MLU技術(shù)開啟磁性存儲器中實現(xiàn)類NAND存儲器可能
磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)供應(yīng)商Crocus Technology聲稱已開發(fā)出一種稱之為磁性邏輯單元(Magnetic Logic Unit,MLU)的技術(shù),它可匹配其熱輔助磁性轉(zhuǎn)換(TAS)技術(shù),除了儲存以外還可用于存儲器存取,開啟了使用在MRAM中實現(xiàn)類NAND(NAND-like)存儲器以及搜尋存儲器的可能性。
藉由開啟數(shù)據(jù)儲存、安全商業(yè)及通訊應(yīng)用、網(wǎng)路處理以及汽車和工業(yè)等應(yīng)用,Crocus聲稱,此一創(chuàng)新技術(shù)將可拓展磁性技術(shù)的市場。然而,該公司并未透露何時可量產(chǎn)或?qū)⑼瞥龊畏N容量的存儲器。
在高密度存儲器應(yīng)用中,MLU開啟了一條可在磁性存儲器中實現(xiàn)類NAND配置的道路,MLU NAND存儲器可實現(xiàn)比傳統(tǒng)磁性存儲器高出2~4倍的密度,而且還具有完整的隨機(jī)存取優(yōu)勢,Crocus表示。
Crocus表示,其MLU技術(shù)可藉由設(shè)定一個通常固定于MRAM單元中的參考層磁化來整合三種模式。
Crocus的MLU XOR,稱之為地匹配(Match-In-Place),它實現(xiàn)了比較和加密功能,可防止智能卡、身份證、SIM卡、近距離無線通訊(NFC)遭到篡改。Match-In-Place還實現(xiàn)了搜尋和比較功能所需的網(wǎng)路路由應(yīng)用,可以實現(xiàn)比傳統(tǒng)CMOS硬體搜尋處理器更高出50倍的密度。此外,所有配置的MLU都能在高達(dá)200℃的溫度中正常運作,這使其成為汽車和工業(yè)電子產(chǎn)品的理想應(yīng)用。
“在許多獨立和嵌入式存儲器產(chǎn)品中,MLU具有取代SRAM、DRAM、NAND、NOR和OTP的潛力,”Crocus公司執(zhí)行主席Bertrand Cambou說。“因為MLU的NOR、NAND和XOR功能是在單一晶片制程中使用不同的設(shè)計架構(gòu),他們能夠輕易地癥合到系統(tǒng)單晶片(SoC)中。”
MLU與Crocus目前的晶圓制程相容,Crocus正計劃采用Tower Semiconductor的130nm制程來量產(chǎn)基于MLU的產(chǎn)產(chǎn)品,另外,其俄羅斯子公司Crocus Nano MLU也正計劃使用90/65/45以及更小的幾何尺寸。