• 盤(pán)點(diǎn)LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)四大問(wèn)題

    在現(xiàn)代生活中，節(jié)能和環(huán)保日益受到重視，LED照明因其高效節(jié)能的特性而廣泛被采用。LED燈具的使用壽命不僅取決于其自身的質(zhì)量，還與其電源驅(qū)動(dòng)的性能密切相關(guān)。一個(gè)穩(wěn)定可靠的LED驅(qū)動(dòng)電源對(duì)于延長(zhǎng)LED的使用壽命至關(guān)重要。為更好地服務(wù)客戶(hù)，促進(jìn)行業(yè)的共同進(jìn)步，金鑒實(shí)驗(yàn)室推出專(zhuān)業(yè)的“LED驅(qū)動(dòng)電源失效分析”業(yè)務(wù)，給客戶(hù)方便準(zhǔn)確的測(cè)試服務(wù)。

  • 匯總嵌入式軟件錯(cuò)誤的5大原因

    在嵌入式程序開(kāi)發(fā)的世界里，每一個(gè)項(xiàng)目都充滿(mǎn)了挑戰(zhàn)與機(jī)遇。這些挑戰(zhàn)可能來(lái)自于硬件的限制、實(shí)時(shí)性的要求，或者是復(fù)雜的系統(tǒng)交互。然而，正是這些挑戰(zhàn)，使得嵌入式程序開(kāi)發(fā)成為了一個(gè)既具挑戰(zhàn)性又充滿(mǎn)樂(lè)趣的領(lǐng)域。本文將通過(guò)幾個(gè)具體的案例，探討在嵌入式程序開(kāi)發(fā)中可能遇到的問(wèn)題以及相應(yīng)的解決方案。

  • 一文揭秘什么是PWM“死區(qū)”

    PWM是脈寬調(diào)制，在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來(lái)說(shuō)，就需要三個(gè)橋臂。以?xún)呻娖綖槔?，每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件，比如IGBT。這兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。因此，設(shè)計(jì)帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通。也就是說(shuō)，當(dāng)一個(gè)器件導(dǎo)通后關(guān)閉，再經(jīng)過(guò)一段死區(qū)，這時(shí)才能讓另一個(gè)導(dǎo)通。

  • 深度解讀PCB疊層和電磁兼容之間的關(guān)系

    電子產(chǎn)品很多可靠性和穩(wěn)定性的問(wèn)題是有電磁兼容性設(shè)計(jì)不過(guò)關(guān)所導(dǎo)致的。常見(jiàn)的問(wèn)題有信號(hào)的失真，信號(hào)噪音過(guò)大，工作過(guò)程中信號(hào)不穩(wěn)定，系統(tǒng)容易死機(jī)，系統(tǒng)易受環(huán)境干擾，抗干擾能力差等。電磁兼容性設(shè)計(jì)是一項(xiàng)相當(dāng)復(fù)雜的技術(shù)，設(shè)計(jì)到電磁學(xué)等方面的知識(shí)。

  • 詳解如何降低電磁輻射的干擾

    電磁干擾(EMI)，是干擾電纜信號(hào)并降低信號(hào)完好性的電子噪音，EMI通常由電磁輻射發(fā)生源如馬達(dá)和機(jī)器產(chǎn)生的，它主要有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾是指通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)把一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)上的信號(hào)耦合(干擾)到另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)。輻射干擾是指干擾源通過(guò)空間把其信號(hào)耦合(干擾)到另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)。在高速PCB及系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，高頻信號(hào)線(xiàn)、集成電路的引腳、各類(lèi)接插件等都可能成為具有天線(xiàn)特性的輻射干擾源，能發(fā)射電磁波并影響其他系統(tǒng)或本系統(tǒng)內(nèi)其他子系統(tǒng)的正常工作。

  • ARM必備: 22個(gè)常用概念

    通常在處理器執(zhí)行ARM程序時(shí)，稱(chēng)處理器處于ARM狀態(tài);當(dāng)處理器執(zhí)行Thumb程序時(shí)，稱(chēng)處理器處于Thumb 狀態(tài)。Thumb指令集并沒(méi)有改變ARM體系底層的程序設(shè)計(jì)模型，只是在該模型上加上了一些限制條件。Thumb指令集中的數(shù)據(jù)處理指令的操作數(shù)仍然為32位，指令尋址地址也是32位的。

  • 值得收藏！電容的科普知識(shí)

    容是指一種存儲(chǔ)電荷和能量的元件，它的單位是法拉(F)。電容元件由兩個(gè)導(dǎo)體板和介質(zhì)組成，介質(zhì)可以是空氣、瓷片、塑料等材料。兩個(gè)導(dǎo)體板之間的介質(zhì)越薄，電容的存儲(chǔ)能力就越大。電容的存儲(chǔ)能力也與兩個(gè)導(dǎo)體板的面積和距離有關(guān)，即電容的大小與兩個(gè)導(dǎo)體板的面積成正比，與兩個(gè)導(dǎo)體板的距離成反比。電容的存儲(chǔ)能量可以表示為：W = 1/2CV^2，其中C是電容的電容量，V是電容器的電壓。電容元件的符號(hào)是一個(gè)兩端有平行的線(xiàn)條的符號(hào)。

  • 一文教你CPU利用率如何計(jì)算

    CPU利用率是通過(guò)監(jiān)測(cè)和記錄CPU的空閑時(shí)間和總時(shí)間來(lái)計(jì)算的，CPU利用率如何計(jì)算?很多人還不是很清楚， 平時(shí)的CPU利用都是非空閑時(shí)間，即CPU不運(yùn)行idle線(xiàn)程的時(shí)間。

  • TrendForce集邦咨詢(xún): 2024年全球公共充電樁增長(zhǎng)率大幅放緩，中國(guó)與韓國(guó)引領(lǐng)市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)

    Nov. 20, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，全球汽車(chē)公共充電樁布建受土地和電網(wǎng)規(guī)劃等因素影響，加上新能源車(chē)市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩，預(yù)估2024年增長(zhǎng)率為30%，較2023年的60%大幅下滑。分析各主要市場(chǎng)情況，中國(guó)仍保有全球最多的公共充電樁，估計(jì)至2024年底將達(dá)360萬(wàn)座，占全球近70%。韓國(guó)今年的充電樁數(shù)量預(yù)期將年增39%，增長(zhǎng)率為世界第一，有望在2025年實(shí)現(xiàn)其50萬(wàn)座公共充電樁的目標(biāo)。

  • TrendForce集邦咨詢(xún): 能源補(bǔ)貼推動(dòng)2024年第三季電視出貨量環(huán)比增長(zhǎng)近10%，全年出貨量有望實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng)

    Nov. 19, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2024年第三季全球電視品牌出貨量達(dá)5,233萬(wàn)臺(tái)，季增9.6%、年增0.5%。由于今年七月底中國(guó)針對(duì)一、二級(jí)能效八類(lèi)家電產(chǎn)品提供15%至20%的以舊換新補(bǔ)貼，并加上中秋節(jié)和國(guó)慶節(jié)的促銷(xiāo)規(guī)模，使得第三季度全球電視品牌出貨量比預(yù)估高出1%。

  • 詳解共模電感工作原理及應(yīng)用

    共模電感是一個(gè)以鐵氧體為磁芯的共模干擾抑制器件，它由兩個(gè)尺寸相同，匝數(shù)相同的線(xiàn)圈對(duì)稱(chēng)地繞制在同一個(gè)鐵氧體環(huán)形磁芯上，形成一個(gè)四端器件，要對(duì)于共模信號(hào)呈現(xiàn)出大電感具有抑制作用，而對(duì)于差模信號(hào)呈現(xiàn)出很小的漏電感幾乎不起作用。

  • 整流二極管的反向恢復(fù)過(guò)程詳解

    二極管在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過(guò)程，實(shí)質(zhì)上由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的，反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷消失所需要的時(shí)間。

  • 共模電感接在開(kāi)關(guān)電源交流一側(cè)的原因解析

    共模電感用在交流，直流的都有，通常我們常見(jiàn)的是在EMI濾波器，開(kāi)關(guān)電源中見(jiàn)到，但直流側(cè)非常少見(jiàn)，在汽車(chē)電子中能夠看到其用在直流側(cè)。

  • 詳解三種適合于低占空比、基于飛輪電容的BUCK變換器結(jié)構(gòu)

    相對(duì)于電壓模式的 Buck 變換器，盡管電流模式的 Buck 變換器需要精密的電流檢測(cè)電阻并且這會(huì)影響到系統(tǒng)的效率和成本，但電流模式的 Buck 變換器仍然獲得更為廣泛的應(yīng)用。

  • TrendForce集邦咨詢(xún): 需求展望疲弱、庫(kù)存和供給上升，預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌

    Nov. 18, 2024 ---- 第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢(shì)。DDR5與LPDDR5X等先進(jìn)制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買(mǎi)賣(mài)方庫(kù)存水位偏高，價(jià)格不排除于今年第四季底開(kāi)始下跌。

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