CEATEC 2011視點(diǎn)之羅姆：打造“超節(jié)能半導(dǎo)體”

10月4日至10月8日，CEATEC JAPAN 2011（日本高新技術(shù)博覽會(huì)）在日本幕張國(guó)際展覽中心舉行。CEATEC JAPAN是展示世界最尖端技術(shù)、產(chǎn)品、服務(wù)的IT、電子綜合展。不僅可以看到日本主要的電子公司的最新技術(shù)、產(chǎn)品、系統(tǒng)以及軟件等的展示，還能看到電子元件、設(shè)備、服務(wù)以及內(nèi)容等的展示，能及時(shí)地體驗(yàn)到世界最尖端的技術(shù)。

此次展會(huì)，羅姆以“Power&Smart—新一代元器件創(chuàng)造未來(lái)”為主題，展現(xiàn)了SiC功率器件的最新產(chǎn)品陣容、LED和有機(jī)EL照明的新商品、實(shí)現(xiàn)個(gè)人醫(yī)療保健的傳感技術(shù)等最新信息。

羅姆展臺(tái)

羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和MOSFET。溝道型SBD與普通SiC制SBD相比，二極管導(dǎo)通電壓較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往1.2V的一半以下，低于Si制FRD（Fast Recovery Diode，快恢復(fù)二極管）的0.6V。溝道型SiC制MOSFET的特點(diǎn)是耐壓600V下導(dǎo)通電阻只有1mΩcm2

 
SiC制SBD和MOSFET[!--empirenews.page--]

利用SiC功率元件的無(wú)線供電系統(tǒng)也是羅姆展品的一大亮點(diǎn)，系統(tǒng)采用電場(chǎng)耦合方式，發(fā)送端的逆變器電路利用了SiC溝道型MOSFET。通過(guò)利用SiC溝道型MOSFET，在6.78MHz的高開(kāi)關(guān)頻率下，逆變器轉(zhuǎn)換效率高達(dá)95％。在現(xiàn)場(chǎng)，羅姆利用無(wú)線供電點(diǎn)亮了墻壁上粘貼的有機(jī)EL照明和桌上的臺(tái)燈，還為桌上的智能手機(jī)內(nèi)置的充電電池進(jìn)行了充電。
 
SiC無(wú)線供電
“世界最小”的03015尺寸芯片電阻器吸引了眾多觀眾的圍觀，此次的03015尺寸（0.3mm×0.15mm）芯片電阻器與0402尺寸產(chǎn)品相比，將芯片面積削減了44％。另外，通過(guò)將03015產(chǎn)品的芯片高度由0402產(chǎn)品的0.13mm降至0.1mm，芯片體積約削減了60％。高功能化和小型化同時(shí)推進(jìn)的智能手機(jī)等便攜產(chǎn)品需要這種超小型部件。03015產(chǎn)品將芯片尺寸精度由原0402產(chǎn)品的±20μm提高至±5μm。由于這種電阻器看起來(lái)像沙粒，因此在此次CEATEC上，羅姆展示了使用50萬(wàn)個(gè)芯片電阻器的“沙漏”。
 
電阻器的“沙漏”
羅姆還展示了0.47英寸的有機(jī)EL面板，該面板主要用于數(shù)碼相機(jī)的電子取景器（EVF）和頭戴式顯示器（HMD）。該產(chǎn)品為800×600（SVGA）像素。子像素尺寸為12μm×4μm。色彩表現(xiàn)范圍按NTSC規(guī)格比為72%，對(duì)比度為3萬(wàn)比1。全屏白顯示時(shí)的耗電量約為175mW。
使用40個(gè)有機(jī)EL顯示器的“光之藝術(shù)”在會(huì)場(chǎng)顯得格外絢麗。
 
“光之藝術(shù)”
據(jù)羅姆中國(guó)營(yíng)業(yè)本部副本部長(zhǎng)村井美裕先生介紹，中國(guó)一直是羅姆的重要市場(chǎng)，通過(guò)四大戰(zhàn)略（功率器件戰(zhàn)略、LED戰(zhàn)略、傳感器戰(zhàn)略、相乘戰(zhàn)略），面向不同的市場(chǎng)，配備完備的銷(xiāo)售和技術(shù)支持體系，加大投資力度，在營(yíng)業(yè)目標(biāo)上繼續(xù)提高中國(guó)市場(chǎng)份額。