對(duì)大多數(shù)工程師說“模擬”這個(gè)詞,就會(huì)想到運(yùn)算放大器、功率器件、I/O 或信號(hào)調(diào)理電路。但是,如果我們包括由連續(xù)變量和行為描述的所有內(nèi)容,例如,“機(jī)械”方面,則電路之外的系統(tǒng)也充滿了“模擬”?!皺C(jī)電一體化”一詞是指結(jié)合電子和機(jī)械元件的技術(shù),包括在接口處執(zhí)行的電機(jī)和傳感器。
ST兩種新的參考設(shè)計(jì)旨在分別簡(jiǎn)化用于壓縮機(jī)的工業(yè)和家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng),同時(shí)附帶可生產(chǎn)的 PCB 和電機(jī)控制固件??缮a(chǎn)的電路板設(shè)計(jì)尺寸為 11.2 cm x 7.5 cm,可節(jié)省大量開發(fā)時(shí)間,并幫助工程師繞過復(fù)雜的布局和信號(hào)路由挑戰(zhàn)。
在設(shè)計(jì)電機(jī)控制電路時(shí),確定如何提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流至關(guān)重要。設(shè)計(jì)人員必須選擇是使用具有內(nèi)部功率器件的單片集成電路 (IC),還是使用柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 和分立的外部功率 MOSFET。
電容的偏壓特性也叫做偏置特性,也有的人把它叫做電容的直流電壓特性,它的意思是電容兩端如果加入直流電壓時(shí),電容值會(huì)隨著直流電壓的上升而降低,下圖是電容:GRT155C81C105KE13的偏壓特性曲線圖,電容是1uF、封裝為0402電容,左圖中可以看到隨著直流電壓的上升電容的容量是逐漸減小的,當(dāng)電容兩端電壓是4V時(shí),1uF電容下降了33.6%,變成了1*(1-0.336)=0.664uF,那么怎么更直觀的理解這個(gè)參數(shù)的影響呢?實(shí)際電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中又如何規(guī)避偏壓影響呢?
電子產(chǎn)品體積更小、功能更多是一種普遍趨勢(shì)。這轉(zhuǎn)化為:“把它塞進(jìn)去”,因此設(shè)計(jì)師自然會(huì)尋找越來越小的零件。 紙面上至少有一個(gè) 0.1 μF、1206 大小的電容器,今天可以買到 0402 大小的電容器。但它真的是等效電容嗎?我們將看看這里的一些問題。
可靠和穩(wěn)健的感知是夜間行人能見度和安全的關(guān)鍵因素??偛课挥诜▏?Lynred 和優(yōu)美科聯(lián)手開發(fā)了一種熱傳感系統(tǒng),可提高行人自動(dòng)緊急制動(dòng) (PAEB) 在不利照明條件下的能力和性能。
加速向交通系統(tǒng)完全電氣化的過渡需要?jiǎng)?chuàng)新來應(yīng)對(duì)當(dāng)今在里程、性能和安全方面的挑戰(zhàn)。經(jīng)過十年研究以提高固態(tài)電池的性能,Imec 宣布已投資新創(chuàng)建的衍生產(chǎn)品 SOLiTHOR。
新興電子應(yīng)用需要能夠從更緊湊的平臺(tái)中獲得更高性能的電機(jī)設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)人員很難滿足基于傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的新要求。隨著硅技術(shù)達(dá)到功率密度、擊穿電壓和開關(guān)頻率的理論極限,設(shè)計(jì)人員控制功率損耗變得更加困難。這些限制的主要影響是在高工作溫度和高開關(guān)率下的次優(yōu)效率和額外的性能問題。
全球能源價(jià)格的上漲以及與電子產(chǎn)品相關(guān)的運(yùn)營費(fèi)用的增加正在成為設(shè)備和/或消費(fèi)品采購決策的重要組成部分。因此,研發(fā)工程師一直在尋找降低產(chǎn)品功耗的方法。過去,這主要適用于電池供電的應(yīng)用,因?yàn)樾蕰?huì)嚴(yán)重影響設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間。然而,這種趨勢(shì)近年來已經(jīng)擴(kuò)大到包括許多離線供電的消費(fèi)品。
消費(fèi)電子產(chǎn)品的電池壽命取決于其集成電路的動(dòng)態(tài)功率行為。如果可以調(diào)整動(dòng)態(tài)行為以適應(yīng)手頭的任務(wù),則可以實(shí)現(xiàn)相當(dāng)大的功率節(jié)省。
熱分析是材料科學(xué)的一個(gè)分支,它研究材料隨溫度變化的特性。所有集成電路在受到電壓時(shí)都會(huì)產(chǎn)生熱量。因此,為了將器件的結(jié)溫保持在最大允許值以下,應(yīng)提供通過封裝的熱流估計(jì)。
PCIe,PCI-Express的簡(jiǎn)稱,是一種高速串行計(jì)算機(jī)擴(kuò)展接口標(biāo)準(zhǔn),具有高速串行雙向傳輸和大帶寬的特點(diǎn)。成為主流的接口傳輸標(biāo)準(zhǔn)之一。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面,SSD 技術(shù)的加速發(fā)展,除了用作擴(kuò)展卡或顯示卡的傳統(tǒng) PCIe 插槽外,還鼓勵(lì)開發(fā)用于連接 SSD 的 M.2 和 NVMe 連接器。為了避免 CPU 頻帶限制妨礙顯卡和 SSD 發(fā)揮最佳性能,我們開發(fā)了 PCIe 4.0 來接聽電話。
薄膜電容作為替代方案,開發(fā)人員越來越多地在電力電子設(shè)備中采用復(fù)雜的開關(guān)算法進(jìn)行脈寬調(diào)制,以提高效率并改善網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量。此類設(shè)計(jì)采用更高的頻率和諧波,必須在輸出端使用 LC 和 LCL 濾波器對(duì)其進(jìn)行過濾。交流濾波電容器,例如 MKP1847 系列,提供擴(kuò)展的電容范圍、各種連接配置,并且為了提高安全性,采用了符合 UL810 標(biāo)準(zhǔn)的所謂分段薄膜技術(shù)。
緩沖各種形式的能量并使其可用于后續(xù)轉(zhuǎn)換過程的存儲(chǔ)元件是現(xiàn)代電源和頻率轉(zhuǎn)換器中的重要組件。因此,人們對(duì)平滑和能源的均勻性給予了極大的關(guān)注,而電容器存儲(chǔ)大量電荷的能力在其中起著特殊的作用。
關(guān)閉非活動(dòng)電路可以節(jié)省大量電力;然而,這種電源管理假設(shè)有一個(gè)主動(dòng)管理的“大腦”(通常是一個(gè)微控制器),它知道何時(shí)打開和關(guān)閉電源。在以亞微安級(jí)運(yùn)行的極低功耗系統(tǒng)中,可能需要讓微控制器保持在深度睡眠模式,而讓一個(gè)簡(jiǎn)單的超低功耗時(shí)鐘電路定期喚醒。