• 提高 xEV 牽引逆變器系統(tǒng)的安全性

    電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)監(jiān)控柵極電壓閾值來(lái)提高牽引逆變器系統(tǒng)的安全性和可靠性。 當(dāng)消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)汽車(chē)時(shí)，他們認(rèn)為設(shè)計(jì)工程師盡職盡責(zé)地創(chuàng)造了一款安全的產(chǎn)品。為了達(dá)到必要的安全水平，特別是在國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織 (ISO) 26262 標(biāo)準(zhǔn)方面，車(chē)輛內(nèi)的子系統(tǒng)(例如牽引逆變器)必須包括內(nèi)部診斷和保護(hù)功能，以幫助檢測(cè)潛在的故障模式。

  • TI的最新反激式控制器器件LM51561、LM34966-Q1、LM51561H-Q1

    LM51561具有擴(kuò)頻功能的 2.2MHz 寬輸入非同步升壓、SEPIC、反激式控制器 LM5156x(LM5156 和 LM51561)器件是一款寬輸入范圍的非同步升壓控制器，采用峰值電流模式控制。該器件可用于升壓、SEPIC 和反激式拓?fù)洹?/p>

  • TI鋰電池充電管理IC介紹，BQ25170和BQ25170-Q1

    BQ25170 是一款集成式 800mA 線性充電器，適用于針對(duì)空間有限的便攜式應(yīng)用的 1 節(jié)鋰離子、鋰聚合物和 LiFePO 4電池。該設(shè)備具有為電池充電的單個(gè)電源輸出。系統(tǒng)負(fù)載可以與電池并聯(lián)，只要平均系統(tǒng)負(fù)載不會(huì)阻止電池在安全定時(shí)器持續(xù)時(shí)間內(nèi)完全充電。當(dāng)系統(tǒng)負(fù)載與電池并聯(lián)時(shí)，充電電流在系統(tǒng)和電池之間共享。

  • 專業(yè)的工業(yè)ACDC小體積電源設(shè)計(jì)介紹

    Powerbox 推出了用于工業(yè)應(yīng)用的1,200 W AC/DC 電源。OFI1200A 針對(duì)傳導(dǎo)冷卻進(jìn)行了 優(yōu)化，無(wú)需使用風(fēng)扇即可在 –40°C 至 95°C 的基板溫度范圍內(nèi)提供高性能。該電源可在 85 至 305 VAC 的寬通用輸入范圍內(nèi)工作，并具有功率因數(shù)校正 (PFC)。

  • 最新幾款小體積醫(yī)療行業(yè)使用的ACDC電源介紹

    用于醫(yī)療和工業(yè)市場(chǎng)的 AC/DC 電源變得越來(lái)越小，并實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。 無(wú)論 AC/DC 電源是開(kāi)放式還是封閉式，甚至是桌面適配器，用于醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用的最新電源設(shè)備都有一些共同點(diǎn)：它們提供更小的解決方案尺寸并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，同時(shí)提供更高的效率。

  • 適用于小尺寸面板的 ESD 和 EOS 解決方案

    小尺寸面板主要包括手機(jī)觸摸屏、平板觸摸屏、數(shù)碼相機(jī)觸摸屏。這些面板和主板之間最常見(jiàn)的數(shù)據(jù)連接接口是MIPI(移動(dòng)工業(yè)處理器接口)。通過(guò)加入 TVS 保護(hù)方案，提高 ESD 和 EOS 耐受水平，可以大大降低電子產(chǎn)品在日常生活中受到干擾甚至破壞的機(jī)會(huì)，從而延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命，降低返修率，允許消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品的信任度更高，品牌美譽(yù)度也隨之提高。

    功率器件
    2022-12-08
    ESD EOS

  • 建立SiC VJFET 的動(dòng)態(tài)電路模型

    在與電子儀器相關(guān)的行業(yè)中，與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，寬帶隙半導(dǎo)體的創(chuàng)新已被證明是有利可圖和有效的。碳化硅 (SiC)寬帶隙半導(dǎo)體是最先進(jìn)的半導(dǎo)體之一，具有顯著的相關(guān)性。這些半導(dǎo)體在各種參數(shù)(如高溫、頻率、電壓等)方面表現(xiàn)相當(dāng)出色。

  • 用于毫米波 (mmW) GaN HEMT 器件的基于 TCAD 的協(xié)同設(shè)計(jì)方法

    毫米波技術(shù)領(lǐng)域的不斷進(jìn)步因其波長(zhǎng)減小和頻帶寬而對(duì)無(wú)線通信系統(tǒng)做出了貢獻(xiàn)。這使制造商能夠設(shè)計(jì)更小但性能更高的組件。氮化鎵已證明自己在該領(lǐng)域是一種很有前途的半導(dǎo)體，其目標(biāo)應(yīng)用包括高功率放大器、寬帶放大器和5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。

  • 什么是半導(dǎo)體？半導(dǎo)體材料具有與絕緣體和導(dǎo)體相同的導(dǎo)電特性

    半導(dǎo)體材料具有與絕緣體和導(dǎo)體相同的導(dǎo)電特性。它們可以由純?cè)?如硅或鍺)組成，也可以由兩種元素(如砷化鎵或硒化鎘)混合而成。半導(dǎo)體材料可以通過(guò)在純半導(dǎo)體中添加雜質(zhì)來(lái)?yè)诫s，從而改變它們的導(dǎo)電性能。

  • 老化測(cè)試有助于面對(duì) SiC MOSFET 的不穩(wěn)定性

    在本文中，我們將重點(diǎn)介紹老化測(cè)試如何幫助評(píng)估碳化硅 MOSFET 在晶圓級(jí)的柵極閾值電壓的穩(wěn)定性。眾所周知，關(guān)于 SiC 功率器件可靠性的一個(gè)主要問(wèn)題是器件工作期間閾值電壓 (V TH ) 的變化。

  • Infineon具有高度集成控制器的車(chē)內(nèi)無(wú)線充電解決方案

    無(wú)線充電技術(shù)的范圍從感應(yīng)、磁共振和電容到射頻輻射、激光、聲學(xué)和其他新興技術(shù)。電感耦合技術(shù)是領(lǐng)跑者1;因此，其相關(guān)的Qi 標(biāo)準(zhǔn)在無(wú)線充電中最為流行。 感應(yīng)充電根據(jù)法拉第定律工作，其中功率發(fā)射器 (PTx) 線圈中的交流電會(huì)產(chǎn)生交變磁場(chǎng)。然后，該磁場(chǎng)與功率接收器 (PRx) 線圈相互耦合，并轉(zhuǎn)換回交流電流，為連接在接收器側(cè)的直流負(fù)載進(jìn)行整流。

  • Power Integrations (PI)在線電源的平面變壓器設(shè)計(jì)

    電力電子轉(zhuǎn)換器在電氣化功能的趨勢(shì)中發(fā)揮著更大的作用，因?yàn)樗鼈儾粩嘈枰愿阋说某杀?、更小的體積和更高的可靠性提供更多的電力。 Power Integrations (PI) 在 PI Expert 中推出了一項(xiàng)新功能，該在線設(shè)計(jì)工具可根據(jù)用戶的規(guī)格自動(dòng)生成優(yōu)化的電源設(shè)計(jì)?，F(xiàn)在可以使用 PI Expert 中的平面磁性構(gòu)建器創(chuàng)建一個(gè)特定于應(yīng)用的平面變壓器設(shè)計(jì)，其中包含印刷電路板 (PCB) 制造商準(zhǔn)備好的文檔和 Gerber 文件。最新版本的PI Expert現(xiàn)已支持 PI 的整個(gè) InnoSwitch3 反激式切換器 IC 系列。

  • 帶有基于 PCB 的變壓器的 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

    本文將介紹一種用于 3.3kV SiC MOSFET的基于變壓器的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。兩個(gè) VHF 調(diào)制諧振反激式轉(zhuǎn)換器，工作頻率為 20 MHz，可生成 PWM 信號(hào)和柵極驅(qū)動(dòng)功率。

  • 驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電源開(kāi)關(guān)的先進(jìn)解決方案

    今天，新的功率開(kāi)關(guān)技術(shù)被廣泛采用在高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率、小外形因素是關(guān)鍵要求的要求應(yīng)用中。這些新的開(kāi)關(guān)設(shè)備產(chǎn)生不同的三個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用是

  • 比較可堆疊 DCDC 降壓轉(zhuǎn)換器和多相控制器的功率密度

    TI 比較了可堆疊 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器和多相控制器的功率密度，著眼于尺寸、散熱、效率和成本。 鑒于能夠有效支持大于 30 A 輸出電流的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)量有限，設(shè)計(jì)工程師主要依靠帶有外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的多相降壓控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)大電流應(yīng)用。

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