與購買新的曝光裝置相比,將顧客現有的裝置按照用途升級后,“可以將顧客的成本負擔降至幾分之一”(Nikon Tec董事社長石井勇樹)。
比如,通過升級Si-LSI制造中采用的i線曝光裝置,可以將其用于制造化合物半導體類功率元器件等。在采用化合物半導體的功率元器件制造中,必須要有透過晶圓檢測定位標記的紅外線定位系統(tǒng)等,因此將追加這類功能。
對于前景看好基于TSV(硅通孔)的三維LSI,將采取降低投影鏡的開口數(NA)以改善焦點深度(DOF:Depth Of Focus)等改造措施。此外,還將提供自動對焦功能的改善、處理能力的提高、MEMS背面定位功能的追加等升級。
作為升級對象的曝光裝置是向亞洲(日本、臺灣、中國大陸、韓國、新加坡)客戶提供的合計約2640臺尼康生產的i線曝光裝置(約1990臺)和KrF曝光裝置(約650臺)。主要是200mm晶圓裝置,還包括部分150mm裝置和300mm裝置。另外,對于KrF曝光裝置,將更換有污垢的鏡頭或者進行改進等。(記者:木村 雅秀,日經BP半導體調查)