元件
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利用反相升降壓拓撲控制LED亮度
若需控制LED 亮度，就必須具備能夠提供恒定、穩(wěn)壓電流的驅(qū)動器。而要達到此目標，驅(qū)動器拓樸必須能產(chǎn)生足夠的輸出電壓來順向偏置 LED。那麼當輸入和輸出電壓范圍重疊時，設(shè)
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壓敏電阻選用的基本知識
壓敏電阻標稱參數(shù) n~U n(7U/(壓敏電阻用字母“MY”表示，如加J為家用，后面的字母W、G、P、L、H、Z、B、C、N、K分別用于穩(wěn)壓、過壓保護、高頻電路、防雷、滅弧、消噪、補償、消磁、高能或高可靠等方面。壓
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根據(jù)能效標準進行電源合規(guī)性測試
在過去幾年間， 包括美國環(huán)保署(EPA)的能源之星計劃、歐盟委員會的行為準則( CoC ) 和加州能源委員會(CEC) 在內(nèi)的多家主要國際標準組織都已制定了新的外部電源效率要求。這
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比利時化學(xué)企業(yè)開發(fā)發(fā)光效率為30lm/W的柔性有機EL照明面板
此次開發(fā)的有機EL照明面板（點擊放大） 比利時化學(xué)企業(yè)Solvay與荷蘭研究機構(gòu)Holst Centre宣布，雙方共同開發(fā)的柔性照明有機EL面板在亮度為1000cd/m2的情況下實現(xiàn)了30lm/W的發(fā)光效率。面板面積較大，達到了69cm2。
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日本研制次世代OLED元件 效率超越LED
OLED具有整面發(fā)光、及可藉由低電壓獲得高亮度的特性，故被期待可作為次世代薄型顯示器或照明產(chǎn)品的光源，惟因其電力效率遜于LED，導(dǎo)致OLED遲遲無法真正呈現(xiàn)普及。但，日本下面的研發(fā)成果已為OLED的普及帶來曙光了!日
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導(dǎo)線架散熱基板市場成為LED元件臺廠熱點
今年LED照明滲透率將提高，半導(dǎo)體封測和被動元件臺廠積極搶攻LED導(dǎo)線架和LED散熱基板產(chǎn)品，相關(guān)產(chǎn)能、出貨量和營收表現(xiàn)可大幅提升。 研調(diào)機構(gòu)DIGITIMESResearch預(yù)估，今年全球發(fā)光二極體(LED)照明市場規(guī)模將達254億
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2013年功率元件產(chǎn)值年增率達10.5%
包含離散元件、模組和電源晶片在內(nèi)的功率元件(PowerDevice)市場將于2013年明顯反彈。受到各國推動節(jié)能政策，以及功率半導(dǎo)體技術(shù)突破等激勵，YoleDeveloppement預(yù)估，功率元件市場產(chǎn)值去年衰退16.5%，今年可望回升至1
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實現(xiàn)未來顯示器的材料（2）：可脫離真空之路的有機絕緣膜
未來的FPD制造技術(shù)將“擺脫真空”——FPD業(yè)界正在爭取從使用真空裝置的現(xiàn)行制造技術(shù)，向不使用真空工藝轉(zhuǎn)變。而作為脫離真空的必勝技而備受期待的是無需真空裝置即可成膜的涂布型材料。筆者此次在正在舉辦的第一大顯
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效率超越LED 次世代OLED元件驚現(xiàn)日本
OLED具有整面發(fā)光、及可藉由低電壓獲得高亮度的特性，故被期待可作為次世代薄型顯示器或照明產(chǎn)品的光源，惟因其電力效率遜于LED，導(dǎo)致OLED遲遲無法真正呈現(xiàn)普及。但日本下面的研發(fā)成果已為OLED的普及帶來曙光了!日經(jīng)
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2013年功率元件產(chǎn)值年增率達10.5%
包含離散元件、模組和電源晶片在內(nèi)的功率元件(PowerDevice)市場將于2013年明顯反彈。受到各國推動節(jié)能政策，以及功率半導(dǎo)體技術(shù)突破等激勵，YoleDeveloppement預(yù)估，功率元件市場產(chǎn)值去年衰退16.5%，今年可望回升至1
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半導(dǎo)體元件價格預(yù)計在第二季度開始上漲
據(jù)最新一期IHS iSuppli公司元件價格走勢追蹤報告，繼連續(xù)兩年放緩之后，半導(dǎo)體元件的長期前景有望好轉(zhuǎn)，未來四年的復(fù)合年度增長率(CAGR)預(yù)計達到5.7%。其增長將來自無線市場的消費支出增加，以及醫(yī)療、能源和公共基礎(chǔ)
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中國市場對智能手機IC元件需求飆升
根據(jù)智能手機供應(yīng)鏈廠商透露，來自中國智能手機市場IC元件訂單大幅上升。廠商據(jù)此估計每月在中國銷售的智能手機數(shù)量已經(jīng)上升到2500萬臺，在2012年第四季度這個數(shù)字約為2000萬臺。 廠商預(yù)測，3、4兩個月中國市場
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兩岸LED產(chǎn)業(yè)兩敗俱傷 歐美競爭者“坐收漁利”
中國銀監(jiān)會前主席、中山大學(xué)嶺南學(xué)院名譽院長劉明康日前公開點出“嚴重重復(fù)投資的危機”，正是兩岸產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵問題，此一觀察正適合用來論述過去3年，兩岸LED產(chǎn)業(yè)重復(fù)投資造成雙方受傷、給了歐美競爭者得利的“瞎
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日本新技術(shù)讓效率超越LED
OLED具有整面發(fā)光、及可藉由低電壓獲得高亮度的特性，故被期待可作為次世代薄型顯示器或照明產(chǎn)品的光源，惟因其電力效率遜于LED，導(dǎo)致OLED遲遲無法真正呈現(xiàn)普及。但，日本下面的研發(fā)成果已為OLED的普及帶來曙光了!日
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封測三強 搶高階大餅
臺積電的晶圓代工制程由28納米向20、16納米挺進，后段封測廠日月光、矽品及力成也擴大高階封測布局，搶占行動裝置商機。 據(jù)了解，日月光、矽品等雖下修今年資本支出，年減幅逾三成，但兩家封測廠均強調(diào)，今年投資
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力戰(zhàn)一條龍代工廠 晶圓/封測廠強化2.5D合作
中型晶圓廠攜手封裝測試商發(fā)展2.5D/3D IC制程。臺積電積極投資覆晶熱壓焊技術(shù)，可望成為2.5D/3D IC市場上提供一條龍服務(wù)的代工廠；為與臺積電一別苗頭，晶圓廠透過加強與封測商的合作關(guān)系，以降低模組管理與良率不佳
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重復(fù)投資種隱患：兩岸LED產(chǎn)業(yè)兩敗俱傷
中國銀監(jiān)會前主席、中山大學(xué)嶺南學(xué)院名譽院長劉明康日前公開點出“嚴重重復(fù)投資的危機”，正是兩岸產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵問題，此一觀察正適合用來論述過去3年，兩岸LED產(chǎn)業(yè)重復(fù)投資造成雙方受傷、給了歐美競爭者得利的“瞎
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半導(dǎo)體元件價格預(yù)計2013年回升
21ic訊 據(jù)最新一期IHS iSuppli公司元件價格走勢追蹤報告，繼連續(xù)兩年放緩之后，半導(dǎo)體元件的長期前景有望好轉(zhuǎn)，未來四年的復(fù)合年度增長率(CAGR)預(yù)計達到5.7%。其增長將來自無線市場的消費支出增加，以及醫(yī)療、能源和
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半導(dǎo)體元件價格預(yù)計2013年回升
據(jù)最新一期IHS iSuppli公司元件價格走勢追蹤報告顯示，繼連續(xù)兩年放緩之后，半導(dǎo)體元件的長期前景有望好轉(zhuǎn)，未來四年的復(fù)合年度增長率(CAGR)預(yù)計達到5.7%。其增長將來自無線市場的消費支出增加，以及醫(yī)療、能源和公共
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專家：FinFET具發(fā)展?jié)摿Φ渤錆M風(fēng)險
在新思科技(Synopsys)于美國矽谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿?，但也有風(fēng)險，而且該技術(shù)的最佳時機尚未達到。 來自晶圓代工業(yè)者 Globalfoundries 的技術(shù)主管
