• 電源中電磁(EMI)抗干擾電路工作原理解析

    在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電源是至關(guān)重要的組成部分，然而電源在工作過(guò)程中會(huì)受到來(lái)自內(nèi)部和外部的各種電磁干擾(EMI)，這些干擾可能會(huì)導(dǎo)致電源輸出不穩(wěn)定、設(shè)備性能下降甚至故障。為了解決這一問(wèn)題，電源中設(shè)計(jì)了專(zhuān)門(mén)的電磁抗干擾電路，其通過(guò)多種方式協(xié)同工作，有效地抑制電磁干擾，確保電源及整個(gè)電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

  • 預(yù)測(cè)信號(hào)流向的方法主要包括那些？

    通過(guò)對(duì)信號(hào)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，如計(jì)算信號(hào)的均值、標(biāo)準(zhǔn)差、平均絕對(duì)偏差等指標(biāo)，并觀察其變化趨勢(shì)。如果均值逐漸增加或減少，標(biāo)準(zhǔn)差或平均絕對(duì)偏差逐漸減少，可以判斷信號(hào)存在趨勢(shì)項(xiàng)?1。

    電源
    2025-01-06
    原理圖 CAD

  • 高壓大電流直充與快充協(xié)議充電的區(qū)別剖析

    在當(dāng)今電子設(shè)備快速發(fā)展的時(shí)代，充電技術(shù)成為了人們關(guān)注的焦點(diǎn)。高壓大電流直充和快充協(xié)議充電是兩種常見(jiàn)的充電方式，它們?cè)诔潆娫?、設(shè)備要求、充電速度、安全性以及對(duì)電池壽命的影響等方面存在著顯著的區(qū)別。

  • 鋰電池保護(hù)芯片的過(guò)流電流與短路電流：特性、差異與重要性

    在現(xiàn)代電子設(shè)備中，鋰電池作為一種高效、便攜的能源存儲(chǔ)解決方案得到了廣泛應(yīng)用。然而，鋰電池在使用過(guò)程中面臨著諸多潛在風(fēng)險(xiǎn)，如過(guò)流和短路情況，這可能導(dǎo)致電池過(guò)熱、損壞甚至引發(fā)安全事故。鋰電池保護(hù)芯片應(yīng)運(yùn)而生，其對(duì)于過(guò)流電流和短路電流的監(jiān)測(cè)與控制能力成為保障鋰電池安全穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵因素。

  • 反激式開(kāi)關(guān)電源次級(jí)整流二極管過(guò)熱問(wèn)題解析與解決策略

    本文深入探討了反激式開(kāi)關(guān)電源中次級(jí)整流二極管過(guò)熱的問(wèn)題。首先介紹了反激式開(kāi)關(guān)電源的工作原理以及次級(jí)整流二極管在其中的作用，詳細(xì)分析了導(dǎo)致二極管過(guò)熱的多種因素，包括二極管選型不當(dāng)、電流過(guò)大、散熱不良、反向恢復(fù)特性不佳以及電路設(shè)計(jì)不合理等。針對(duì)這些問(wèn)題，提出了相應(yīng)的解決措施，如合理選型、優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、加強(qiáng)散熱管理等，并結(jié)合實(shí)際案例進(jìn)行了說(shuō)明，旨在為電子工程師解決這一常見(jiàn)問(wèn)題提供全面的理論與實(shí)踐指導(dǎo)。

  • 開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)輸出電感嘯叫問(wèn)題剖析與解決方案

    本文深入探討了開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)輸出電感嘯叫問(wèn)題。首先介紹了開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理以及電感在其中的作用，詳細(xì)分析了導(dǎo)致電感嘯叫的多種因素，包括電感飽和、電流紋波、開(kāi)關(guān)頻率及其諧波、機(jī)械共振等，并結(jié)合理論與實(shí)際應(yīng)用，提出了一系列有效的解決措施，旨在為電子工程師解決這一常見(jiàn)問(wèn)題提供全面的指導(dǎo)和參考。

  • 拓?fù)?LCC 與 LLC 的主要區(qū)別及高壓應(yīng)用分析

    在電力電子領(lǐng)域，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選擇對(duì)于電源系統(tǒng)的性能和效率至關(guān)重要。LCC(電感電容耦合諧振變換器)和 LLC(電感電容電感諧振變換器)是兩種常見(jiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，它們?cè)谠S多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。隨著高壓應(yīng)用需求的不斷增長(zhǎng)，深入了解這兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和區(qū)別，對(duì)于選擇合適的拓?fù)湟詫?shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的高壓電源系統(tǒng)具有重要意義。

  • 單相逆變器最高效率的調(diào)制方法分析

    隨著可再生能源和電力電子技術(shù)的發(fā)展，單相逆變器在光伏發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用中發(fā)揮著不可或缺的作用。逆變器的主要功能是將直流電源(如光伏電池板)轉(zhuǎn)換為交流電源，以便供給家庭或電網(wǎng)使用。在這個(gè)過(guò)程中，調(diào)制方法的選擇對(duì)逆變器的效率具有顯著影響。本文將深入探討單相逆變器的調(diào)制方法，并重點(diǎn)分析何種調(diào)制方法可以達(dá)到最高效率。

  • PD 快充中 VBUS MOS 管的作用

    隨著移動(dòng)設(shè)備的普及和快速發(fā)展，對(duì)充電速度的要求越來(lái)越高?？斐浼夹g(shù)不斷演進(jìn)，其中 PD(功率傳輸協(xié)議)快充成為主流。在 PD 快充系統(tǒng)中，VBUS(電壓總線) MOS 管起著關(guān)鍵作用。它不僅影響著充電的效率和安全性，還對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能有著重要影響。

  • 變壓器降壓再整流后電解電容值的選擇

    在電子電路中，變壓器降壓后整流是常見(jiàn)的電源處理方式。電解電容在其中起著關(guān)鍵作用，其值的選擇直接影響到電源的穩(wěn)定性、紋波大小以及電路的性能。合理選擇電解電容值對(duì)于確保電路正常運(yùn)行至關(guān)重要。

  • 推挽升壓電路 MOS 管發(fā)熱嚴(yán)重的原因分析

    推挽升壓電路在各種電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用，它能夠?qū)⑤斎氲闹绷麟妷恨D(zhuǎn)換為較高的直流電壓。然而，在實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中，MOS 管發(fā)熱嚴(yán)重的問(wèn)題常常困擾著工程師們。這不僅影響電路的性能和穩(wěn)定性，還可能導(dǎo)致設(shè)備故障。因此，深入分析 MOS 管發(fā)熱的原因具有重要意義。

  • 電磁兼容性的重視對(duì)未來(lái)的電子設(shè)備更趨于智能化和高效化

    傳導(dǎo)輻射干擾(Conducted Emission Interference)是現(xiàn)代電子設(shè)備在工作過(guò)程中普遍面臨的一種干擾現(xiàn)象。它是指電磁噪聲通過(guò)電源線或信號(hào)線等導(dǎo)體傳播，從而影響其他設(shè)備的性能和穩(wěn)定性。隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，尤其是無(wú)線通信、自動(dòng)化控制和智能家居等領(lǐng)域，如何有效降低傳導(dǎo)輻射干擾，成為了設(shè)計(jì)工程師和技術(shù)人員需要面對(duì)的重要挑戰(zhàn)。本文將介紹一些實(shí)用的小技巧，以幫助有效降低傳導(dǎo)輻射干擾。

  • 雙極結(jié)型晶體管展現(xiàn)實(shí)力

    在 CMOS 和寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行，但這些不起眼的設(shè)備仍然在各種類(lèi)型的電子設(shè)備中大量高效可靠地運(yùn)行。事實(shí)上，在某些應(yīng)用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類(lèi)產(chǎn)品。 BJT 技術(shù)的最新改進(jìn)將使它們成為半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。

  • 反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

    反激式轉(zhuǎn)換器具有眾多優(yōu)點(diǎn)，包括成本最低的隔離式電源轉(zhuǎn)換器、輕松提供多個(gè)輸出電壓、簡(jiǎn)單的初級(jí)側(cè)控制器以及高達(dá) 300W 的功率傳輸。反激式轉(zhuǎn)換器用于許多離線應(yīng)用，從電視到手機(jī)充電器以及電信和工業(yè)應(yīng)用。它們的基本操作可能看起來(lái)令人生畏，而且設(shè)計(jì)選擇很多，特別是對(duì)于那些以前沒(méi)有設(shè)計(jì)過(guò)的人來(lái)說(shuō)。讓我們看看 53 VDC 至 12V、5A 連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 反激式的一些關(guān)鍵設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。

  • 使用雙向 GaN 開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換

    英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術(shù)，代表了電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)非凡創(chuàng)新，特別是在實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換方面。這些 BDS 有助于開(kāi)發(fā)具有更少組件、更低成本和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)兩級(jí)方法相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。

    電源
    2024-12-22
    GaN CoolGaN HEMT
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