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[導讀]全橋結構在電路設計當中有著相當廣泛的作用。本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負電壓輸出,這樣做是為了能夠成為IGBT的驅動

全橋結構在電路設計當中有著相當廣泛的作用。本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負電壓輸出,這樣做是為了能夠成為IGBT的驅動及保護。并且在實踐設計時,需要根據選擇的IGBT開關管參數和工作頻率,來確定驅動板電源功率。而后對原邊共用全橋控制的DC-DC電源設計進行了介紹,給出了變壓器的選擇方法。

IGBT半橋集成驅動板電源特點

半橋IGBT的有效驅動和可靠保護都由半橋IGBT集成驅動板來實現。半橋IGBT集成驅動板自身必須具備兩路DC-DC隔離電源,該電源要求占用PCB面積小、體積緊湊、可靠性高,并且兩組電源副邊完全隔離。在大功率半橋IGBT集成驅動單元的項目中,針對驅動單元需要高效、可靠的隔離電源,設計了一種電源變壓器原邊控制拓撲,即兩組隔離電源變壓器原邊共用一組全橋控制的思路,提高了電源功率密度和效率,節(jié)省了功率開關數量。全橋開關管巧妙搭配,無需隔離驅動,減少了占用集成驅動板上的PCB面積。

半橋IGBT集成驅動板在兩路驅動上表現出負載特性一致的原因是,因為上下半橋當中兩個單元IGBT的性能參數一致,并且采用同體封裝。因此在IGBT半橋集成驅動板的電源設計中,兩組隔離的DC-DC電源原邊完全可以共用一組控制電路。IGBT半橋集成驅動板一般鑲嵌在IGBT功率模塊上,它對驅動板的要求有兩個:第一是半橋集成驅動板對PCB面積、體積要求很高,要求盡可能減小PCB面積和體積;第二因為驅動IGBT需要的功率較大,對板上電源的功率密度、效率要求也較高。

原邊共用全橋控制的DC-DC電源設計

本設計采用了兩個變壓器原邊共用,也就是全橋電路控制DC-DC電源變壓器。正常模式下兩個全橋變換拓撲需要兩組全橋開關,同時全橋開關的脈沖驅動電路也為兩組共8路PWM脈沖。采用共用全橋拓撲節(jié)省了控制電路和全橋開關,簡化了DC-DC隔離電源電路。由于該電源是給半橋IGBT驅動電路供電,負載穩(wěn)定且可計算,因此全橋DC-DC電源采用開環(huán)控制,滿足最大功率需求即可。電路原理如圖1所示,該電源由4部分組成:4路PWM脈沖產生電路、全橋驅動開關、電源變壓器及其副邊整流濾波電路。DC-DC電源輸入為單+15 V電源,輸出為兩組隔離的+15 V和-10 V雙電源,采用負電源是為可靠地關斷IGBT.



圖1原邊共用全橋電路的DC-DC原理圖


共用全橋開關的兩組DC-DC隔離電源工作原理為:對角的開關管同時開通,另外一組對角已經關斷,此時兩組磁芯原邊同時正反相激磁,副邊耦合,再進行全波整流濾波后得到穩(wěn)定的電源。設計全橋開關工作頻率為360 kHz,同時采用全波整流,因此副邊不需要很大的濾波、儲能元件,有利于實現DC-DC電源小型化。

全橋DC-DC電源參數為:輸入+15 V、輸出+15 V、-10 V、輸出功率6 W、工作頻率360 kHz。要求額定負載下動態(tài)特性、滿足:+15 V波動<+1 V、-10 V波動<-2V、工作頻率滿足5%的偏差容限。其中工作頻率由施密特觸發(fā)器CD40106參數及RC數值決定。具體參數為:R=2.2kΩ、C=748 pF、VDD=15 V、VT+=8.8 V、VT-=5.8 V。根據式(1)計算出振蕩頻率為748.792 kHz,因為設計中多諧振蕩器輸出對2路RC充放電,充電電容容量增大一倍,因此振蕩頻率為上述計算頻率的1/2,即374.396kHz。


原邊共用全橋控制的4路PWM信號產生

傳統(tǒng)的全橋DC-DC拓撲由4只相同的開關管組成,需要2路互反的PWM控制信號,每路PWM信號驅動對角的2只開關管,2路PWM信號要求有死區(qū),避免全橋直通。全橋拓撲的上橋臂驅動必須隔離,否則無法完成正確驅動,隔離電路一般采用光耦或磁性器件實現,電路復雜、體積大。設計采用2個電源變壓器原邊繞組共用一個全橋開關,由于系統(tǒng)為+15 V單電源輸入,因此全橋開關采用2片內含PMOS和NMOS的S14532ADY實現,此時PWM驅動脈沖無需隔離,即不用將全橋的上下臂驅動脈沖進行隔離,使用振蕩電路的邏輯門進行驅動,簡化了控制電路,同時該全橋開關為小體積的SO-8封裝,實現了最小PCB設計。據此原理設計全橋開關需要4路PWM 脈沖驅動,分為2組,每組內互反,驅動對角的PMOS和NMOS開關,2組之間帶有死區(qū),具體的4路。G11、G2、 G22、G1為4路PWM驅動,T1、T11為兩個DC-DC電源變壓器,此處只畫出了原邊繞組,C為隔直電容,能夠有效地防止變壓器磁芯飽和。可以看到,對角的開關同時導通,兩組對角交替開關,兩個變壓器磁芯工作在I、Ⅲ工作象限,雙向勵磁,有利于實現高功率密度。

一般PWM驅動產生方法用MCU、DSP或專用IC產生,難以實現低成本和緊湊設計。文中對通用多諧振蕩器電路進行改進,分別增加兩個二極管、電阻及電容,即可輸出滿足上述要求的4路PWM驅動信號,簡化了電源設計,提高了可靠性。

DC-DC電源變壓器的選擇及設計

系統(tǒng)電源采用全橋驅動,磁芯工作在I、Ⅲ象限,驅動上要能夠防止磁芯飽和,同時要求效率高、體積小?;谏鲜隹紤],選用環(huán)形磁芯T10×6×5,材質為PC40,環(huán)形磁芯漏磁小、效率高。具體參數為:μi=2 400,Ae=9.8 mm2,Aw=28.2mm2,J=2A/mm2.系統(tǒng)工作狀態(tài)為:ηB=90%,Km=0.1,fs=366 kHz,Bm=2 000 GS,根據P0=Ae×Aw×2×fs×Bm×J×ηB×Km×10-6.得出P0=9.8×10-2×28.2 x 10-2×2×366×103×2 000 x 2×0.9×0.1×10-6=7.3 W,理論計算表明,所選磁芯滿足設計的功率要求。

變壓器匝數設計是根據式(2)和式(3)計算,其中μi為輸入電壓最小值,△Vce為額定電流下全橋回路開關管壓降,Dmax=0.48;μo為輸出電壓額定值,△Vd為輸出額定電流下全波整流二極管壓降。理論計算原副邊匝數為:原邊Np=4.6匝,副邊Ns1=5.8匝,Ns2=3.9匝。

Np=[(μi-△Vce)×Dmax]/(2△B×Ae×fs) (2)

Np=[(μo-△Vd)×(1-Dmax)]/(2△B×Ae×fs) (3)

實際調試結果為:原邊p=6匝,副邊Ns1=8匝,Ns2=5匝。

帶死區(qū)的4路互補PWM信號仿真

兩路DC-DC電源變壓器原邊共用全橋拓撲,全橋電路的4路PWM信號是在多諧振蕩器電路的基礎上添加幾個無源器件生成的,并且產生的兩組驅動信號帶有死區(qū),能夠有效防止全橋開關器件直通。電路的工作原理是:對通用多諧振蕩器輸出加以改進,使其充放電電容容量不同,產生2路充放電曲線略有差異的波形,這個差異就會在兩組PWM波之間產生死區(qū),再分別經過同相器和反相器,即可產生4路滿足驅動要求的PWM脈沖。



4路PWM生成電路的Saber仿真原理圖及仿真結果如圖3(a)和圖3(b)所示。由仿真結果可以看出,4路PWM脈沖能夠滿足共用全橋拓撲的控制要求。


實驗結果

圖4(a)所示為實際全橋DC-DC電源變壓器原邊及副邊繞組帶載波形,其中CH1為原邊線圈兩端電壓,CH2為副邊線圈正電壓。由于器件分散性,實際測試DC-DC電源工作頻率為366 kHz,頻率偏差為3.8%,滿足設計要求。圖4(b)所示為動態(tài)加載輸出波形,其中CH1為輸出正電壓,CH2為輸出負電壓。測試時負載為35 Ω/10 W,可以看到突加突卸額定負載時輸出正電壓較平穩(wěn),波動<1 V,滿足設計要求。負電壓稍有波動,考慮到IGBT負壓是用來維持關斷狀態(tài),負壓在-5~-15 V即可,因此滿足半橋集成驅動電源的要求。



本篇文章通過對原理的分析和計算,介紹了一種比較穩(wěn)定且性能較高的DC-DC隔離電源設計,這種設計不僅容易安裝,還能與IGBT模塊完美集成。并且在最后通過對實驗結果的分析,證明了該種電源的高效性和可靠性,達到了設計目的。

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