射頻芯片原型的推出，標志5G時代的臨近

近日，臺灣工研院資通所發(fā)布了小型基站功率放大器芯片封裝模塊原型，于4G LTE 2.5~2.7GHz (Band-41)上運作，符合Picocell 功耗為27dBm，ACLR大于47dBc的規(guī)格。

如今小型基地臺使用的功率放大器中，輸出功率一般不超過1W。隨著通信需求帶寬的提升，使得功率放大器的線性度設計變得非常困難。在電磁波頻率低于100khz時，電磁波會被地表吸收而不能形成有效的傳輸，但電磁波頻率高于100kHz時，電磁波可以在空氣中傳播，并經(jīng)大氣層外緣的電離層反射，形成遠距離傳輸能力，具有遠距離傳輸能力的高頻電磁波稱為射頻。射頻技術在無線通信領域中被廣泛使用，在高頻率高帶寬通信中，小型基站主要用于補盲場景中，它的使用可以提高整體系統(tǒng)容量。隨著帶寬的不斷加大，輸出頻率的限制讓小型基站設計越來越艱難。

目前6GHz以下的頻譜，主要從傳統(tǒng)的2GHz，慢慢延伸到3GHz~5GHz，而3.5GHz則是相當多國家首先展開部署的一個5G頻段，而因信道的帶寬已大幅提升，從過去的20MHz提升到5G 6GHz頻段以下的200MHz，若是到毫米波頻段的話，則是將達400MHz， 這對射頻組件來說，是一大挑戰(zhàn)。 該技術的開發(fā)，主要以提升線性度與效率為方向，首先整合了SMD被動組件于SiP封裝模塊，最后則整合于小型基站進行訊號傳輸。