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[導讀]Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲器產(chǎn)業(yè)分析報告,受惠于位元需求成長、供需結構改善拉升價格,加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價值產(chǎn)品崛起,預估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年營收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長,DRAM年增約51%、NAND Flash年增長則來到29%,營收將創(chuàng)歷史新高,并且推動資本支出回溫、帶動上游原料需求,只是存儲器買方成本壓力將隨之上升。

Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲器產(chǎn)業(yè)分析報告,受惠于位元需求成長、供需結構改善拉升價格,加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價值產(chǎn)品崛起,預估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年營收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長,DRAM年增約51%、NAND Flash年增長則來到29%,營收將創(chuàng)歷史新高,并且推動資本支出回溫、帶動上游原料需求,只是存儲器買方成本壓力將隨之上升。

HBM興起推升DRAM營收

TrendForce集邦咨詢估計,預估受惠于DRAM均價在2024年增加53%、2025年增加35%的條件下,進一步推升2024年DRAM營收達907億美元、年增75%,2025年達1,365億美元、年增51%。

TrendForce集邦咨詢表示,4項驅(qū)動DRAM營收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM產(chǎn)品世代演進、原廠資本支出限縮供給和服務器需求復蘇。相較一般型DRAM,HBM除拉升位元需求,也拉高產(chǎn)業(yè)平均價格。預估2024年HBM將貢獻DRAM位元出貨量5%、營收20%。

此外,DDR5和LPDDR5/5X等高附加價值產(chǎn)品的滲透同樣有助提高平均價格。TrendForce集邦咨詢估計,DDR5將分別貢獻2024、2025年Server DRAM位元出貨量40%、60-65%,LPDDR5/5X會貢獻2024、2025年Mobile DRAM(行動式內(nèi)存)位元出貨量50%和60%。

QLC大容量Enterprise SSD、UFS助益2025年NAND Flash營收創(chuàng)紀錄

TrendForce集邦咨詢估計,2024年NAND Flash營收將達674億美元、年增77%;2025年在大容量QLC(四層式存儲單元) Enterprise SSD(企業(yè)級固態(tài)硬盤)崛起、智能手機采用QLC UFS(通用閃存存儲)、原廠資本支出限縮供給和服務器需求復蘇等4項因素帶動下,NAND Flash營收將達870億美元、年增29%。北美CSPs(云端服務業(yè)者)已開始在Inference AI Server(推理用人工智能服務器)大量采用QLC Enterprise SSD,尤其是大容量規(guī)格。TrendForce集邦咨詢預估,QLC將貢獻2024年NAND Flash位元出貨量20%,此比重2025年將再提升。在智能手機應用,QLC預計逐步滲透UFS市場,部分中國智能手機業(yè)者預計于2024年第四季起采用QLC UFS方案,Apple(蘋果)則預計2026年開始導入至iPhone。

DRAM、NAND Flash營收攀高將影響產(chǎn)業(yè)生態(tài)

TrendForce集邦咨詢表示,存儲器產(chǎn)業(yè)營收創(chuàng)紀錄下,原廠將有足夠現(xiàn)金流加速投資。預估2025年DRAM、NAND Flash產(chǎn)業(yè)資本支出分別年增25%、10%,且有機會上修。此外,存儲器生產(chǎn)規(guī)模提升將帶動對硅晶圓、化學品等上游原料需求,但相反的,存儲器價格上漲將增加電子產(chǎn)品成本,ODM/OEM(原始設計制造商/原始設備制造商)業(yè)者較難完全將成本反映在零售價上,利潤將被壓縮,終端銷量也可能受到影響,導致需求下滑。

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