隨著內(nèi)存容量的不斷增大，單條內(nèi)存上如何集成更多的顆粒成了問題，在容量要求更高的服務器和數(shù)據(jù)中心領域這一問題愈發(fā)嚴重。在日前舉行的高質(zhì)量電子設計國際研討會(ISQED)上，Invensas半導體提出了一種名為xFD的新型內(nèi)存封裝技術試圖解決這個問題。
xFD全稱為multi Face Down，是一種新的多芯片封裝技術，Invensas副總兼CTO Richard Crisp在會上宣布，xFD具有體積小、性能高、成本低等優(yōu)勢。
▲xFD封裝的芯片
xFD封裝的芯片占地面積只有傳統(tǒng)封裝的一半，因此xFD的厚度減少了30%。此外，由于采用了超短的獨立連接，多芯片封裝的性能與單芯片相當，性能有保證，而xFD封裝所用的材料成本更低，對工廠來世也可以節(jié)約開支。
xFD只是個統(tǒng)稱，典型的產(chǎn)品配置主要有以下兩種：
▲xFD技術
DFD™：Dual Face Down，單個封裝內(nèi)有兩顆芯片，可以是x4、x8或者x16配置，其中x4及x8配的體積為11.5x11.5mm，104 BGA封裝，x16配置的體積為11.5x14mm，136 BGA封裝。
QFD™：Quad Face Down，每個封裝內(nèi)有四顆芯片，x8或者x16配置，容量更高，體積增大為16.2x16.2mm，256 BGA封裝。
Invensas表示已經(jīng)和內(nèi)存廠商達成交易準備將xFD用在主流市場上，不過他們也沒有說明具體什么時候和那些廠商會推出xFD內(nèi)存，目前只知道去年10月份Nanium和他們達成了交易。不過這項技術主要應用在對容量要求較高的服務器市場，民用DDR3內(nèi)存的主流是單條2GB以及4GB，單條8GB還稀少的很，估計很長一段時間內(nèi)都用不到xFD封裝。
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