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[導(dǎo)讀]低功率鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron在IIC深圳展會(huì)上展示了F-RAM技術(shù)的最新進(jìn)展和應(yīng)用。其中,MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體解決方案最引人注目,這款產(chǎn)品剛剛活動(dòng)了21IC中國(guó)電子網(wǎng)和今日

低功率鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron在IIC深圳展會(huì)上展示了F-RAM技術(shù)的最新進(jìn)展和應(yīng)用。其中,MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體解決方案最引人注目,這款產(chǎn)品剛剛活動(dòng)了21IC中國(guó)電子網(wǎng)和今日電子雜志共同評(píng)出的2010年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

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MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器產(chǎn)品將業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線存取功能與其非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合,以實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新性移動(dòng)數(shù)據(jù)采集功能。MaxArias產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)大批量數(shù)據(jù)豐富的資產(chǎn)和信息跟蹤系統(tǒng),適用于多個(gè)行業(yè)和應(yīng)用,包括電力智能抄表、航空/工業(yè)制造、庫(kù)存控制、維護(hù)跟蹤、藥物和醫(yī)療設(shè)備跟蹤,建筑安全以及產(chǎn)品認(rèn)證。

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圖:MaxArias WM710xx系列無(wú)線存儲(chǔ)器

據(jù)Ramtron亞太區(qū)副總裁劉勝?gòu)?qiáng)先生介紹,MaxArias的優(yōu)勢(shì)不僅體非常熱門(mén)的智能電表應(yīng)用中,將目前還需要電池的水表、氣表升級(jí)為無(wú)源抄表,無(wú)線存儲(chǔ)器更有優(yōu)勢(shì)。例如某海上采油平臺(tái)的水表讀取應(yīng)用,就充分發(fā)揮了F-RAM無(wú)線存儲(chǔ)器工作范圍超過(guò)10米的優(yōu)勢(shì)。

F-RAM無(wú)線存儲(chǔ)器在高速發(fā)展的RFID市場(chǎng)有很好的應(yīng)用前景。劉勝?gòu)?qiáng)表示:“被動(dòng)RFID技術(shù)現(xiàn)在主要由高頻(13.56MHz)標(biāo)簽主宰,其標(biāo)簽讀寫(xiě)范圍有限(<1m),標(biāo)簽容量多數(shù)小于200b,主要用于數(shù)據(jù)讀取,采用EEPROM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。未來(lái),隨著普及率提高,RFID方案不但要滿足超高頻 (860-960MHz)的標(biāo)簽要求,還要適應(yīng)更高的存取距離(>10m)和敏感度要求。F-RAM無(wú)線存儲(chǔ)方案應(yīng)運(yùn)而生,它不僅能夠滿足對(duì)讀、寫(xiě)能力的需求,還具有更高的存儲(chǔ)容量。”

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表:F-RAM與EEPROM特性對(duì)比

劉勝?gòu)?qiáng)總結(jié)了相對(duì)EEPROM,F(xiàn)-RAM存儲(chǔ)器具有的四大優(yōu)勢(shì)。第一,F(xiàn)-RAM存儲(chǔ)器具有對(duì)稱性的讀/寫(xiě)能量。第二,F(xiàn)-RAM存儲(chǔ)器有更高的耐寫(xiě)性及超低功耗。其耐寫(xiě)性是EEPROM的一億倍,寫(xiě)功耗是EEPROM的三千分之一。以溫度記錄應(yīng)用為例,其大容量及低功耗特性可提供更密集的溫度曲線取樣記錄。

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圖:F-RAM存儲(chǔ)器在溫度采集記錄應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

第三,F(xiàn)-RAM存儲(chǔ)器能夠?qū)崿F(xiàn)快速寫(xiě)入。用F-RAM的RFID比基于EEPROM的RFID寫(xiě)入快數(shù)十倍,此外,現(xiàn)有的EEPROM RFID寫(xiě)入需要來(lái)自充電泵提供的高電壓。

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圖:F-RAM存儲(chǔ)器能夠?qū)崿F(xiàn)快速寫(xiě)入

第四,F(xiàn)-RAM存儲(chǔ)器具有抗伽馬輻射的特性。伽馬輻射不會(huì)影響F-RAM數(shù)據(jù),但EEPROM的數(shù)據(jù)卻會(huì)被擦除,因此F-RAM RFID是伽瑪消毒等應(yīng)用的理想選擇。

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圖:F-RAM存儲(chǔ)器具有抗伽馬輻射的特性

基于以上諸多優(yōu)勢(shì),劉勝?gòu)?qiáng)認(rèn)為鐵電存儲(chǔ)技術(shù)將帶來(lái)UHF標(biāo)簽的革命。Ramtron的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器產(chǎn)品未來(lái)將提供更高容量,并針對(duì)特定應(yīng)用,推出帶加密算法或集成溫度傳感器的新型號(hào)。這些產(chǎn)品有望在今年年底推出。
 

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