• GaN FET：音響發(fā)燒友的首選技術

    從智能設備充電器等低功率、低成本應用一直到高功率汽車應用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設計人員對 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉向 GaN 技術，因為 GaN FET 的平滑開關特性導致注入放大器的可聽噪聲更少。

  • 英飛凌的新建工廠計劃，擴大功率器件的產(chǎn)能

    英飛凌擴展印度尼西亞后端站點以滿足汽車 IC 需求 作為其長期投資戰(zhàn)略的一部分，德國芯片制造商英飛凌科技表示，它計劃擴大其在印度尼西亞巴淡島的現(xiàn)有后端業(yè)務。預計將于 2024 年開始生產(chǎn)。

  • 關于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在內的外延設備發(fā)展狀態(tài)，釋放分子束外延的潛力

    對更強大和更節(jié)能設備的空前需求刺激了對砷化鎵、氮化鎵和碳化硅等化合物半導體的需求。這種材料需要通過外延生長的超純薄膜。盡管分子束外延 (MBE) 是三種外延設備之一，長期以來一直被認為是利基市場，但它已準備好過渡到批量應用。

  • 在單向車載充電器應用中使用碳化硅器件進行電源設計

    電動汽車車載充電器 (OBC) 使電動汽車能夠在任何有交流電源的地方充電。根據(jù)功率級別和功能，它們可以采用多種形式。充電功率從電動踏板車等應用中的不到 2 kW 到高端電動汽車中的 22 kW 不等。傳統(tǒng)上，充電功率是單向的。一個新的趨勢是在 OBC 中添加雙向功能，使 EV 可以成為移動儲能系統(tǒng)。本文將僅關注單向 OBC，并討論碳化硅在 2 kW 以上高功率應用中的優(yōu)勢。

  • 如何應對電氣設備熱管理的幾個方面考量

    應對電氣設備溫度，第一個考量就是加強散熱。首先要采取的預防措施是采用并實施一種策略來分散電氣和電子電路的熱量。散熱器的傳熱效率與散熱器與周圍空間之間的熱阻有關。它測量材料散熱的能力。具有大表面積和良好空氣流通(氣流)的散熱器，提供最佳散熱。為此，必須安裝合適的散熱器，與相關方直接接觸。

  • 專為手持式電池電源軌設計的 ESD浪涌保護解決方案

    物聯(lián)網(wǎng)為我們的日常生活帶來了額外的便利。為了使電子產(chǎn)品更易于攜帶和使用，產(chǎn)品設計工程師一直在接受挑戰(zhàn)，以在更小的 PCB 空間和更高的電子電路集成密度上為設備生產(chǎn)更多的功能。我們日常看到的手機、智能穿戴、無線耳機、電子煙甚至AR護目鏡都被大家津津樂道，小尺寸0201封裝是電子PCB設計的主流。更重要的是，具有更高集成密度的系統(tǒng)級封裝 (SiP) 并非聞所未聞。

  • 用于新一代電動汽車的 SiC MOSFET功率器件介紹

    電動和混合動力汽車的設計人員致力于提高能量轉換效率，這些設備配備了緊湊型封裝和高熱可靠性電力電子模塊組裝，并降低了開關損耗。

  • 瞬態(tài)電壓抑制器：適用于高級應用的最佳 ESD 保護解決方案。

    隨著 IC 晶體管密度的增加，IC 的靜電放電 (ESD) 魯棒性水平低于以前。這種低組件級的魯棒性只能在工廠或實驗室等受控良好的環(huán)境中保護芯片。IC在現(xiàn)場使用時不能承受更高的瞬態(tài)事件。為防止最終客戶損壞 IC，產(chǎn)品設計人員使用基于 IEC 61000-4-2(ESD) 的系統(tǒng)級 ESD 測試方法在產(chǎn)品發(fā)布前對其進行驗證。ESD空氣放電和ESD接觸放電是常見的ESD測試方法。此外，設計人員還可根據(jù) IEC 61000-4-5 進行 EOS 測試，以模擬電源開關浪涌或雷電偶。

  • 高分辨率面板ESD的最佳解決方案

    近年來，面板廠商專注于高品質面板的開發(fā)，各家紛紛投入高端面板設計進行差異化;產(chǎn)品類型包括筆記本電腦、電視、顯示器和 AIO(一體機)電腦。然而，隨著高端面板的興起，也出現(xiàn)了許多新的問題。

  • 在項目中使用陶瓷電容器時，當陶瓷電容損壞導致設備失真

    電容的偏壓特性也叫做偏置特性，也有的人把它叫做電容的直流電壓特性，它的意思是電容兩端如果加入直流電壓時，電容值會隨著直流電壓的上升而降低，下圖是電容：GRT155C81C105KE13的偏壓特性曲線圖，電容是1uF、封裝為0402電容，左圖中可以看到隨著直流電壓的上升電容的容量是逐漸減小的，當電容兩端電壓是4V時，1uF電容下降了33.6%，變成了1*(1-0.336)=0.664uF，那么怎么更直觀的理解這個參數(shù)的影響呢?實際電路設計應用中又如何規(guī)避偏壓影響呢?

  • 在項目中使用陶瓷電容器時，當陶瓷電容損壞的直流偏置

    電子產(chǎn)品體積更小、功能更多是一種普遍趨勢。這轉化為：“把它塞進去”，因此設計師自然會尋找越來越小的零件。 紙面上至少有一個 0.1 μF、1206 大小的電容器，今天可以買到 0402 大小的電容器。但它真的是等效電容嗎?我們將看看這里的一些問題。

  • EPC 在意大利開設基于 GaN 的電機驅動設計應用中心

    新興電子應用需要能夠從更緊湊的平臺中獲得更高性能的電機設計。設計人員很難滿足基于傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 的電機驅動器電路的新要求。隨著硅技術達到功率密度、擊穿電壓和開關頻率的理論極限，設計人員控制功率損耗變得更加困難。這些限制的主要影響是在高工作溫度和高開關率下的次優(yōu)效率和額外的性能問題。

  • 最新的 dc/dc 控制器與 NexFET 功率 MOSFET 的組合可以提高電源效率

    全球能源價格的上漲以及與電子產(chǎn)品相關的運營費用的增加正在成為設備和/或消費品采購決策的重要組成部分。因此，研發(fā)工程師一直在尋找降低產(chǎn)品功耗的方法。過去，這主要適用于電池供電的應用，因為效率會嚴重影響設備的運行時間。然而，這種趨勢近年來已經(jīng)擴大到包括許多離線供電的消費品。

  • 對電源應用的集成電路進行一般熱分析

    熱分析是材料科學的一個分支，它研究材料隨溫度變化的特性。所有集成電路在受到電壓時都會產(chǎn)生熱量。因此，為了將器件的結溫保持在最大允許值以下，應提供通過封裝的熱流估計。

  • PCIe 4.0 的最佳 ESD 解決方案

    PCIe，PCI-Express的簡稱，是一種高速串行計算機擴展接口標準，具有高速串行雙向傳輸和大帶寬的特點。成為主流的接口傳輸標準之一。在系統(tǒng)設計方面，SSD 技術的加速發(fā)展，除了用作擴展卡或顯示卡的傳統(tǒng) PCIe 插槽外，還鼓勵開發(fā)用于連接 SSD 的 M.2 和 NVMe 連接器。為了避免 CPU 頻帶限制妨礙顯卡和 SSD 發(fā)揮最佳性能，我們開發(fā)了 PCIe 4.0 來接聽電話。

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