發(fā)，已持續(xù)投入晶圓超過15000片。

朱一明表示長鑫的內(nèi)存研發(fā)是站在巨人肩膀上，盡管如此國內(nèi)研發(fā)DRAM內(nèi)存依然花費了極大的代價，累計研發(fā)費用高達(dá)25億美元，建成嚴(yán)謹(jǐn)合規(guī)的研發(fā)體系和獨有技術(shù)體系。

日前安徽印發(fā)了2019年省級調(diào)度重大項目計劃的通知，提到合肥長鑫12英寸存儲晶圓制造基地項目一期研發(fā)階段所有單體已完成，目前研發(fā)線晶圓片電性測試良好，成品芯片功能通過；正在進(jìn)行良率提升以及量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。

2019年工作目標(biāo)是，部分完工，其中部分生產(chǎn)線投入使用。

根據(jù)計劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17nn的研發(fā)。