• 使用高壓功率器件封裝的設(shè)計(jì)說明

    盡管寬禁帶器件近年來已經(jīng)開始進(jìn)入商業(yè)市場，但其封裝設(shè)計(jì)尚未成熟，尤其是在高溫高壓應(yīng)用方面。在本文中，將介紹為此目的而制造的 5 kV 雙面冷卻 GaN 功率模塊(作為由高級研究計(jì)劃署 - 能源資助的研究的一部分)。

  • 使用智能控制器提高電力電子效率

    電力電子面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)之一是效率，必須最大限度地提高效率，以滿足國際標(biāo)準(zhǔn)的要求并減少電力浪費(fèi)，創(chuàng)造更可持續(xù)的產(chǎn)品。 任何交流供電的應(yīng)用都需要電源，從最簡單的手機(jī)充電器到工業(yè)應(yīng)用中最復(fù)雜、功能最強(qiáng)大的SMPS。在理想的電源中，從交流電源汲取的所有功率都可供負(fù)載使用。實(shí)際上，這只有在電流與電壓同相時(shí)才有可能。如果電流和電壓彼此異相，則電網(wǎng)吸收的部分能量會(huì)丟失。電源的功率因數(shù)校正 (PFC)級正是執(zhí)行此任務(wù)，試圖盡可能接近對應(yīng)于單位功率因數(shù)的理想情況。

  • 具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的介紹

    隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展，對具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中，源極和漏極構(gòu)成硅化物，而不是傳統(tǒng)的雜質(zhì)摻雜硅。SB MOSFET 的一個(gè)顯著特征是一個(gè)特殊的二極管，如在 I d -V ds特性的三極管操作期間指數(shù)電流增加。當(dāng)在邏輯電路中應(yīng)用此類器件時(shí)，小偏置電壓極不可能發(fā)生，就會(huì)發(fā)生這種情況。

  • PowerUP Expo討論電力電子技術(shù)的下一步發(fā)展

    電力電子涉及從電氣化到智能電網(wǎng)的一系列關(guān)鍵應(yīng)用。是整個(gè)行業(yè)應(yīng)對氣候變化需求的根本支柱 2022年的PowerUP博覽會(huì)在6月28日至30日舉行。技術(shù)會(huì)議將包括幾個(gè)特定主題的主題演講、小組討論、技術(shù)演示和關(guān)于主要技術(shù)趨勢、市場需求和新的應(yīng)用領(lǐng)域的教程。除了會(huì)議之外，還將有一個(gè)展廳，擁有來自主要電力電子公司的虛擬展位，以及一個(gè)聊天工具，讓參觀者可以直接與彼此、與主持人以及展覽公司建立聯(lián)系。

  • 提高 xEV 牽引逆變器系統(tǒng)的安全性

    電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)人員可以通過監(jiān)控柵極電壓閾值來提高牽引逆變器系統(tǒng)的安全性和可靠性。 當(dāng)消費(fèi)者購買汽車時(shí)，他們認(rèn)為設(shè)計(jì)工程師盡職盡責(zé)地創(chuàng)造了一款安全的產(chǎn)品。為了達(dá)到必要的安全水平，特別是在國際標(biāo)準(zhǔn)化組織 (ISO) 26262 標(biāo)準(zhǔn)方面，車輛內(nèi)的子系統(tǒng)(例如牽引逆變器)必須包括內(nèi)部診斷和保護(hù)功能，以幫助檢測潛在的故障模式。

  • TI的最新反激式控制器器件LM51561、LM34966-Q1、LM51561H-Q1

    LM51561具有擴(kuò)頻功能的 2.2MHz 寬輸入非同步升壓、SEPIC、反激式控制器 LM5156x(LM5156 和 LM51561)器件是一款寬輸入范圍的非同步升壓控制器，采用峰值電流模式控制。該器件可用于升壓、SEPIC 和反激式拓?fù)洹?/p>

  • TI鋰電池充電管理IC介紹，BQ25170和BQ25170-Q1

    BQ25170 是一款集成式 800mA 線性充電器，適用于針對空間有限的便攜式應(yīng)用的 1 節(jié)鋰離子、鋰聚合物和 LiFePO 4電池。該設(shè)備具有為電池充電的單個(gè)電源輸出。系統(tǒng)負(fù)載可以與電池并聯(lián)，只要平均系統(tǒng)負(fù)載不會(huì)阻止電池在安全定時(shí)器持續(xù)時(shí)間內(nèi)完全充電。當(dāng)系統(tǒng)負(fù)載與電池并聯(lián)時(shí)，充電電流在系統(tǒng)和電池之間共享。

  • 專業(yè)的工業(yè)ACDC小體積電源設(shè)計(jì)介紹

    Powerbox 推出了用于工業(yè)應(yīng)用的1,200 W AC/DC 電源。OFI1200A 針對傳導(dǎo)冷卻進(jìn)行了 優(yōu)化，無需使用風(fēng)扇即可在 –40°C 至 95°C 的基板溫度范圍內(nèi)提供高性能。該電源可在 85 至 305 VAC 的寬通用輸入范圍內(nèi)工作，并具有功率因數(shù)校正 (PFC)。

  • 最新幾款小體積醫(yī)療行業(yè)使用的ACDC電源介紹

    用于醫(yī)療和工業(yè)市場的 AC/DC 電源變得越來越小，并實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。 無論 AC/DC 電源是開放式還是封閉式，甚至是桌面適配器，用于醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用的最新電源設(shè)備都有一些共同點(diǎn)：它們提供更小的解決方案尺寸并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，同時(shí)提供更高的效率。

  • 適用于小尺寸面板的 ESD 和 EOS 解決方案

    小尺寸面板主要包括手機(jī)觸摸屏、平板觸摸屏、數(shù)碼相機(jī)觸摸屏。這些面板和主板之間最常見的數(shù)據(jù)連接接口是MIPI(移動(dòng)工業(yè)處理器接口)。通過加入 TVS 保護(hù)方案，提高 ESD 和 EOS 耐受水平，可以大大降低電子產(chǎn)品在日常生活中受到干擾甚至破壞的機(jī)會(huì)，從而延長產(chǎn)品的使用壽命，降低返修率，允許消費(fèi)者對產(chǎn)品的信任度更高，品牌美譽(yù)度也隨之提高。

    功率器件
    2022-12-08
    ESD EOS

  • 建立SiC VJFET 的動(dòng)態(tài)電路模型

    在與電子儀器相關(guān)的行業(yè)中，與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，寬帶隙半導(dǎo)體的創(chuàng)新已被證明是有利可圖和有效的。碳化硅 (SiC)寬帶隙半導(dǎo)體是最先進(jìn)的半導(dǎo)體之一，具有顯著的相關(guān)性。這些半導(dǎo)體在各種參數(shù)(如高溫、頻率、電壓等)方面表現(xiàn)相當(dāng)出色。

  • 用于毫米波 (mmW) GaN HEMT 器件的基于 TCAD 的協(xié)同設(shè)計(jì)方法

    毫米波技術(shù)領(lǐng)域的不斷進(jìn)步因其波長減小和頻帶寬而對無線通信系統(tǒng)做出了貢獻(xiàn)。這使制造商能夠設(shè)計(jì)更小但性能更高的組件。氮化鎵已證明自己在該領(lǐng)域是一種很有前途的半導(dǎo)體，其目標(biāo)應(yīng)用包括高功率放大器、寬帶放大器和5G無線網(wǎng)絡(luò)。

  • 什么是半導(dǎo)體？半導(dǎo)體材料具有與絕緣體和導(dǎo)體相同的導(dǎo)電特性

    半導(dǎo)體材料具有與絕緣體和導(dǎo)體相同的導(dǎo)電特性。它們可以由純元素(如硅或鍺)組成，也可以由兩種元素(如砷化鎵或硒化鎘)混合而成。半導(dǎo)體材料可以通過在純半導(dǎo)體中添加雜質(zhì)來摻雜，從而改變它們的導(dǎo)電性能。

  • 老化測試有助于面對 SiC MOSFET 的不穩(wěn)定性

    在本文中，我們將重點(diǎn)介紹老化測試如何幫助評估碳化硅 MOSFET 在晶圓級的柵極閾值電壓的穩(wěn)定性。眾所周知，關(guān)于 SiC 功率器件可靠性的一個(gè)主要問題是器件工作期間閾值電壓 (V TH ) 的變化。

  • Infineon具有高度集成控制器的車內(nèi)無線充電解決方案

    無線充電技術(shù)的范圍從感應(yīng)、磁共振和電容到射頻輻射、激光、聲學(xué)和其他新興技術(shù)。電感耦合技術(shù)是領(lǐng)跑者1;因此，其相關(guān)的Qi 標(biāo)準(zhǔn)在無線充電中最為流行。 感應(yīng)充電根據(jù)法拉第定律工作，其中功率發(fā)射器 (PTx) 線圈中的交流電會(huì)產(chǎn)生交變磁場。然后，該磁場與功率接收器 (PRx) 線圈相互耦合，并轉(zhuǎn)換回交流電流，為連接在接收器側(cè)的直流負(fù)載進(jìn)行整流。

發(fā)布文章