• 晶體管電路配置和 Spice仿真

    晶體管可能有多種狀態(tài)，通常是飽和、截止、有效和反向。晶體管具有由直流偏置定義的工作點(diǎn)或靜態(tài)點(diǎn)。只要工作點(diǎn)落在特定的工作區(qū)域內(nèi)，晶體管就會(huì)按照該特定狀態(tài)中定義的方式執(zhí)行。但如果工作點(diǎn)跨入另一個(gè)區(qū)域，晶體管的操作就會(huì)發(fā)生變化。

  • 將模塊化 EMI 交流線路濾波器與應(yīng)用的直流電源需求相匹配

    對(duì)于交流電源供電的設(shè)備，通常的做法是使用集成到連接器或作為底盤(pán)安裝部件安裝的模塊化交流線路濾波器，特別是在工業(yè)、醫(yī)療保健和 ITE 等專(zhuān)業(yè)環(huán)境中。該設(shè)備通常包括嵌入式交流-直流轉(zhuǎn)換器或電源，也可能安裝在底盤(pán)上，有時(shí)也可能安裝在機(jī)架或 PCB 上。在每種情況下，電源作為獨(dú)立部件始終會(huì)滿(mǎn)足輻射的法定要求，通常是針對(duì)傳導(dǎo)和輻射干擾的 EN55011/EN55032。但額外的過(guò)濾可能仍然是必要的。

  • 減輕 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)過(guò)沖

    由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高，并且在高功率應(yīng)用中具有卓越的性能，因此目前正在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間，從而顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)源于 SiC 器件獨(dú)特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結(jié)構(gòu)固有的快速反向恢復(fù)，這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)。在快速反向恢復(fù)事件期間，設(shè)備可能會(huì)經(jīng)歷較大的電壓尖峰，從而給設(shè)備和整個(gè)系統(tǒng)帶來(lái)風(fēng)險(xiǎn)。其他設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障，例如假柵極事件或寄生導(dǎo)通 。幸運(yùn)的是，您可以減輕這些影響，從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。

  • 光仿真器如何提高隔離式 DCDC 轉(zhuǎn)換器的可靠性和瞬態(tài)響應(yīng)

    在高壓電源設(shè)計(jì)中，出于安全考慮，需要將高壓輸入與低壓輸出隔離。設(shè)計(jì)人員通常在變壓器中使用磁隔離來(lái)進(jìn)行功率傳輸，而光耦合器則為信號(hào)反饋提供光隔離。

    電源
    2024-11-17
    DCDC 光仿真器

  • 高功率PCB設(shè)計(jì)

    盡管PCB 設(shè)計(jì)過(guò)程令人著迷且具有挑戰(zhàn)性，但采取一切必要的預(yù)防措施以確保電路正常運(yùn)行非常重要，尤其是在處理高功率 PCB 時(shí)。隨著電子設(shè)備的尺寸不斷縮小，必須充分考慮電源和熱管理等設(shè)計(jì)方面。本文將介紹一些設(shè)計(jì)人員可以遵循的指南來(lái)設(shè)計(jì)適合支持高功率應(yīng)用的 PCB。

    電源
    2024-11-17
    PCB 高功率 電源

  • 高頻開(kāi)關(guān)和動(dòng)態(tài)電壓控制(DVC)的無(wú)條件穩(wěn)定性設(shè)計(jì)

    我們正處于一個(gè)被無(wú)處不在的數(shù)據(jù)及高耗電應(yīng)用所驅(qū)動(dòng)的信息計(jì)算世界中，使得電源管理成為了不同系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)和軟件所面臨多方面挑戰(zhàn)中的不可忽視的一環(huán)。

  • 使用交錯(cuò)接地層改善隔離電源的噪聲過(guò)濾

    從歷史上看，汽車(chē)電子設(shè)備一直由用于啟動(dòng)車(chē)輛的 12V 鉛酸電池供電。即使在發(fā)電機(jī)運(yùn)行且電池電纜斷開(kāi)時(shí)可能出現(xiàn)高達(dá) 42 V 的浪涌，電壓仍保持在低于 60 V DC 的安全超低電壓 (SELV) 范圍內(nèi)。因此，無(wú)需擔(dān)心 PCB 導(dǎo)電跡線的間距，以避免汽車(chē)電路中的電擊危險(xiǎn)。

  • 如何表征電源變壓器的 EMI 性能

    電源變壓器通常是隔離開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中共模噪聲的主要來(lái)源。為什么?因?yàn)樵谧儔浩鲀?nèi)部，隔離柵初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的繞組非常接近(通常間隔小于 1 毫米)，導(dǎo)致相鄰繞組之間存在顯著的寄生電容。

  • 強(qiáng)力“反擊”：反激電源EMI抑制方法深度剖析

    在現(xiàn)代電子設(shè)備中，反激電源因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉和易于設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。然而，反激電源在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的電磁干擾(EMI)，這不僅會(huì)影響設(shè)備自身的性能，還可能對(duì)周?chē)碾娮釉O(shè)備造成干擾，甚至破壞。因此，如何有效抑制反激電源的EMI，成為了電子工程師們亟待解決的重要課題。

  • 優(yōu)化有源鉗位反激式設(shè)計(jì)的效率

    隨著電子設(shè)備對(duì)在更小的封裝中進(jìn)行更多處理的需求不斷增長(zhǎng)，當(dāng)今任何電源的首要任務(wù)都是功率密度。最流行的隔離式電源拓?fù)涫欠醇な剑珎鹘y(tǒng)反激式的漏電和開(kāi)關(guān)損耗限制了開(kāi)關(guān)頻率并阻礙了實(shí)現(xiàn)小解決方案尺寸的能力。幸運(yùn)的是，有新的方法可以?xún)?yōu)化反激式拓?fù)?，以產(chǎn)生更高的效率，即使以更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)也是如此。

  • 應(yīng)用于安全熱插拔的DCDC 轉(zhuǎn)換器

    在電源轉(zhuǎn)換器中，輸入電容器通過(guò)感應(yīng)電纜饋送到電源。首次插入系統(tǒng)時(shí)，寄生電感會(huì)導(dǎo)致輸入電壓的振鈴幾乎達(dá)到其直流值的兩倍(也稱(chēng)為熱插拔)。電源轉(zhuǎn)換器輸入阻尼不足和缺乏浪涌控制可能會(huì)損壞轉(zhuǎn)換器。

  • 如何可靠穩(wěn)定地控制機(jī)上電源直接給儲(chǔ)能充電(超級(jí)電容)

    在現(xiàn)代電子與電力系統(tǒng)中，超級(jí)電容作為一種高性能的儲(chǔ)能元件，因其高功率密度、長(zhǎng)循環(huán)壽命和快速充放電能力而備受青睞。特別是在需要快速響應(yīng)和高能量脈沖的應(yīng)用中，如航空電子設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)輔助系統(tǒng)以及瞬時(shí)功率補(bǔ)償?shù)阮I(lǐng)域，超級(jí)電容的作用尤為突出。然而，如何可靠穩(wěn)定地控制機(jī)上電源直接給超級(jí)電容充電，是一個(gè)需要細(xì)致考量的問(wèn)題。

  • 電源的降壓(Buck)與升壓(Boost)模式：原理、應(yīng)用與優(yōu)化設(shè)計(jì)

    在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，電源管理是關(guān)鍵的一環(huán)，它直接關(guān)系到系統(tǒng)的性能、穩(wěn)定性和效率。其中，降壓(Buck)與升壓(Boost)模式是電源管理中的兩種基本轉(zhuǎn)換模式，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。

  • 降低工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中陶瓷電容器的電源要求

    隨著現(xiàn)代工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的快速發(fā)展，對(duì)電源管理的要求日益嚴(yán)格。陶瓷電容器，尤其是多層陶瓷電容器(MLCC)，在電源管理中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，隨著汽車(chē)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和電信行業(yè)對(duì)電源需求的不斷增加，陶瓷電容器的價(jià)格在過(guò)去幾年中急劇上漲。

  • 正負(fù)電源基礎(chǔ)知識(shí)與雙向可控硅觸發(fā)要求

    在電子工程中，正負(fù)電源是基礎(chǔ)且關(guān)鍵的概念，它們?cè)谠S多電子設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。同時(shí)，雙向可控硅(Triac)作為一種常用的電力電子器件，其觸發(fā)條件與電源的設(shè)計(jì)密切相關(guān)。

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