• GaN FET：音響發(fā)燒友的首選技術(shù)

    從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設(shè)計(jì)人員對(duì) GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因?yàn)?GaN FET 的平滑開關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽噪聲更少。

  • 英飛凌的新建工廠計(jì)劃，擴(kuò)大功率器件的產(chǎn)能

    英飛凌擴(kuò)展印度尼西亞后端站點(diǎn)以滿足汽車 IC 需求 作為其長(zhǎng)期投資戰(zhàn)略的一部分，德國(guó)芯片制造商英飛凌科技表示，它計(jì)劃擴(kuò)大其在印度尼西亞巴淡島的現(xiàn)有后端業(yè)務(wù)。預(yù)計(jì)將于 2024 年開始生產(chǎn)。

  • 關(guān)于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在內(nèi)的外延設(shè)備發(fā)展?fàn)顟B(tài)，釋放分子束外延的潛力

    對(duì)更強(qiáng)大和更節(jié)能設(shè)備的空前需求刺激了對(duì)砷化鎵、氮化鎵和碳化硅等化合物半導(dǎo)體的需求。這種材料需要通過外延生長(zhǎng)的超純薄膜。盡管分子束外延 (MBE) 是三種外延設(shè)備之一，長(zhǎng)期以來一直被認(rèn)為是利基市場(chǎng)，但它已準(zhǔn)備好過渡到批量應(yīng)用。

  • 在單向車載充電器應(yīng)用中使用碳化硅器件進(jìn)行電源設(shè)計(jì)

    電動(dòng)汽車車載充電器 (OBC) 使電動(dòng)汽車能夠在任何有交流電源的地方充電。根據(jù)功率級(jí)別和功能，它們可以采用多種形式。充電功率從電動(dòng)踏板車等應(yīng)用中的不到 2 kW 到高端電動(dòng)汽車中的 22 kW 不等。傳統(tǒng)上，充電功率是單向的。一個(gè)新的趨勢(shì)是在 OBC 中添加雙向功能，使 EV 可以成為移動(dòng)儲(chǔ)能系統(tǒng)。本文將僅關(guān)注單向 OBC，并討論碳化硅在 2 kW 以上高功率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。

  • 如何應(yīng)對(duì)電氣設(shè)備熱管理的幾個(gè)方面考量

    應(yīng)對(duì)電氣設(shè)備溫度，第一個(gè)考量就是加強(qiáng)散熱。首先要采取的預(yù)防措施是采用并實(shí)施一種策略來分散電氣和電子電路的熱量。散熱器的傳熱效率與散熱器與周圍空間之間的熱阻有關(guān)。它測(cè)量材料散熱的能力。具有大表面積和良好空氣流通(氣流)的散熱器，提供最佳散熱。為此，必須安裝合適的散熱器，與相關(guān)方直接接觸。

  • 專為手持式電池電源軌設(shè)計(jì)的 ESD浪涌保護(hù)解決方案

    物聯(lián)網(wǎng)為我們的日常生活帶來了額外的便利。為了使電子產(chǎn)品更易于攜帶和使用，產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師一直在接受挑戰(zhàn)，以在更小的 PCB 空間和更高的電子電路集成密度上為設(shè)備生產(chǎn)更多的功能。我們?nèi)粘？吹降氖謾C(jī)、智能穿戴、無線耳機(jī)、電子煙甚至AR護(hù)目鏡都被大家津津樂道，小尺寸0201封裝是電子PCB設(shè)計(jì)的主流。更重要的是，具有更高集成密度的系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 并非聞所未聞。

  • 用于新一代電動(dòng)汽車的 SiC MOSFET功率器件介紹

    電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車的設(shè)計(jì)人員致力于提高能量轉(zhuǎn)換效率，這些設(shè)備配備了緊湊型封裝和高熱可靠性電力電子模塊組裝，并降低了開關(guān)損耗。

  • 瞬態(tài)電壓抑制器：適用于高級(jí)應(yīng)用的最佳 ESD 保護(hù)解決方案。

    隨著 IC 晶體管密度的增加，IC 的靜電放電 (ESD) 魯棒性水平低于以前。這種低組件級(jí)的魯棒性只能在工廠或?qū)嶒?yàn)室等受控良好的環(huán)境中保護(hù)芯片。IC在現(xiàn)場(chǎng)使用時(shí)不能承受更高的瞬態(tài)事件。為防止最終客戶損壞 IC，產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員使用基于 IEC 61000-4-2(ESD) 的系統(tǒng)級(jí) ESD 測(cè)試方法在產(chǎn)品發(fā)布前對(duì)其進(jìn)行驗(yàn)證。ESD空氣放電和ESD接觸放電是常見的ESD測(cè)試方法。此外，設(shè)計(jì)人員還可根據(jù) IEC 61000-4-5 進(jìn)行 EOS 測(cè)試，以模擬電源開關(guān)浪涌或雷電偶。

  • 高分辨率面板ESD的最佳解決方案

    近年來，面板廠商專注于高品質(zhì)面板的開發(fā)，各家紛紛投入高端面板設(shè)計(jì)進(jìn)行差異化;產(chǎn)品類型包括筆記本電腦、電視、顯示器和 AIO(一體機(jī))電腦。然而，隨著高端面板的興起，也出現(xiàn)了許多新的問題。

  • 在項(xiàng)目中使用陶瓷電容器時(shí)，當(dāng)陶瓷電容損壞導(dǎo)致設(shè)備失真

    電容的偏壓特性也叫做偏置特性，也有的人把它叫做電容的直流電壓特性，它的意思是電容兩端如果加入直流電壓時(shí)，電容值會(huì)隨著直流電壓的上升而降低，下圖是電容：GRT155C81C105KE13的偏壓特性曲線圖，電容是1uF、封裝為0402電容，左圖中可以看到隨著直流電壓的上升電容的容量是逐漸減小的，當(dāng)電容兩端電壓是4V時(shí)，1uF電容下降了33.6%，變成了1*(1-0.336)=0.664uF，那么怎么更直觀的理解這個(gè)參數(shù)的影響呢?實(shí)際電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中又如何規(guī)避偏壓影響呢?

  • 在項(xiàng)目中使用陶瓷電容器時(shí)，當(dāng)陶瓷電容損壞的直流偏置

    電子產(chǎn)品體積更小、功能更多是一種普遍趨勢(shì)。這轉(zhuǎn)化為：“把它塞進(jìn)去”，因此設(shè)計(jì)師自然會(huì)尋找越來越小的零件。 紙面上至少有一個(gè) 0.1 μF、1206 大小的電容器，今天可以買到 0402 大小的電容器。但它真的是等效電容嗎?我們將看看這里的一些問題。

  • EPC 在意大利開設(shè)基于 GaN 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)應(yīng)用中心

    新興電子應(yīng)用需要能夠從更緊湊的平臺(tái)中獲得更高性能的電機(jī)設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)人員很難滿足基于傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的新要求。隨著硅技術(shù)達(dá)到功率密度、擊穿電壓和開關(guān)頻率的理論極限，設(shè)計(jì)人員控制功率損耗變得更加困難。這些限制的主要影響是在高工作溫度和高開關(guān)率下的次優(yōu)效率和額外的性能問題。

  • 最新的 dc/dc 控制器與 NexFET 功率 MOSFET 的組合可以提高電源效率

    全球能源價(jià)格的上漲以及與電子產(chǎn)品相關(guān)的運(yùn)營(yíng)費(fèi)用的增加正在成為設(shè)備和/或消費(fèi)品采購(gòu)決策的重要組成部分。因此，研發(fā)工程師一直在尋找降低產(chǎn)品功耗的方法。過去，這主要適用于電池供電的應(yīng)用，因?yàn)樾蕰?huì)嚴(yán)重影響設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間。然而，這種趨勢(shì)近年來已經(jīng)擴(kuò)大到包括許多離線供電的消費(fèi)品。

  • 對(duì)電源應(yīng)用的集成電路進(jìn)行一般熱分析

    熱分析是材料科學(xué)的一個(gè)分支，它研究材料隨溫度變化的特性。所有集成電路在受到電壓時(shí)都會(huì)產(chǎn)生熱量。因此，為了將器件的結(jié)溫保持在最大允許值以下，應(yīng)提供通過封裝的熱流估計(jì)。

  • PCIe 4.0 的最佳 ESD 解決方案

    PCIe，PCI-Express的簡(jiǎn)稱，是一種高速串行計(jì)算機(jī)擴(kuò)展接口標(biāo)準(zhǔn)，具有高速串行雙向傳輸和大帶寬的特點(diǎn)。成為主流的接口傳輸標(biāo)準(zhǔn)之一。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面，SSD 技術(shù)的加速發(fā)展，除了用作擴(kuò)展卡或顯示卡的傳統(tǒng) PCIe 插槽外，還鼓勵(lì)開發(fā)用于連接 SSD 的 M.2 和 NVMe 連接器。為了避免 CPU 頻帶限制妨礙顯卡和 SSD 發(fā)揮最佳性能，我們開發(fā)了 PCIe 4.0 來接聽電話。

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