• 電源中電磁(EMI)抗干擾電路工作原理解析

    在現代電子設備中，電源是至關重要的組成部分，然而電源在工作過程中會受到來自內部和外部的各種電磁干擾(EMI)，這些干擾可能會導致電源輸出不穩(wěn)定、設備性能下降甚至故障。為了解決這一問題，電源中設計了專門的電磁抗干擾電路，其通過多種方式協同工作，有效地抑制電磁干擾，確保電源及整個電子設備的穩(wěn)定運行。

  • 預測信號流向的方法主要包括那些？

    通過對信號進行統計分析，如計算信號的均值、標準差、平均絕對偏差等指標，并觀察其變化趨勢。如果均值逐漸增加或減少，標準差或平均絕對偏差逐漸減少，可以判斷信號存在趨勢項?1。

    電源
    2025-01-06
    原理圖 CAD

  • 高壓大電流直充與快充協議充電的區(qū)別剖析

    在當今電子設備快速發(fā)展的時代，充電技術成為了人們關注的焦點。高壓大電流直充和快充協議充電是兩種常見的充電方式，它們在充電原理、設備要求、充電速度、安全性以及對電池壽命的影響等方面存在著顯著的區(qū)別。

  • 鋰電池保護芯片的過流電流與短路電流：特性、差異與重要性

    在現代電子設備中，鋰電池作為一種高效、便攜的能源存儲解決方案得到了廣泛應用。然而，鋰電池在使用過程中面臨著諸多潛在風險，如過流和短路情況，這可能導致電池過熱、損壞甚至引發(fā)安全事故。鋰電池保護芯片應運而生，其對于過流電流和短路電流的監(jiān)測與控制能力成為保障鋰電池安全穩(wěn)定運行的關鍵因素。

  • 反激式開關電源次級整流二極管過熱問題解析與解決策略

    本文深入探討了反激式開關電源中次級整流二極管過熱的問題。首先介紹了反激式開關電源的工作原理以及次級整流二極管在其中的作用，詳細分析了導致二極管過熱的多種因素，包括二極管選型不當、電流過大、散熱不良、反向恢復特性不佳以及電路設計不合理等。針對這些問題，提出了相應的解決措施，如合理選型、優(yōu)化電路設計、加強散熱管理等，并結合實際案例進行了說明，旨在為電子工程師解決這一常見問題提供全面的理論與實踐指導。

  • 開關電源并聯輸出電感嘯叫問題剖析與解決方案

    本文深入探討了開關電源并聯輸出電感嘯叫問題。首先介紹了開關電源的基本工作原理以及電感在其中的作用，詳細分析了導致電感嘯叫的多種因素，包括電感飽和、電流紋波、開關頻率及其諧波、機械共振等，并結合理論與實際應用，提出了一系列有效的解決措施，旨在為電子工程師解決這一常見問題提供全面的指導和參考。

  • 拓撲 LCC 與 LLC 的主要區(qū)別及高壓應用分析

    在電力電子領域，拓撲結構的選擇對于電源系統的性能和效率至關重要。LCC(電感電容耦合諧振變換器)和 LLC(電感電容電感諧振變換器)是兩種常見的拓撲結構，它們在許多應用場景中展現出獨特的優(yōu)勢。隨著高壓應用需求的不斷增長，深入了解這兩種拓撲結構的特點和區(qū)別，對于選擇合適的拓撲以實現高效、穩(wěn)定的高壓電源系統具有重要意義。

    電源
    2024-12-30
    拓撲 LCC LLC

  • 單相逆變器最高效率的調制方法分析

    隨著可再生能源和電力電子技術的發(fā)展，單相逆變器在光伏發(fā)電、風能發(fā)電、儲能系統等應用中發(fā)揮著不可或缺的作用。逆變器的主要功能是將直流電源(如光伏電池板)轉換為交流電源，以便供給家庭或電網使用。在這個過程中，調制方法的選擇對逆變器的效率具有顯著影響。本文將深入探討單相逆變器的調制方法，并重點分析何種調制方法可以達到最高效率。

  • PD 快充中 VBUS MOS 管的作用

    隨著移動設備的普及和快速發(fā)展，對充電速度的要求越來越高。快充技術不斷演進，其中 PD(功率傳輸協議)快充成為主流。在 PD 快充系統中，VBUS(電壓總線) MOS 管起著關鍵作用。它不僅影響著充電的效率和安全性，還對整個系統的性能有著重要影響。

  • 變壓器降壓再整流后電解電容值的選擇

    在電子電路中，變壓器降壓后整流是常見的電源處理方式。電解電容在其中起著關鍵作用，其值的選擇直接影響到電源的穩(wěn)定性、紋波大小以及電路的性能。合理選擇電解電容值對于確保電路正常運行至關重要。

  • 推挽升壓電路 MOS 管發(fā)熱嚴重的原因分析

    推挽升壓電路在各種電子設備中廣泛應用，它能夠將輸入的直流電壓轉換為較高的直流電壓。然而，在實際運行過程中，MOS 管發(fā)熱嚴重的問題常常困擾著工程師們。這不僅影響電路的性能和穩(wěn)定性，還可能導致設備故障。因此，深入分析 MOS 管發(fā)熱的原因具有重要意義。

  • 電磁兼容性的重視對未來的電子設備更趨于智能化和高效化

    傳導輻射干擾(Conducted Emission Interference)是現代電子設備在工作過程中普遍面臨的一種干擾現象。它是指電磁噪聲通過電源線或信號線等導體傳播，從而影響其他設備的性能和穩(wěn)定性。隨著電子設備的廣泛應用，尤其是無線通信、自動化控制和智能家居等領域，如何有效降低傳導輻射干擾，成為了設計工程師和技術人員需要面對的重要挑戰(zhàn)。本文將介紹一些實用的小技巧，以幫助有效降低傳導輻射干擾。

  • 雙極結型晶體管展現實力

    在 CMOS 和寬帶隙半導體技術的進步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個晶體管是雙極結型晶體管 (BJT)。盡管它們已經不再流行，但這些不起眼的設備仍然在各種類型的電子設備中大量高效可靠地運行。事實上，在某些應用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產品。 BJT 技術的最新改進將使它們成為半導體技術領域的重要組成部分。

  • 反激式轉換器設計注意事項

    反激式轉換器具有眾多優(yōu)點，包括成本最低的隔離式電源轉換器、輕松提供多個輸出電壓、簡單的初級側控制器以及高達 300W 的功率傳輸。反激式轉換器用于許多離線應用，從電視到手機充電器以及電信和工業(yè)應用。它們的基本操作可能看起來令人生畏，而且設計選擇很多，特別是對于那些以前沒有設計過的人來說。讓我們看看 53 VDC 至 12V、5A 連續(xù)導通模式 (CCM) 反激式的一些關鍵設計注意事項。

  • 使用雙向 GaN 開關實現單級功率轉換

    英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術，代表了電力電子領域的一項非凡創(chuàng)新，特別是在實現單級功率轉換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設計的轉換器，與傳統兩級方法相比具有顯著優(yōu)勢。

    電源
    2024-12-22
    GaN CoolGaN HEMT
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