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[導讀]Blob在S3C44B0上的移植

   摘要:Bootloader是嵌入式系統(tǒng)軟件開發(fā)的第一個環(huán)節(jié),它緊密地將軟硬件銜接在一起,對于一個嵌入式設備后續(xù)的軟件開發(fā)至關重要。Blob是一款功能強大的Bootloader,S3C44B0是三星公司一款基于ARM7TDMI的嵌入式通用處理器。本文詳細介紹Blob在基于S3C44B0的開發(fā)板上的運行原理與移植過程。

    關鍵詞:S3C44B0 Blob Bootloader 移值

Bootloader對于嵌入式設備來說至關重要,它涉及到許多硬件相關的知識。對于自制的嵌入式開發(fā)板,它又是不可跳過的步驟,所以很多人對于它感到很頭痛。本文將以一款優(yōu)秀的Bootloader Blob為例,詳細講解它的運行原理以及在S3C44B0通用處理器上的移植過程,為在嵌入式設備上的后續(xù)軟件開發(fā)打下基礎。

1 Blob簡介

Blob是Boot Loader Object的縮寫,是一款功能強大的Bootloader。它遵循GPL,源泉代碼完全開放。Blob既可以用來簡單的調(diào)試,也可以啟動Linux kernel。Blob最初是Jan-Derk Bakker和Erik Mouw為一塊名為LART(Linux Advanced Radio Terminal)的板子寫的,該板使用的處理器是StrongARM SA-1100?,F(xiàn)在Blob已經(jīng)被移植到了很多CPU上,包括S3C44B0。

MBA44B0是一款基于S3C44B0的開發(fā)板。本文將以運行在MBA44B0開發(fā)板上的Blob的源代碼為基礎,再針對自己的開發(fā)板進行Blob的移植。

開發(fā)板的主要配置為:

*三星ARM7處理器S3C44B0;

*2MB的Flash,地址范圍0x0000 0000~0x0020 0000;

*8MB的SDRAM,地址范圍0x0c00 0000~0x0c80 0000;

*1個串口,2個LED燈;

*JTAG接口;

*晶振為6MHz,系統(tǒng)主頻為60MHz。

2 Blob的運行過程分析

圖1為Blob程序啟動流程

Blob編譯后的代碼定義最大為64KB,并且這64KB又分成兩個階段來執(zhí)行。第一階段的代碼在start.s中定義,大小為1KB,它包括從系統(tǒng)上電后在0x00000000地址開始執(zhí)行的部分。這部分代碼運行在Flash中,它包括對S3C44B0的一些寄存器的初始化和將Blob第二階段代碼從Flash拷貝到SDRAM中。除去第一階段的1KB代碼,剩下的部分都是第二階段的代碼。第二階段的起始文件為trampoline.s,被復制到SDRAM后,就從第一階段跳到這個文件開始執(zhí)行剩余部分代碼。第二階段最大為63KB,單詞trampoline詞義為“蹦床”,所以在這個程序中進行一些BSS段設置,堆棧的初始化等工作后,最后跳轉(zhuǎn)到main.c進入C函數(shù)。

我們的移植主要需要對上述的幾個文件進行修改。在進行移植以前,首先需要對存儲器的地址空間分配了解清楚。關于存儲器空間的定義在/include/blob arch/mba44b0.h中。

圖2為在Flash中的存儲器空間分布,圖3為啟動后在SDRAM中的存儲器空間分布。

如圖2所示,2MB的Flash空間分別分配給出Blob、kernel、ramdisk。系統(tǒng)上電后,先執(zhí)行第一階段代碼,進行相應的初始化后,將Blob第二階段代碼復制的RAM地址bloc_abs_base,然后跳轉(zhuǎn)到第二階段開始執(zhí)行。

在第二階段中,從匯編跳轉(zhuǎn)到C的Main()函數(shù),繼續(xù)進行如下工作:

*外圍的硬件初始化(串口,USB等);

*從Flash中將kernel加載到SDRAM的kernel區(qū)域;

*從Flash中的ramdisk加載到SDRAM的ramdisk區(qū)域;

*根據(jù)用戶選擇,進入命令行模塊或啟動kernel。

在我們使用的開發(fā)板上,kernel選用uClinux。由于Flash的存儲空間有限,所以存放在Flash中的uClinux內(nèi)核是經(jīng)過壓縮的。Blob將壓縮的uClinux內(nèi)核加載到SDRAM地址0x0C300000。如果選擇啟動uClinux,那么壓縮的uClinux內(nèi)核將自解壓.Text段到0x0c00800(見uClinux/arch/armnommu/Makefile),然后再跳轉(zhuǎn)到核處,開始運行uClinux。具體的uClinux移植在此就不詳細討論了。

在SDRAM的存儲器空間分配圖中,可以看到有blob_base和blob_abs_base兩部分。blob_abs_base大家已經(jīng)知道了,是Blob將自身的第二階段代碼復制到SDRAM所在的區(qū)域,而blob_base則是從Blob進行自升級或調(diào)試的區(qū)域。舉例說明,假如Blob已經(jīng)能正常運行了,但是對于Flash的擦寫還不能支持得很好,就可以使用已經(jīng)運行的Blob通過串口將所新編譯好的Blob下載到SDRAM中該區(qū)域進行運行調(diào)試。調(diào)試通過后,可以通過Blob燒寫進Flash,覆蓋原來的Blob進行升級。這樣就不必因為對Blob做了一點小的改動就重新燒寫Flash,從而減少了燒寫Flash的次數(shù)。

3 Blob的移植

對Blob的運行有了一定了解后,就可以進行Blob的具體移植了。首先要修改的start.s文件,具體工作如下:

*屏蔽掉看門狗WTCON;

*配置寄存器SYSCFG暫時關閉緩存,等Blob運行穩(wěn)定后再開啟提高性能;

*初始化I/O寄存器;

*屏蔽中斷;

*配置PLLCON寄存器,決定系統(tǒng)的主頻;

*調(diào)用ledasm.s,在串口未初始化時led狀態(tài)對于程序是否正常運行很重要;

*調(diào)用memsetup-s3c44b0.s中的memsetup進行初始化存儲器空間,初始化SDRAM刷新速率等;

*將第二階段復制到SDRAM,并且跳轉(zhuǎn)到第二階段。

在ledasm.s中,提供了led的匯編的語言驅(qū)動程序。在Blob還有個led.c文件,它和ledasm.s原理一樣,只不過是在C語言中調(diào)用的。修改led是為了方便初期階段的調(diào)試。在這里根據(jù)自己的開發(fā)板進行修改。

在memsetup-s3c44b0.s中,修改MEMORY_CONFIG中設置存儲器相關的配置,并設定SDRAM刷新速度,相關源碼如下所示:

MEMORY_CONFIG:

.long 0x11101002 /*進行存儲器的配置,SDRAM刷新速度配置等*/

… /*這里需要根據(jù)不同情況進行修改*/

.long 0x20

.globl memsetup /*定義全局標號,以便能被start.s調(diào)用*/

memsetup:

ldr r0,=MEMORY_CONFIG /*進行配置*/

ldmia r0,{r1-r13}

ldr r0,=0x01c80000

stmia r0,{r1-r13}

mov pc,lr /*程序返回*/

Trampoline.s不需要進行修改。

進入Main()后,串口傳輸速度在結(jié)構(gòu)體blob_status中設定:

blob_status.downloadSpeed=baud_115200;

blob_status.terminalSpeed=baud_115200;

串口的初始化相關代碼定義在函數(shù)s3c44b0_serial_init()中,該函數(shù)在serial-s3c44b0.c中。對于S3C44B0的串口,一般只需要初始化下面四個寄存器串口就可以正常工作。如果不能工作,可能是系統(tǒng)時鐘設置不同,只需要按照下列公式計算出divisor:

divisor=(int)(MCLK/(baud×16)) -1

替換下面的divisor即可。其中MCLK為系統(tǒng)主頻,baud為波特率。

/*serial-s3c44b0.c中中s3c44b0_serial_init()函數(shù)初始化串0部分*/

REG(UFCON0)=0x0;/*關閉FIFO*/

REG(ULCON0)=0x03;/*設置數(shù)據(jù)位8,無奇偶校驗,1位停止位*/

REG(UCON0)=0x0;/*脈沖中斷,中斷請求或查詢模式*/

REG(UBRDIV0)=divisor;/*設置波特率*/

至此,初級移植工作已經(jīng)完成,運行./configure ith-board=mba-44b0-with-linux-prefix=/path/to/linux-src進行相關配置。在此還可以加一些開關選項進行配置,具體請參閱Blob自帶文檔。如果沒有錯誤,就可以make進行編譯了。如果編譯正確,可在blob/src/blob下得到bin格式的Blob,將其燒寫到Flash即可運行。關于Blob第一部分和第二部分的鏈接腳本,可以在start-ld-script和rest-ld-script.in中看到相關的鏈接地址,編譯器是根據(jù)這些地址鏈接程序的。在blob/src/blob/Makefile中可以看到,兩個階段分別以blob-start和blob-rest來編譯,最后通過dd命令將它們組成一個完事的Blob二進制文件。

(1)命令行的修改

在筆者使用的Blob版本中,BackSpace不能起作用,這對于調(diào)試非常的不方便。查閱源碼,可以發(fā)現(xiàn)在src/blob/lib/command.c中,GetCommand函數(shù)中定義著人機交互部分。將else if(c==''這一行修改為else if(c==0x7f),即可支持Backspace功能。

(2)Blob的運行

如果在前面的工作中沒有什么問題的話,將blob/src/blob/blob文件燒寫進Flash后,上電就可以從串口看到歡迎信息。加載linux內(nèi)核和文件系統(tǒng)的后,等待幾秒,如果沒有操作,將啟動操作系統(tǒng),否則出現(xiàn)提示符:

Blob>

表示進入Blob。在該模式下提供了許多命令,可以方便地進行硬件調(diào)試、系統(tǒng)升級和系統(tǒng)引導。

Blob常用的命令有:blob、boot、xdownload、flashreload、dump、reblob、status等。

不同的Flash操作有所不同。筆者發(fā)現(xiàn)通過Blob燒寫Flash的軟件有些問題,為了調(diào)試方便,決定編寫自已的Flash驅(qū)動程序。

(3)Flash驅(qū)動程序的編寫

Flash作為非易失性的存儲器,在開發(fā)板上的作用是能保存數(shù)據(jù)且掉電不丟失。和EPROM最大的不同在于,對Flash編程不需要對特定的引腳加高電平,只是對特定地址寫入一組特定的數(shù)據(jù)即可進行編程,這樣就直接在開發(fā)板上通過軟件進行擦寫,不必使用特定的編程器。但是它的缺點也是很明顯的:操作過于復雜,SST39VF160是SST公司的一款16M位的Flash,16位數(shù)據(jù)線寬度,共2MB容量,分為512個扇區(qū),每個扇區(qū)有4KB,或32個塊(block),每個塊64KB。對Flash編程之前,必須對相應的扇區(qū)、塊或者整個芯片進行擦除后,才能進行編程。

通過S3C44B0進行Flash的燒寫需要注意幾點:首先,S3C44B0外部地址總線是根據(jù)外部數(shù)據(jù)總線寬度連接的。例如,本開發(fā)板外部數(shù)據(jù)總線為16位寬度,這樣S3C44B0的地址線A0就沒有接入外部地址總線,而是從A1接起。

對Flash編程需要對Flash寫入一個特定的時序。如果S3C44B0尋址0x5555,由于外部總線錯了一位,這樣在Flash看來發(fā)過來的地址信號是0xAAAA,也就不能正確地完成操作。注意到這一點,根據(jù)Blob自帶的Flash驅(qū)動程序,就可以很方便地改寫出適合自己Flash驅(qū)動程序。

結(jié)語

根據(jù)筆者經(jīng)驗介紹了Blob在S3C44B0上的移植,目前它已經(jīng)能穩(wěn)定地運行在開發(fā)板上;并且可以進行燒寫Flash,查看內(nèi)存,引導uClinux等操作,為項目的后續(xù)開發(fā)奠定了良好的基礎。

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