什么是去耦電容?旁路電容和去耦電容有什么區(qū)別?

電容有很多具體的類別，比如法拉電容、去耦電容、濾波電容、陶瓷電容等等。為增進(jìn)大家對電容的認(rèn)識，本文將對旁路電容和去耦電容的區(qū)別予以介紹。如果你對電容、或是對本文的內(nèi)容具有興趣，不妨和小編一起來繼續(xù)往下閱讀哦。

從電路來說，總是存在驅(qū)動的源和被驅(qū)動的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大，驅(qū)動電路要把電容充電、放電，才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候，電 流比較大，這樣驅(qū)動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻(特別是芯片管腳上的電感，會產(chǎn)生反彈)，這種電流相對于正常情況來說實際上就 是一種噪聲，會影響前級的正常工作。這就是耦合。

去藕電容就是起到一個電池的作用，滿足驅(qū)動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。旁路 電容實際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提供一條低阻抗泄放途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般是 0.1u，0.01u 等，而去耦合電容一般比較大，是 10u 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。

旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。

去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：

一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。

數(shù)字電路中典型的去耦電容值是 0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是 5μH。

0.1μF 的去耦電容有 5μH 的分布電感，它的并行共振頻率大約在 7MHz 左右，也就是說，對于 10MHz 以下的噪聲有較好的去耦效果，對 40MHz 以上的噪聲幾乎不起作用。

1μF、10μF 的電容，并行共振頻率在 20MHz 以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。

每 10 片左右集成電路要加一片充放電電容，或 1 個蓄能電容，可選 10μF 左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。

去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按 C = 1 / F，即 10MHz 取 0.1μF，100MHz 取 0.01μF。

分布電容是指由非形態(tài)電容形成的一種分布參數(shù)。一般是指在印制板或其他形態(tài)的電路形式，在線與線之間、印制板的上下層之間形成的電容。這種電容的容量很小，但可能對電路形成一定的影響。

在對印制板進(jìn)行設(shè)計時一定要充分考慮這種影響，尤其是在工作頻率很高的時候。也成為寄生電容，制造時一定會產(chǎn)生，只是大小的問題。

布高速 PCB 時，過孔可以減少板層電容，但會增加電感。分布電感是指在頻率提高時，因?qū)w自感而造成的阻抗增加。

電容器選用及使用注意事項：

1. 一般在低頻耦合或旁路，電氣特性要求較低時，可選用紙介、滌綸電容器;在高頻高壓電路中，應(yīng)選用云母電容器或瓷介電容器;在電源濾波和退耦電路中，可選用電解電容器。

2. 在振蕩電路、延時電路、音調(diào)電路中，電容器容量應(yīng)盡可能與計算值一致。在各種濾波及網(wǎng)(選頻網(wǎng)絡(luò))，電容器容量要求精確;在退耦電路、低頻耦合電路中，對同兩級精度的要求不太嚴(yán)格。

3. 電容器額定電壓應(yīng)高于實際工作電壓，并要有足夠的余地，一般選用耐壓值為實際工作電壓兩倍以上的電容器。

4. 優(yōu)先選用絕緣電阻高，損耗小的電容器，還要注意使用環(huán)境。

我們知道，一般我們所用的電容最重要的一點就是濾波和旁路，我在設(shè)計中也正是這么使用的。

對于高頻雜波，一般我的經(jīng)驗是不要過大的電容，因為我個人認(rèn)為，過大的電容雖然對于低頻的雜波過濾效果也許比較好，但是對于高頻的雜波，由于其諧振頻率的下降，使得對于高頻雜波的過濾效果不很理想。所以電容的選擇不是容量越大越好。

以上便是此次小編帶來的電容相關(guān)內(nèi)容，通過本文，希望大家對電容具備一定的認(rèn)知。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦，小編將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!