• 頻率折返工作方式：逐漸降低頻率折返，及電流頻率二級折返保護(hù)

    輸出短路保護(hù)固定頻率折返，折返工作頻率高，輸出短路保護(hù)效果會降低；折返工作頻率低，系統(tǒng)甚至進(jìn)入到非連續(xù)工作模式，雖然保護(hù)效果好，但有可能導(dǎo)致輸出短路消除后輸出電壓無法恢復(fù)正常。如圖1所示，輸入24V、輸出12V的 DCDC變換器，輸出短路時，固定折返頻率為正常工作頻率的1/16，系統(tǒng)進(jìn)入到非連續(xù)工作模式。

  • 在 IoT 應(yīng)用程序中平衡內(nèi)存性能和功耗

    為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用選擇電子元件的兩個關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)是功率預(yù)算和性能。自從電子產(chǎn)品問世以來，就一直在這兩者之間進(jìn)行權(quán)衡——要么獲得最佳功耗，要么獲得最高性能。根據(jù)應(yīng)用程序，系統(tǒng)架構(gòu)師對系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如，系統(tǒng)可能需要高性能控制器但低功耗存儲器。一個典型的案例是可穿戴設(shè)備，其中控制器需要功能強(qiáng)大，但由于 SRAM 用作暫存器，因此預(yù)計它具有盡可能低的功耗。

  • 修改我們的開關(guān)電源架構(gòu)以改善瞬態(tài)響應(yīng)，第二部分

    盡管輸出電壓隨負(fù)載的變化在美學(xué)上令人不快，但該模型相對于前一個模型的優(yōu)勢是巨大的。它包含相同限制之間的輸出電壓，具有幾乎兩倍的 ESR，并且當(dāng)我們將它們與允許的偏差進(jìn)行比較時，誤差源和紋波電壓會變小，這通常是這種情況。將近兩倍的 ESR 意味著輸出電容器的數(shù)量幾乎減少了一半，從而大大降低了成本和尺寸。剩下的問題是：我們?nèi)绾卧O(shè)計電源以具有此特性?

  • 修改我們的開關(guān)電源架構(gòu)以改善瞬態(tài)響應(yīng)，第一部分

    開關(guān)電源通常具有嚴(yán)格的靜態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范。使用廣泛可用的精密基準(zhǔn)，我們無需任何初始調(diào)整即可在工作溫度范圍內(nèi)輕松實(shí)現(xiàn) ±1% 的精度。我們還必須處理電源的動態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范，制造商通常將其指定為瞬態(tài)負(fù)載的最大允許偏差，該瞬態(tài)負(fù)載具有規(guī)定的電流階躍和規(guī)定的最大允許壓擺率。這些規(guī)格以及恢復(fù)時間定義了瞬態(tài)后輸出電壓需要多長時間才能恢復(fù)到靜態(tài)限制范圍內(nèi)。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計-亞閾值電壓操作

    在閾值電壓或低于閾值電壓時，EPAD MOSFET 在稱為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關(guān)斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導(dǎo)通道根據(jù)施加的柵極電壓快速關(guān)閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數(shù)下降，因此導(dǎo)致漏極電流呈指數(shù)下降。然而，通道不會隨著柵極電壓的降低而突然關(guān)閉，而是以每十倍電流下降約 110 mV 的固定速率下降。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計-增強(qiáng)型 EPAD MOSFET

    ALD1148xx/ALD1149xx 產(chǎn)品是耗盡型 EPAD MOSFET，當(dāng)柵極偏置電壓為 0.0V 時，它們是常開器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關(guān)斷的負(fù)電壓。提供負(fù)閾值，例如 –0.40V、-1.30V 和 –3.50V。在沒有電源電壓且 Vgs = 0.0V 的情況下，這些 EPAD MOSFET 器件已經(jīng)開啟，并且在源極和漏極端子之間表現(xiàn)出受控的導(dǎo)通電阻。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計-“零閾值”模式設(shè)備

    尋求在電路設(shè)計中實(shí)現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并可能阻止他們最大限度地擴(kuò)大可用電壓范圍，否則會使新電路取得成功。

  • 關(guān)于氮化鎵實(shí)際使用的熱管理方面討論

    所以，我想說這個概念是完全可擴(kuò)展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或?yàn)楦吖β手谱鞣浅５偷?RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設(shè)計，它可以擴(kuò)展到低電壓，但這個概念是成立的。這就是我們基本上認(rèn)為我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了最初目標(biāo)的方式。

  • 使用更高功率來進(jìn)行射頻抗擾度測試

    如今,無論生活亦或是工作環(huán)境中都充斥著大量不同頻率的電磁場，各個電子、電氣設(shè)備在同一空間中同時工作時，總會在它周圍產(chǎn)生一定強(qiáng)度的電磁場，比如電視發(fā)射臺、固定或移動式無線電發(fā)射臺以及各種工業(yè)輻射源產(chǎn)生的電磁場。

  • 新的 SMU 可優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng)和半導(dǎo)體的電池壽命

    羅德與施瓦茨宣布進(jìn)入源測量單元 (SMU) 市場，推出兩款新儀器，用于分析和優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用和半導(dǎo)體元件測試的電池壽命測試。

  • 對話恩智浦：有關(guān)電動汽車的電氣化和電池管理

    汽車電氣化正在興起，隨著世界各國政府試圖實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)，它可能會繼續(xù)增長。本文摘錄了與恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼高級模擬業(yè)務(wù)線總經(jīng)理 Jens Hinrichsen 就汽車電氣化的各個方面的對話——從技術(shù)方面，包括電池管理，到增長的挑戰(zhàn)，包括解決范圍焦慮等因素，這是一種常見的消費(fèi)者猶豫。

  • 我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?

    我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，這些天來，我們也在談?wù)撾妱悠嚒Ｄ敲?，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的價值呢?我們期望在哪里看到下一波增長?

  • 火災(zāi)的發(fā)生，讓我們重新思考高效的電氣化（1）

    穴居人發(fā)現(xiàn)了火，而人類通過發(fā)明來進(jìn)化這一發(fā)現(xiàn)，為我們照亮道路、烹飪食物并讓我們保持溫暖。但現(xiàn)在，我們都同意我們需要改變我們對能源的看法：它是如何產(chǎn)生、使用的，如何提高效率。近幾十年來，許多進(jìn)步包括來自可再生能源的清潔能源、以前依賴燃燒燃料的事物的電氣化以及對能源效率的關(guān)注。隨著我們向萬物電氣化邁進(jìn)，人類與火的這種親密關(guān)系將會消失，因?yàn)槲磥砣祟悓⒖床坏矫骰?。這是一個相當(dāng)大的偏離!當(dāng)前這一代工程師將不再需要火。

  • 火災(zāi)的發(fā)生，讓我們重新思考高效的電氣化（2）

    我們會在不久的將來看到鎵的高壓應(yīng)用嗎?或者我們可以在哪里做一些事情，比如通過氮化鎵芯片運(yùn)行列車級電壓?

  • GaN 半橋集成加速電力電子革命

    功率半導(dǎo)體的第二次革命五年后，基于氮化鎵 (GaN)的移動快速充電器主宰了旗艦智能手機(jī)和筆記本電腦型號，從傳統(tǒng)功率硅芯片中搶占了市場份額。這種下一代“寬帶隙”技術(shù)正在逐步進(jìn)入主流移動應(yīng)用程序，同時從該灘頭市場突圍，進(jìn)入更高功率的消費(fèi)者、太陽能、數(shù)據(jù)中心和電動汽車。一個新的電源平臺——集成的、功能豐富的、高效的 GaNSense?“半橋”——是高功率、高速應(yīng)用的基本組成部分，其中 GaN 不僅提供更小、更快速的充電和降低系統(tǒng)成本的應(yīng)用，而且還可以節(jié)省大約 2.6 Gtons CO 2/年到 2050 。

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