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《主筆室》大尺寸OLED制程技術有新解？仍要看成本
有機發(fā)光二極體顯示器OLED（Organic Light Emitting Diode, OLED）被視為薄膜電晶體液晶顯示器TFT-LCD（Thin film transistor liquid crystal display）最大競爭者。但目前仍只有韓廠三星Samsung順利量產中小尺寸OLE
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臺積新晶圓制程技術加速實現3D IC
臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加
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臺積新晶圓制程技術加速實現三維芯片
臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加
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臺積新晶圓制程技術加速實現3D IC
臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加
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多管齊下 臺積電新晶圓制程技術加速實現3D IC
臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加
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臺積新晶圓制程技術加速實現3D IC
臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加
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催生新世代處理器 臺積電翻新晶圓制程技術
臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善電晶體漏電流問題，臺積電除攜手矽智財(IP)業(yè)者，推進鰭式電晶體(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手
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應用產品日益多元 CMOS/MEMS制程技術抬頭
CMOS/MEMS制程技術可在單一裸晶(Die)中，同時整合MEMS感測元件與訊號處理晶片，可較現今大多數MEMS感測器采用的系統(tǒng)封裝(SiP)設計，實現更小尺寸且更低成本的解決方案，因而有愈來愈多半導體廠開始采用，且應用產品已
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可撓式玻璃“連續(xù)卷軸式制程技術”研發(fā)成功
全球首次成功針對可撓式玻璃開發(fā)的制程——“連續(xù)卷軸式制程技術”由工研院開發(fā)，並和群創(chuàng)(3481-TW)、友達(2409-TW)等面板廠、F-TPK宸鴻(3673-TW)、勝華(2384-TW)觸控面板商及LED廠商億光(2393-
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短期供過于求 面板雙虎看好后市
面板雙虎展望面板市況，群創(chuàng)總經理王志超表示，中國國內節(jié)能補貼政策結束后，不可避免1~2個月將會有短暫時間的影響，不過群創(chuàng)去年進行尺寸差異化，避開32、42英寸補貼尺寸，看好市場需求將會回籠，對未來審慎樂觀，友
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聯(lián)電加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10nm制程技術
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與IBM(IBM-US)今(13)日共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支援與kno
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聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10奈米制程技術
聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯(lián)華電子將加入IBM技術開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術。IBM半導體研發(fā)副總Gary Patton表示：「IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年，聯(lián)盟伙伴可整合運用我們的專業(yè)知識，團隊研究合作與
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聯(lián)電加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10nm制程技術
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與IBM(IBM-US)今(13)日共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術。 聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支援與
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2013年大陸晶圓代工成長產業(yè)產值將達40.8億美元
從產能規(guī)?；蛭⒖s制程技術比較，中芯雖在大陸晶圓代工產業(yè)居于領先地位，但若與臺積電、GlobalFoundries等全球前四大晶圓代工廠相較，中芯則處于遠遠落后的位置。對其他只擁有6寸晶圓、8寸晶圓產能，制程技術亦未跨入
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2013年大陸晶圓代工產業(yè)前景依舊樂觀
從產能規(guī)?；蛭⒖s制程技術比較，中芯雖在大陸晶圓代工產業(yè)居于領先地位，但若與臺積電、GlobalFoundries等全球前四大晶圓代工廠相較，中芯則處于遠遠落后的位置。對其他只擁有6寸晶圓、8寸晶圓產能，制程技術亦未跨入
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2013年大陸晶圓代工成長產業(yè)產值將達40.8億美元
從產能規(guī)?；蛭⒖s制程技術比較，中芯雖在大陸晶圓代工產業(yè)居于領先地位，但若與臺積電、GlobalFoundries等全球前四大晶圓代工廠相較，中芯則處于遠遠落后的位置。對其他只擁有6寸晶圓、8寸晶圓產能，制程技術亦未跨入
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2013年大陸晶圓代工產業(yè)前景依舊樂觀
從產能規(guī)?；蛭⒖s制程技術比較，中芯雖在大陸晶圓代工產業(yè)居于領先地位，但若與臺積電、GlobalFoundries等全球前四大晶圓代工廠相較，中芯則處于遠遠落后的位置。對其他只擁有6寸晶圓、8寸晶圓產能，制程技術亦未跨入
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英特爾2015年量產10nm 臺積電競爭壓力大
半導體巨擘英特爾發(fā)布最新的先進制程技術藍圖，其中眾所關注的10納米預計2015年量產，比原先規(guī)劃時間提早一年，并進一步拉大領先臺積電的時間。臺積電的10納米預計2017年量產，較英特爾晚兩年。半導體業(yè)界人士表示，
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英特爾10nm計劃將提前 進一步領先臺積電
半導體巨人英特爾發(fā)布最新的先進制程技術藍圖，其中眾所關注的10納米預計2015年量產，比原先規(guī)劃時間提早一年，并進一步拉大領先臺積電的時間。臺積電的10納米預計2017年量產，較英特爾晚兩年。半導體業(yè)界人士表示，
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臺積電10納米 競爭壓力大
半導體巨擘英特爾發(fā)布最新的先進制程技術藍圖，其中眾所關注的10納米預計2015年量產，比原先規(guī)劃時間提早一年，并進一步拉大領先臺積電(2330)的時間。臺積電的10納米預計2017年量產，較英特爾晚兩年。半導體業(yè)界人士
