日本TSV技術(shù)能否再現(xiàn)輝煌

時(shí)間：2012-04-18 10:21:18

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[導(dǎo)讀]在日本，硅通孔（TSV：ThroughSiliconVia）技術(shù)從10多年前開(kāi)始就備受業(yè)界關(guān)注。比如，日本超尖端電子技術(shù)開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（ASET）從1999年度起就在通過(guò)名為“超高密度電子SI”的研究項(xiàng)目推進(jìn)TSV相關(guān)開(kāi)發(fā)。2008年?yáng)|芝在全球率

在日本，硅通孔（TSV：ThroughSiliconVia）技術(shù)從10多年前開(kāi)始就備受業(yè)界關(guān)注。比如，日本超尖端電子技術(shù)開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（ASET）從1999年度起就在通過(guò)名為“超高密度電子SI”的研究項(xiàng)目推進(jìn)TSV相關(guān)開(kāi)發(fā)。2008年?yáng)|芝在全球率先開(kāi)始量產(chǎn)憑借TSV實(shí)現(xiàn)小型化的CMOS圖像傳感器。

如上所述，在TSV技術(shù)研發(fā)方面，最初是日本走在了前面，但之后，TSV的用途并沒(méi)有多大的擴(kuò)展，在演講會(huì)及研討會(huì)上，也傳出了“紙上談兵”這種諷刺之聲?，F(xiàn)在，TSV技術(shù)終于迎來(lái)了全面實(shí)用期。使用基于TSV的硅轉(zhuǎn)接板的FPGA已開(kāi)始量產(chǎn)，支持高速且低耗電化WideI/ODRAM的基于TSV的應(yīng)用處理器也將于2013～2014年開(kāi)始量產(chǎn)。

但是，推動(dòng)這些基于TSV的LSI產(chǎn)品的，主要是海外廠商。這些海外廠商包括：從事手機(jī)SoC業(yè)務(wù)的美國(guó)高通（Qualcomm）、從事FPGA生產(chǎn)的美國(guó)賽靈思（Xilinx）和美國(guó)阿爾特拉（Altera）、從事微處理器業(yè)務(wù)的美國(guó)IBM、從事硅代工業(yè)務(wù)的臺(tái)積電（TSMC）、從事后工序代工業(yè)務(wù)（OSAT）的美國(guó)安可科技（AmkorTechnology）和新加坡STATSChipPAC等。而在日本國(guó)內(nèi)，雖然曾有爾必達(dá)存儲(chǔ)器堅(jiān)持不懈地開(kāi)發(fā)使用TSV的WideI/ODRAM，但該公司卻于2012年2月宣布破產(chǎn)。甚至有某設(shè)備廠商指出，“日本的TSV要落后世界潮流1～2周”。

雖說(shuō)如此，TSV技術(shù)也不會(huì)從日本消失。比如，東芝就打算在NAND閃存中應(yīng)用在CMOS圖像傳感器的量產(chǎn)中培育起來(lái)的，名為“背面通孔（BacksideVia）”的低成本TSV技術(shù)。而且，旭硝子也開(kāi)發(fā)出了成本有望比硅轉(zhuǎn)接板降低一位數(shù)的玻璃轉(zhuǎn)接板微細(xì)加工技術(shù)。此外，以長(zhǎng)年從事三維LSI研究的日本東北大學(xué)教授，日本未來(lái)科學(xué)技術(shù)共同研究小心的小柳光正為中心的研究小組，目前正在日本宮城縣多賀城市的“宮城復(fù)興工業(yè)園”內(nèi)建設(shè)可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線，預(yù)定2013年3月完工。因此，日本廠商今后有望在TSV技術(shù)的研發(fā)方面再現(xiàn)輝煌。