LPDDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布：速度翻番，提升至6400Mbps

時間：2019-03-05 11:00:02

關(guān)鍵字： samsung三星 lpddr5-6400內(nèi)存芯片便攜電子設(shè)備

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[導(dǎo)讀]近日，JEDEC（固態(tài)存儲協(xié)會）正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標(biāo)

近日，JEDEC（固態(tài)存儲協(xié)會）正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps），直接翻番。

如果匹配高端智能機(jī)常見的64bit bus，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)；要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。

固態(tài)協(xié)會認(rèn)為，LPDDR5有望對下一代便攜電子設(shè)備（手機(jī)、平板）的性能產(chǎn)生巨大提升，為了實(shí)現(xiàn)這一改進(jìn)，標(biāo)準(zhǔn)對LPDDR5體系結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重新設(shè)計，轉(zhuǎn)向最高16 Bank可編程和多時鐘體系結(jié)構(gòu)。

同時，還引入了數(shù)據(jù)復(fù)制（Data-Copy）和寫X（Write-X）兩個減少數(shù)據(jù)傳輸操作的命令來降低整體系統(tǒng)功耗，前者可以將單個陣腳的數(shù)據(jù)直接復(fù)制到其它針腳，后者則減少了SoC和RAM傳遞數(shù)據(jù)時的耗電。

另外，LPDDR5還引入了鏈路ECC糾錯，信號電壓250mV，Vddq/Vdd2電壓還是1.1V。

事實(shí)上，去年7月，三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級工藝，單顆容量8Gb（1GB），去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上，三星人士透露，LPDDR5內(nèi)存計劃2020年商用。