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[導讀]??1、前言快充及電源適配器通常采用傳統(tǒng)的反激變換器結構,隨著快充及PD適配器的體積進一步減小、功率密度進一步提高以及對于高效率的要求,傳統(tǒng)的硬開關反激變換器技術受到很多限制。采用軟開關技術工作在更高的頻率,可以降低開關損耗提高效率,減小變壓器及電容的尺寸降低電源體積,同時改善E...

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1、前言


快充及電源適配器通常采用傳統(tǒng)的反激變換器結構,隨著快充及PD適配器的體積進一步減小、功率密度進一步提高以及對于高效率的要求,傳統(tǒng)的硬開關反激變換器技術受到很多限制。采用軟開關技術工作在更高的頻率,可以降低開關損耗提高效率,減小變壓器及電容的尺寸降低電源體積,同時改善EMI性能,從而滿足系統(tǒng)設計的要求,特別適合于采用超結結構的高壓功率MOSFET或高壓GaN器件的高功率密度快充及電源適配器


傳統(tǒng)的硬開關反激變換器功率開關管電壓、電流應力大,變壓器的漏感引起電壓尖峰,必須采用無源RCD吸收電路進行箝位限制,RCD吸收電路的電阻R產(chǎn)生額外的功率損耗,降低系統(tǒng)效率,如圖1所示。


如果將RCD吸收電路的電阻R去掉,同時將二極管換成功率MOSFET,這樣就變成了有源箝位反激變換器,通過磁化曲線在第一、第三象限交替工作,將吸收電路的電容Cc吸收的電壓尖峰能量,回饋到輸入電壓,從而實現(xiàn)系統(tǒng)的正常工作。


圖1:傳統(tǒng)的硬開關反激變換器


圖2:有源箝位反激變換器


2、有源箝位反激變換器工作原理


非連續(xù)模式DCM有源箝位反激變換器電路結構及相關波形如圖2、圖3所示,圖中的各個元件定義如下。


Lm:變壓器初級激磁電感
Lr:變壓器初級漏感
Lp:變壓器初級總電感,Lp=Lm Lr
n:變壓器初級和次級的匝比,n=Np/Ns


Q1:主功率開關管,DQ1、CQ1為Q1寄生體二極管和寄生輸出電容
Qc:箝位開關管,D
Qc、CQc為Qc寄生體二極管和寄生輸出電容
Do:次級輸出整流二極管


Cc:箝位電容
Cr:C
Q1、CQc以及其它雜散諧振電容Cto總和,Cr=CQ1 CQc Cto
Cc
1:Cc1=Cc CQ1 Cto


Vsw:Q1的D、S兩端電壓
Vin:輸入直流電壓
Vo:輸出直流電壓
V
C:箝位電容電壓


每個開關周期根據(jù)其工作狀態(tài)可以分為8個工作模式,各個工作模式的狀態(tài)及等效電路圖分別討論如下。


圖3:有源箝位反激變換器波形(非連續(xù)模式DCM)


?(1)模式1:t0-t?1


在t0時刻,Q1處于導通狀態(tài),Qc、Do保持關斷狀態(tài)。Lp兩端所加的電壓為Vin,Lp激磁,其電流從0開始,隨著時間線性上升。


圖4:模式1(Q1導通,Qc、Do關斷)


(2)模式2:t1-t?2


在t1時刻,Q1關斷,Qc、Do保持關斷狀態(tài)。Q1關斷后,Lp和Cr諧振,激磁電流對CQ1充電,對CQc放電,Vsw電壓諧振上升。


圖5:模式2(Q1、Qc、Do關斷)


在t1-t2中間某一時刻tm,對應的Vsw電壓為Vin:① t1-tm期間,Lp所加電壓為正,其電流諧振上升,但是上升斜率變得緩慢。② tm-t2期間,從tm時刻開始,Lp所加電壓為負,其電流諧振下降。
?
(3)模式3:t?2-t?3


在t2?時刻,Vsw的電壓諧振上升到Vin VC,VC=n?Vo,二極管DQc自然導通,Q1、Do保持關斷狀態(tài)。DQc導通后,Lp和Cc1諧振,激磁電流同時對Cc、CQ1充電,Vsw電壓、VC電壓諧振上升,Lp的電流繼續(xù)諧振下降。


圖6:模式3(DQc導通,Q1、Do關斷)


在t2-t3期間任一時刻,開通Q?c,由于DQc處于導通狀態(tài),其兩端電壓為0,因此Qc的開通就是零電壓開通ZVS。

?

圖7:QQc零電壓開通ZVS


初級繞組電壓:

VLm=VC?Lm/(Lr Lm)

此過程中,VLm電壓小于n?Vo,Do不導通。


(4)模式4:t3?-t?4

??

在t3時刻,VLm電壓諧振上升到n?Vo時,Do導通,Qc保持導通狀態(tài),Q1保持關斷狀態(tài)。Do導通后,Lm兩端電壓箝位在n?Vo,Lm儲存能量轉移到次級繞組,向輸出負載傳送,其電流線性下降;同時,Lr和Cc1諧振,Lr的電流同時對Cc、CQ1充電,Vsw電壓、VC電壓繼續(xù)諧振上升,Lr的電流諧振下降。

?

圖8?:模式4(Q?Qc、Do導通,Q1關斷)


(5)模式5:t4-t?5


在t4時刻,Lr的電流諧振下降到0,Do、Qc保持導通狀態(tài),Q1保持關斷狀態(tài)。Lr的電流下降到0后,Lr和Cc1反向諧振,就是Cc對Lr反向激磁,Cc、CQ1放電,Vsw電壓、VC電壓諧振下降,Lr的電流從0開始反向諧振上升,到達反向的最大值后繼續(xù)諧振,其反向電流的絕對值下降,而Lm繼續(xù)向輸出負載釋放能量,電流保持線性下降。?


圖9:模式5(QQc、Do導通,Q1關斷)


(6)模式6:t5?-t?6


在t5時刻,Lm的電流降低為0,Lm電感儲存能量全部釋放完畢,Do自然關斷,Qc保持導通狀態(tài),Q1保持關斷狀態(tài)。Do關斷后,輸出反射電壓n?Vo斷開,此時,Lm又重新串聯(lián)進入到諧振回路,Lp和Cc1諧振,Vc電壓反向加在Lp,Cc放電對Lp反向激磁,Lm的電流過0后和Lr一起繼續(xù)反向增加。


圖10:模式6(QQc導通,Q1、Do關斷)


在Do關斷瞬間,Lr的電流有一個高頻振蕩換流的過程,在這個過程中,Lr的電流快速下降到幾乎為0、和Lm電流相等的過程,其中一部分能量轉送到輸出負載,另一部分能量轉移到Lm。
??
(7)模式7:t6-t?7

?
在t
6時刻,關斷Qc,Do、Q1保持關斷狀態(tài)。Qc關斷后,Lp和Cr諧振,Lp的電流對CQc充電,對CQ1放電。?

?

圖11:模式7(QQc、Q1、Do關斷)


在t6?-t7?中間某一時刻tn,對應的Vsw電壓為Vin:①t6-tn期間,Lp所加電壓為負,其電流諧振下降,其反向電流的絕對值進一步增加。②tn-t7期間,從tn時刻開始,Lp所加電壓為正,其電流諧振上升,其反向電流的絕對值降低。

?
(8)模式8:t7?-t0??

?
在t
7時刻,CQ1放電到0,Vsw電壓為0,D1自然導通續(xù)流,將Vsw電壓箝位到0,Do、Qc保持關斷狀態(tài)。D1導通后,Lp兩端所加的電壓為Vin,Lp的電流從負值線性上升,其電流絕對值進一步降低,直到降低為0,完成一個開關周期。然后,Lp的電流繼續(xù)正向激磁,從0開始正向線性上升,開始下一個開關周期。


圖12:模式8(D1導通,Q1、Do關斷)

?
在t
7-t0期間任一時刻,開通Q1,由于D1?處于導通狀態(tài),其兩端電壓為0,因此Q1的開通就是零電壓開通ZVS。


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圖13:Q1零電壓開通ZVS

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?? 3、 說明討論


(1)有源箝位軟開關反激變換器工作于非連續(xù)模式DCM,因此每個周期初級激磁電感的電流要到0。


主功率開關管Q1和箝位開關管Qc配置成半橋的電路結構,只有當Q1(Qc)的寄生體二極管先導通,然后再開通Q1(Qc),才能實現(xiàn)零電壓軟開關ZVS。


(2)從工作原理可以看到,當Q1關斷后開始諧振轉換時,諧振環(huán)每次只換一個元件,依次的順序為:

Lp/Cr-->Lp/Cc1-->Lr/Cc1-->Lp/Cc1-->Lp/Cr


(3)只要Lp加正電壓,起始電流為正,其電流線性增加;起始電流為負,其電流絕對值線性降低;只要Lp上加負電壓,起始電流為正,其電流線性下降;起始電流為負,其電流絕對值線性增加。Lp所加的電壓有發(fā)生正、負轉換時,Lp電流的斜率也發(fā)生改化。


(4)Lp的負電流的能量并沒有傳輸?shù)捷敵?,它只是為了實現(xiàn)Q1的零電壓關斷,因此,Lp的負電流形成環(huán)流,在變壓器中產(chǎn)生銅損、鐵(磁)損,同時在回路的電阻中產(chǎn)生導通損耗,影響系統(tǒng)的效率,因此要精確的控制Lp的負電流的大小。


在t7時刻,當Vsw電壓為0時,若Lp的電流也為0,其效率最高,實際上這樣的條件很難精確的控制。


(5)由于Cc>>CQ1 Cto,因此,Cc1==Cc。相對于開關周期,t1-t2、t2-t3時間非常短。Cc電容足夠大,其紋波可以忽略,因此,t1-t6期間,Vsw的電壓可以看成基本不變的平臺,如下圖所示,圖中還標出了開關元件導通的順序、諧振元件依次改變的順序。



輸出二極管換成MOSFET,則為次級同步整流。為了方便驅動,可以將同步MOSFET放在低端,如圖所示。


圖14:?次級同步整流


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