臺(tái)積電6納米制程技術(shù)明年第一季度進(jìn)入試產(chǎn) 年底前量產(chǎn)

10月8日消息，臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體制造商臺(tái)積電日前透露，該公司6納米制程技術(shù)明年第一季度進(jìn)入試產(chǎn)，明年年底前量產(chǎn)。

臺(tái)積電

臺(tái)積電稱(chēng)，其極紫外光（EUV）微影技術(shù)之7納米強(qiáng)效版(N7+)制程已協(xié)助客戶(hù)產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。導(dǎo)入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于該公司成功的7納米制程之上，為6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎(chǔ)。

N7 +的量產(chǎn)速度為史上量產(chǎn)速度最快的制程之一，于2019年第二季開(kāi)始量產(chǎn)，在7納米制程技術(shù)（N7）量產(chǎn)超過(guò)一年時(shí)間的情況下，N7+良率與N7已相當(dāng)接近。

N7 +同時(shí)提供了整體效能的提升，N7 +的邏輯密度比N7提高了15％至20％，并同時(shí)降低了功耗。臺(tái)積電快速布建產(chǎn)能以滿(mǎn)足多個(gè)客戶(hù)對(duì)于N7 +的需求。

臺(tái)積電表示，EUV微影技術(shù)使公司能夠持續(xù)推動(dòng)晶片微縮，因EUV的較短波長(zhǎng)能夠更完美地解析先進(jìn)制程的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電的EUV設(shè)備已達(dá)成熟生產(chǎn)的實(shí)力，EUV設(shè)備機(jī)臺(tái)也達(dá)到大量生產(chǎn)的目標(biāo)，在日常運(yùn)作的輸出功率都大于250瓦。

臺(tái)積電稱(chēng)，N7+的成功經(jīng)驗(yàn)是未來(lái)先進(jìn)制程技術(shù)的基石。臺(tái)積電6納米制程技術(shù)（N6）將于2020年第一季進(jìn)入試產(chǎn)，并于年底前進(jìn)入量產(chǎn)。隨著EUV微影技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用，N6的邏輯密度將比N7提高18％，而N6憑借與N7完全相容的設(shè)計(jì)法則，也可大幅縮短客戶(hù)產(chǎn)品上市的時(shí)間。

臺(tái)積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠(chǎng)，客戶(hù)包括蘋(píng)果、高通等。其總部位于臺(tái)灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。臺(tái)積電公司股票在臺(tái)灣證券交易所上市，股票代碼為2330，另有美國(guó)存托憑證在美國(guó)紐約證券交易所掛牌交易，股票代號(hào)為T(mén)SM。