關(guān)注「Linux大陸」，選擇「星標(biāo)公眾號」一起進步！Valgrind簡介Valgrind是一套Linux下，開放源代碼（GPLV2）的仿真調(diào)試工具的集合。Valgrind工具包包含多個工具，如Memcheck、Cachegrind、Helgrind、Callgrind、Massi...
關(guān)注「Linux大陸」，選擇「星標(biāo)公眾號」一起進步！大家好，我是ZhengN。Linux大陸是我的另一個公眾號，主要分享一些Linux相關(guān)的知識。大家可以關(guān)注關(guān)注。為什么重新申請了一個公眾號？1、留言功能。大雜燴公眾號無留言功能，錯失了很多與大家互動的機會。Linux大陸具備留言...
關(guān)注「嵌入式大雜燴」，選擇「星標(biāo)公眾號」一起進步！來源：果果小師弟摘要：不知道大家有沒有這樣一種感覺，就是感覺自己玩單片機還可以，各個功能模塊也都會驅(qū)動，但是如果讓你完整的寫一套代碼，卻無邏輯與框架可言，上來就是開始寫！東抄抄寫抄抄。說明編程還處于比較低的水平，那么如何才能提高自...
關(guān)注「嵌入式大雜燴」，選擇「星標(biāo)公眾號」一起進步！linkboy簡介linkboy是一門面向物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計算、工業(yè)控制等領(lǐng)域的自研編程語言。linkboy官網(wǎng)地址：?http://www.linkboy.cc/index.html?（相關(guān)資料需要到官網(wǎng)下載）使用linkboy及其...
關(guān)注「嵌入式大雜燴」，選擇「星標(biāo)公眾號」一起進步！來源：嵌入式實驗基地前言你是否還在為一大堆任務(wù)放在while中，通過一個個標(biāo)志，做一大堆if...else...switch...case...煩惱，想跑個freertos或者ucos，發(fā)現(xiàn)芯片空間有限，添加不進去了...那本文小...
關(guān)注「嵌入式大雜燴」，選擇「星標(biāo)公眾號」一起進步！來源：strongerHuang基于MCU的嵌入式軟件開發(fā)，可能在某些情況下沒有多余存儲空間，從而沒有在本地有效保存調(diào)試和日志信息。這時，通過某種方式把調(diào)試（Debug）和日志（Log）信息輸出就顯得有意義了。下面就來講講關(guān)于嵌入...
關(guān)注「嵌入式大雜燴」，選擇「星標(biāo)公眾號」一起進步！大家好，我是ZhengN。上一篇我們已經(jīng)基于我們的開發(fā)板搭好了一個基于boa的web服務(wù)器：實用|10分鐘教你搭建一個嵌入式web服務(wù)器。這一篇接著分享如何使用網(wǎng)頁來點燈。網(wǎng)頁點燈的整個流程大致為：從上到下，前面兩部分我們就是我們...
關(guān)注「嵌入式大雜燴」，選擇「星標(biāo)公眾號」一起進步！來源：果果小師弟摘要：不知道大家有沒有這樣一種感覺，就是感覺自己玩單片機還可以，各個功能模塊也都會驅(qū)動，但是如果讓你完整的寫一套代碼，卻無邏輯與框架可言，上來就是開始寫！東抄抄寫抄抄。說明編程還處于比較低的水平，那么如何才能提高自...
關(guān)注「嵌入式大雜燴」，選擇「星標(biāo)公眾號」一起進步！來源：CSDN一、原理篇而低耦合，是指模塊之間盡可能的使其獨立存在，模塊之間不產(chǎn)生聯(lián)系不可能，但模塊與模塊之間的接口應(yīng)該盡量少而簡單。這樣，高內(nèi)聚從整個程序中每一個模塊的內(nèi)部特征角度，低耦合從程序中各個模塊之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系角度，對我...
???問題1：在功率MOSFET的應(yīng)用中主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關(guān)的應(yīng)用中，如?何計算其導(dǎo)通時間？PCB的設(shè)計?，銅箔面積開多大會比較好？D、S極的銅箔面??積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？?回復(fù)：?MOSFET主要參數(shù)包括BVDSS，RDS(on)，Crss，Coss以...
??1、前言快充及電源適配器通常采用傳統(tǒng)的反激變換器結(jié)構(gòu)，隨著快充及PD適配器的體積進一步減小、功率密度進一步提高以及對于高效率的要求，傳統(tǒng)的硬開關(guān)反激變換器技術(shù)受到很多限制。采用軟開關(guān)技術(shù)工作在更高的頻率，可以降低開關(guān)損耗提高效率，減小變壓器及電容的尺寸降低電源體積，同時改善E...
1、前言反激變換器是一種常用的電源結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于中小功率的快充及電源適配器。高功率密度的ZVS軟開關(guān)反激變換器除了有源箝位反激變換器，還有另一種結(jié)構(gòu)，其利用輸出反灌電流，實現(xiàn)初級主功率MOSFET零電壓開通，電路的結(jié)構(gòu)如圖1所示，和傳統(tǒng)的采用同步整流的反激變換器完全相同，只是控...
1、磁性材料所有做高頻電力電子系統(tǒng)及開關(guān)電源的工程師都離不開電感、變壓器或電機等感性元件。感性元件內(nèi)部具有磁芯，磁芯由磁性材料加工而成，感性元件高頻開關(guān)工作過程中，磁性材料反復(fù)磁化。磁化過程中，磁滯回線就是表征磁感應(yīng)強度B與磁場強度H之間的關(guān)系的曲線，如圖1所示。????圖1：特...
通常功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中定義了基于硅片結(jié)溫和封裝限制的額定連續(xù)漏極電流ID值，理論上基于接合線的熔化理論來計算接合線的電流限制值。功率MOSFET源極管腳的銅皮（內(nèi)部框架）可以有助于硅片的散熱，大多數(shù)情況下，功率MOSFET晶元的表面、線的接合處具有最高的電流密度，因此功率...
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