輸出短路保護(hù)固定頻率折返，折返工作頻率高，輸出短路保護(hù)效果會(huì)降低；折返工作頻率低，系統(tǒng)甚至進(jìn)入到非連續(xù)工作模式，雖然保護(hù)效果好，但有可能導(dǎo)致輸出短路消除后輸出電壓無(wú)法恢復(fù)正常。如圖1所示，輸入24V、輸出12V的 DCDC變換器，輸出短路時(shí)，固定折返頻率為正常工作頻率的1/16，系統(tǒng)進(jìn)入到非連續(xù)工作模式。
美國(guó)計(jì)劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國(guó)大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）？
輸出短路后輸出電壓非常低，電感的激磁電流di/dt變得非常大，去磁電流di/dt變得非常小，工作幾個(gè)開關(guān)周期后電感激磁的起始電流不斷增加，極端情況下電感可能發(fā)生飽和，電感值L降低到非常低的值。
2020年全球分立IGBT器件主要供應(yīng)商中，排名前10的分別為：Infineon，F(xiàn)ujiElectric，Mitsubishi，ON，Toshiba，ST，Littlefuse，RenesasElectronics，MagnaChip，HangzhouSilan。2020年全球...
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間，N區(qū)夾在兩個(gè)P區(qū)域之間，當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過(guò)時(shí)，將產(chǎn)生JF...
2020年全球IGBT模塊主要供應(yīng)商中，排名前10的供應(yīng)商分別為：Infineon，F(xiàn)ujiElectric，Mitsubishi，Semikron，Vincotech，Starpower，Hitachi，Danfoss，HitachiABBPGS和Bosch。2020年全球IG...
IGBT數(shù)據(jù)表中連續(xù)集電極電流IC，也稱為直流集電極電流，先對(duì)比一下二家不同公司的額定電流相同的IGBT產(chǎn)品（10A/600V）的數(shù)據(jù)表，可以看到標(biāo)稱的連續(xù)集電極電流IC的差異。廠家1：廠家2：在數(shù)據(jù)表中，25℃和100℃時(shí)，二個(gè)標(biāo)稱相同額定電流的IGBT，IC并不相同。那么，I...
最近一些工程師朋友和讀者留言詢問(wèn)，說(shuō)微信公眾號(hào)里面看不到以往的文章，作者檢查后發(fā)現(xiàn)主要問(wèn)題是：微信公眾號(hào)主頁(yè)面下方的菜單（圖1中最下方紅色方框部分），點(diǎn)擊菜單后，對(duì)應(yīng)的鏈接出現(xiàn)了問(wèn)題，出現(xiàn)“該內(nèi)容已被發(fā)布者刪除”的提示，如圖4所示，估計(jì)最近微信公眾號(hào)更新系統(tǒng)是導(dǎo)致這個(gè)問(wèn)題的原因。...
2020年，功率MOSFET和IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期依然非常長(zhǎng)。下游需求旺盛，功率MOSFET和IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET和IGBT的市場(chǎng)供給仍然處于非常緊張的狀態(tài)，這種狀況一直持續(xù)到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
2020年，功率MOSFET/IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期非常長(zhǎng)。下游需求旺盛，功率MOSFET/IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET市場(chǎng)供給仍然處于緊張的狀態(tài)，一直持續(xù)到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)，在其年...
?4、PCM功率MOSFET的性能要求離子電池的容量從早期的600mAh、1000mAh到現(xiàn)在，高達(dá)6000mAh、10000mAh，為了實(shí)現(xiàn)更快的充電速度，降低充電時(shí)間，通常采用提高電流、使用大電流充電的快充技術(shù)，那么，大電流充電，對(duì)電池包內(nèi)的功率MOSFET就提出了更高的技術(shù)...
實(shí)際的應(yīng)用中，DFN3*3、DFN5*6、SO8等封裝類型的貼片元件，都會(huì)在PCB板器件位置的底部鋪上一大片銅皮，然后器件底部框架的銅皮焊接在PCB的這一大片的銅皮上，加強(qiáng)散熱。理論上，PCB板銅皮鋪的面積越大，總熱阻就越低，器件的溫升就越低。由于PCB板上其他元件及PCB本身尺...
實(shí)際的應(yīng)用中，很多降壓型BUCK變換器，通常要利用連接到相應(yīng)管腳的大片PCB銅皮來(lái)散熱：?jiǎn)涡酒腂UCK電源IC，主要利用IC的GND管腳，焊接到PCB的GND銅皮來(lái)散熱；部分內(nèi)部封裝分立MOSFET的BUCK電源IC，以及采用分立方案的BUCK變換器，如使用控制器驅(qū)動(dòng)分立MOS...
低壓差線性電壓調(diào)節(jié)器LDO以及其他線性電壓調(diào)節(jié)器的電源芯片，內(nèi)部的反饋環(huán)采用電壓誤差放大器調(diào)節(jié)系統(tǒng)外部輸入電壓和輸出電流的變化，從而保證輸出電壓的穩(wěn)定。電壓誤差放大器都有一定的工作頻段和直流增益的限制，如果頻率升高，電壓誤差放大器的工作特性就會(huì)惡化，從而影響系統(tǒng)輸出的噪聲和紋波。...
同步BUCK降壓變化器開關(guān)節(jié)點(diǎn)SW的電壓波形VSW如圖1所示，Vin=19V，Vo=1V，fsw=900k，L=250nH，在保證測(cè)量方法正確的前提下，可以發(fā)現(xiàn)，開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓VSW的下降沿，會(huì)出現(xiàn)負(fù)壓尖峰，圖1中的負(fù)壓尖峰為-6.9V。?圖1：同步BUCK變化器工作波形?功率M...
佳木秀
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