14nmFinFET制程技術(shù)助ARM提高處理器效能
摘要: 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財(cái)報(bào),營收同樣繼續(xù)維持成長,主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。
關(guān)鍵字: 處理器,三星,半導(dǎo)體
自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺(tái)積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說,去年年底宣布成功試產(chǎn)(TapeOut)14nmFinFET制程技術(shù)的三星,將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵,但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。
日前ARM已正式對外公布2013年Q1財(cái)報(bào),營收同樣繼續(xù)維持成長,主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都是ARM的強(qiáng)打特色,不過,隨著效能的不斷提升,功耗問題就更明顯,反觀Intel這一兩年開始對低功耗市場投以關(guān)愛眼神,再加上在制程技術(shù)方面Intel明顯優(yōu)于其他大廠,未來能夠推出高效能兼具低功耗的處理器也不無可能。
ARM表示,目前所合作的夥伴是透過DVFS(動(dòng)態(tài)電壓與頻率調(diào)節(jié))技術(shù)來設(shè)計(jì)SoC,除了能夠提升性能亦可降低負(fù)載,并且受惠于14nmFinFET制程技術(shù)更低的工作電壓,以及擴(kuò)大在低檔和過載條件下的電壓范圍,讓ARM的Big.Little架構(gòu)能夠在中低程度的工作負(fù)載下,得以提高高階產(chǎn)品的效能,同時(shí)更具效率。
不過隨著半導(dǎo)體技術(shù)所面對的困難及復(fù)雜程度日益距增,就連是身為半導(dǎo)體龍頭的Inte同樣在半導(dǎo)體路上舉步維艱。反觀對于正在期待14nmFinFET制程技術(shù)有所突破的ARM而言,不僅要面對希望產(chǎn)品盡快上市的壓力,更希望處理器能夠更加進(jìn)步,畢竟想要跟Intel在行動(dòng)裝置與伺服器市場比拼,就必須盡快提升自家與合作夥伴的技術(shù)進(jìn)度。