臺(tái)積電瘋了：今年試產(chǎn)16nm 明年進(jìn)軍10nm

昨天三星和GlobalFoundries達(dá)成協(xié)議授權(quán)后者使用三星的14nm FinFET工藝，預(yù)計(jì)今年底開始投產(chǎn)。準(zhǔn)備進(jìn)入FinFET工藝的還有代工業(yè)老大臺(tái)積電，而且速度前所未有的塊。

臺(tái)積電公告稱他們目前已經(jīng)在試產(chǎn)16nm FinFET工藝，商業(yè)化量產(chǎn)預(yù)計(jì)在2015年早些時(shí)候。與此同時(shí)，臺(tái)積電還開發(fā)出了改進(jìn)型的16nm FinFET+工藝，預(yù)計(jì)在2015年晚些時(shí)候量產(chǎn)。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)大多數(shù)客戶會(huì)從16nm FinFET工藝升級(jí)到16nm FinFET+工藝，因?yàn)楹笳叩膬?yōu)勢(shì)更大。 與16nm FinFET相比，16nm FinFET+工藝在同樣的功耗下性能提高了15%，在同樣的頻率下功耗則降低了30%，相比20nm工藝則會(huì)有40%的速度優(yōu)勢(shì)。

此外，16nm FinFET+與16nm FinFET的設(shè)計(jì)規(guī)則是一樣的，大部分要求都是互相兼容的，16nm FinFET的芯片設(shè)計(jì)只需要非常小的改動(dòng)（如果需要的話）就能用到到16nm FinFET+工藝上，客戶遷移到新工藝的成本及花費(fèi)的時(shí)間都會(huì)很低。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)16nm FinFET+工藝在今年9月份就會(huì)完全合格，他們還表示95%的晶圓廠都可以使用16nm FinFET+工藝，而目前正在生產(chǎn)以及準(zhǔn)備生產(chǎn)20nm工藝的95%晶圓廠都可以上馬16nm FinFET工藝，因此臺(tái)積電預(yù)計(jì)未來轉(zhuǎn)移到16nm FinFET及16nm FinFET+工藝的時(shí)間會(huì)很快。 首批16nm FinFET+工藝芯片流片會(huì)在2014年完成，其余45個(gè)芯片流片預(yù)計(jì)在2015年完成，此前臺(tái)積電公布的今年16nm FinFET工藝芯片流片數(shù)量是16個(gè)。

臺(tái)積電工藝大躍進(jìn)：研發(fā)10nm已經(jīng)推上日程 除了16nm FinFET及16nm FinFET+工藝之外，臺(tái)積電還規(guī)劃了下下代的制程工藝——10nm FinFET，這是該公司第三代FinFET工藝，在提高性能及降低功耗上有進(jìn)一步的改進(jìn)。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)，與16nm FinFET+相比，同樣的功耗下10nm FinFET的頻率提升25%，而同樣的性能下功耗降低45%，晶體管密度則是16nm FinFET+工藝的2.2倍。 目前10nm FinFET工藝還在開發(fā)中，2015年Q4季度會(huì)進(jìn)行試產(chǎn)。

如果進(jìn)展一切順利，那么NVIDIA、AMD以及高通公司將在2015年開始使用16nm工藝，2016-2017年間使用10nm工藝。