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[導(dǎo)讀]我國近日在碳基半導(dǎo)體材料的研制方面有了非常重要突破,近日在碳化硅晶片量產(chǎn)方面也取得重大進展,相同的“碳”字,不同的材料,一個是晶片,一個是芯片。

我國近日在碳基半導(dǎo)體材料的研制方面有了非常重要突破,近日在碳化硅晶片量產(chǎn)方面也取得重大進展,相同的“碳”字,不同的材料,一個是晶片,一個是芯片。

硅基半導(dǎo)體、碳基半導(dǎo)體以及碳化硅晶片的區(qū)別:

一、碳基芯片是熱兵器,硅基芯片是冷兵器

碳基半導(dǎo)體,就是碳納米管為材料的半導(dǎo)體,而我們現(xiàn)在所說的芯片是采用的硅晶體,用于制造芯片的話,可以簡單的理解為,一個是用碳制造的芯片,一個是用硅制造的芯片,材料本質(zhì)上完全不同;

和硅晶體管相比較,使用碳基半導(dǎo)體制造芯片,優(yōu)勢很大,在速度上,碳晶體管的理論極限運行速度是硅晶體管的5-10倍,而功耗方面,卻只是后者的十分之一。

這次,北大張志勇與彭練矛教授在高密度高純半導(dǎo)體陣列碳納米管材料的制備方式上獲得突破,意味著我們很有可能打破在硅晶體芯片上的落后局面,而直接進入到碳納米管芯片領(lǐng)域,說句牛氣的話,兩者不在一個緯度,一個是熱兵器,一個是冷兵器,差距很明顯。

二、國產(chǎn)碳基半導(dǎo)體研究躋身世界第一梯隊

更為關(guān)鍵的一點是,現(xiàn)在西方國家,尤其是美國,在一切有關(guān)硅芯片制造的技術(shù)、設(shè)備、材料、公司、人才等等方面,所取得技術(shù)優(yōu)勢,都是建立在硅晶體芯片之上的。

而一旦碳納米管材料進入實際應(yīng)用階段,所帶來的影響是超乎想象的,雖然還不至于說美國等西方國家、企業(yè)所建立起來的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,將全部歸零,但是,最起碼對于我們來說,我們已經(jīng)躋身于碳基半導(dǎo)體領(lǐng)域的第一梯隊,具有了很大的先發(fā)優(yōu)勢。

至于說,碳基半導(dǎo)體擁有如此大的優(yōu)勢,那為何西方國家沒有研制呢?這又是一個誤解,美國等西方國家,還有日韓等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體強國,不但研究了,而且時間很早,不過,基本上都是半途而廢,除了現(xiàn)在美國還在進行, 其他國家基本上都因遇到技術(shù)難題的放棄了研制,包括英特爾這樣的巨頭,也放棄了。

三、碳基半導(dǎo)體材料,是基礎(chǔ)科研中的基礎(chǔ)

彭練矛教授研究團隊則在碳基半導(dǎo)體的研制方面,已經(jīng)進行了二十多年,二十年的堅守與付出,才有了今天的成功,由此可見,碳基半導(dǎo)體材料的研制難度之大,超乎想象。

所以,當(dāng)我們的科研團隊獲得突破之后,國人是如此的激動。這個也充分反映出來,在基礎(chǔ)科學(xué)、基礎(chǔ)材料的研究方面,真的非常耗費時間,有的科研人員,可能耗費了一輩子的精力,也沒有出多少成果,而正是張志勇教授、彭練矛教授等科研人員的堅守與不懈努力,才有了今天的成就,可以說,做基礎(chǔ)科研的人,才是非常了不起的人!

四、碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域不是芯片

現(xiàn)在芯片使用高純度硅制造的,碳基半導(dǎo)體芯片是用碳制造的,而碳化硅則是屬于碳與硅的化合物,在屬性上區(qū)別很大。

雖然碳化硅也是一種半導(dǎo)體材料,不過,SiC的主要應(yīng)用方向是在功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料領(lǐng)域。

而在半導(dǎo)體應(yīng)用上,碳化硅的應(yīng)用主要在大功率、高溫、高頻和抗輻射的半導(dǎo)體器件上,以滿足高壓、高頻、高功率、高溫以及抗輻射等半導(dǎo)體器件的應(yīng)用需求。

這次,中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地實現(xiàn)了國產(chǎn)4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底材料的工業(yè)生產(chǎn),也突破了6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的研制,意味著打破了國外廠商對我國碳化硅晶體生產(chǎn)技術(shù)的長期封鎖,將對碳化硅襯底的射頻器件以及電力電子器件領(lǐng)域帶來重要的推動作用。

硅基半導(dǎo)體、碳基半導(dǎo)體以及碳化硅晶片都屬于基礎(chǔ)材料科學(xué),在研究需要長期的探索,尤其是在高純度制造方面,更需要花費大量的精力。該技術(shù)一旦獲得成功,就會建立起來極高的技術(shù)壁壘,而現(xiàn)在我們在碳基半導(dǎo)體、碳化硅晶片的研制方面,都已經(jīng)獲得了突破。

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