在 1975 年數(shù)碼相機(jī)發(fā)明以前,人們記錄影像的方式是使用膠片。它的工作過(guò)程可以概述為:光線經(jīng)過(guò)照相機(jī)鏡頭,然后由快門的速度來(lái)決定曝光量的多少。
近日,據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告,隨著OLED面板在手機(jī)應(yīng)用上逐漸增加,預(yù)估2022年采用OLED面板的手機(jī)滲透率約47.7%,至2023年將達(dá)50.8%,2026年則預(yù)計(jì)超越六成。
近日,手機(jī)中國(guó)注意到,因?yàn)橐恍┰?,小米和iQOO這兩家國(guó)內(nèi)手機(jī)廠商都先后宣布將延期舉辦新品發(fā)布會(huì),此次延期涉及小米13系列、iQOO 11系列和iQOO Neo7 SE等多款機(jī)型,而具體的新發(fā)布會(huì)時(shí)間暫時(shí)都未公布。
5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
三星公司已經(jīng)提交了“Samsung Superfast Portable Power”商標(biāo)的文件,可能表明用于智能手機(jī)和其他設(shè)備的新型便攜式充電產(chǎn)品即將到來(lái)。
5G微基站射頻芯片是應(yīng)用于5G微基站的射頻芯片,中國(guó)首個(gè)5G微基站射頻芯片YD9601由南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過(guò)自主研發(fā)流片成功 。中國(guó)首個(gè)5G微基站射頻芯片YD9601,2020年在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過(guò)自主研發(fā)流片成功,正在進(jìn)行封裝測(cè)試 。
1nm 的芯片會(huì)有嗎?業(yè)界預(yù)測(cè),1nm 工藝制程最快可能在 2027 年試產(chǎn)、2028 年量產(chǎn),個(gè)別廠商情況可能不同。目前,這個(gè)時(shí)間是按照臺(tái)積電、三星公布的 3nm 及更先進(jìn)制程的時(shí)間表推測(cè)的。這讓機(jī)哥更好奇 1nm 之后的芯片了。
12 月 4 日消息,據(jù) ETNews 消息,三星電子首次引入東進(jìn)世美肯半導(dǎo)體的光刻膠進(jìn)入其量產(chǎn)線,這也是三星進(jìn)行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。
小米首款桌面電腦將在小米13發(fā)布會(huì)上同步登場(chǎng)。從曝光的宣傳圖來(lái)看,小米這款迷你電腦類似于Intel NUC或者蘋果Mac mini,看起來(lái)僅機(jī)頂盒大小,預(yù)計(jì)是全金屬機(jī)身。
intel處理器(Intel cpu)是英特爾公司開(kāi)發(fā)的中央處理器,有移動(dòng)、臺(tái)式、服務(wù)器三個(gè)系列,是計(jì)算機(jī)中最重要的一個(gè)部分,由運(yùn)算器和控制器組成。如果把計(jì)算機(jī)比作一個(gè)人,那么CPU就是他的大腦,其重要作用由此可見(jiàn)一斑。
晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等。晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能,晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。
手機(jī)拍照、錄像能力跟圖像傳感器息息相關(guān),這個(gè)市場(chǎng)目前是被索尼、三星領(lǐng)先,三星已經(jīng)做到了2億像素,索尼則是在1英寸大底上領(lǐng)先。
2022年手機(jī)行業(yè)“入冬”,各大主要廠商的銷量均有不同程度下降,蘋果的銷量也出現(xiàn)波動(dòng),但進(jìn)一步提升了在中國(guó)的市場(chǎng)份額。機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),今年10月,在中國(guó)每售出四部手機(jī),就有一部是iPhone。
土耳其廣播電視總臺(tái)英語(yǔ)國(guó)際新聞?lì)l道網(wǎng)站11月10日刊發(fā)題為《美國(guó)是如何阻止日本東芝公司成為第一大芯片制造商的?》的文章,作者是薩阿德·哈桑。
光伏發(fā)電的主要原理是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。光子照射到金屬上時(shí),它的能量可以被金屬中某個(gè)電子全部吸收,電子吸收的能量足夠大,能克服金屬內(nèi)部引力做功,離開(kāi)金屬表面逃逸出來(lái),成為光電子。