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ST 28奈米FD-SOI研發(fā)取得新突破 將應(yīng)用該制程技術(shù)
FD-SOI技術(shù)平臺(tái)包括全功能且通過(guò)硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺(tái)和設(shè)計(jì)流程。技術(shù)平臺(tái)包括全套的基礎(chǔ)程式庫(kù)(標(biāo)準(zhǔn)單元、記憶體產(chǎn)生器、 I/O、AMS IP以及高速介面);設(shè)計(jì)流程適合開(kāi)發(fā)高速的高效能元件。意法半導(dǎo)體(ST)近日宣布其在28
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意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶
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意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠
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制程技術(shù)就定位GZO薄膜取代ITO有望
氧化鋅鎵(GZO)薄膜制程技術(shù)邁大步。找到材料稀少又昂貴的氧化銦錫(ITO)薄膜替代方案，已成觸控面板廠降低模組成本的重要途徑，因此，業(yè)者正加緊開(kāi)發(fā)特性相近，價(jià)格僅ITO百分之一的GZO。目前在磁控濺鍍(MS)、離子鍍膜
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聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)由顏博文出任；孫世偉升任副董
聯(lián)電 (2330)今(19)日舉行董事會(huì)，決議通過(guò)任命原資深副總經(jīng)理顏博文為新任執(zhí)行長(zhǎng)，前執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉博士則升任為副董事長(zhǎng)。聯(lián)電指出，隨公司于南科 12吋晶圓廠區(qū)的投資及發(fā)展規(guī)模與 ??日俱增，將倚重新任執(zhí)行長(zhǎng)顏博文成
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清惠看好觸控尺寸大型化需求續(xù)擴(kuò)光電玻璃產(chǎn)能
專業(yè)光電玻璃加工廠清惠光電（5259，原本公司名稱為清惠實(shí)業(yè)）指出，在微軟的Windows 8作業(yè)系統(tǒng)推出，以及低成本平板電腦需求帶動(dòng)下，預(yù)期未來(lái)大尺寸觸控及OGS 觸控面板玻璃需求將持續(xù)擴(kuò)大。該公司2012年3大營(yíng)運(yùn)重心
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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臺(tái)積電先進(jìn)制程 維持獨(dú)霸地位
晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電第4季28奈米制程比重可望持續(xù)攀高，估計(jì)28奈米制程營(yíng)收將逾新臺(tái)幣258億元，逼近聯(lián)電Q4整體業(yè)績(jī)，先進(jìn)制程獨(dú)霸地位穩(wěn)固。臺(tái)積電與聯(lián)電第3季受惠先進(jìn)制程客戶需求強(qiáng)勁，出貨成長(zhǎng)，業(yè)績(jī)同步攀高；其
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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聯(lián)電研發(fā)14nmFinFET技術(shù) 較28nm效能提升35～40%
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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聯(lián)電14nmFinFET制程技術(shù)后年試產(chǎn)
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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臺(tái)積電先進(jìn)制程維持獨(dú)霸地位
晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電第4季28奈米制程比重可望持續(xù)攀高，估計(jì)28奈米制程營(yíng)收將逾新臺(tái)幣258億元，逼近聯(lián)電Q4整體業(yè)績(jī)，先進(jìn)制程獨(dú)霸地位穩(wěn)固。臺(tái)積電與聯(lián)電第3季受惠先進(jìn)制程客戶需求強(qiáng)勁，出貨成長(zhǎng)，業(yè)績(jī)同步攀高；其
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臺(tái)積電先進(jìn)制程 維持獨(dú)霸地位
晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電第4季28奈米制程比重可望持續(xù)攀高，估計(jì)28奈米制程營(yíng)收將逾新臺(tái)幣258億元，逼近聯(lián)電Q4整體業(yè)績(jī)，先進(jìn)制程獨(dú)霸地位穩(wěn)固。 臺(tái)積電與聯(lián)電第3季受惠先進(jìn)制程客戶需求強(qiáng)勁，出貨成長(zhǎng)，業(yè)績(jī)同步攀高
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與
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聯(lián)電40納米年底占比15%，Q4續(xù)處分業(yè)外轉(zhuǎn)投資
聯(lián)電(2303)執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，40納米制程于今年底到達(dá)15%營(yíng)收的內(nèi)部目標(biāo)可望提前完成。先進(jìn)制程的28納米進(jìn)度符合預(yù)期。此外，第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認(rèn)列日本子公司損失對(duì)損益的影響。 聯(lián)電公司指出，40納米
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研發(fā)進(jìn)度超前臺(tái)積電16nm明年底試產(chǎn)
臺(tái)積電16奈米鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)時(shí)程可望提前。臺(tái)積電預(yù)估2013年6月即可提供IC設(shè)計(jì)客戶，16奈米晶圓光罩共乘服務(wù)(Cyber??shuttle)，并將于明年底開(kāi)始試產(chǎn)，后年初正式量產(chǎn)，借此鞏固全球晶圓代工市場(chǎng)龍頭地位
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三星轉(zhuǎn)保守 DRAM可望趨穩(wěn)
集邦科技表示，三星(Samsung)在全球DRAM市場(chǎng)獨(dú)大，隨著三星態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守，有助DRAM產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期穩(wěn)定均衡發(fā)展。集邦科技指出，三星不僅搶占全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)近一半市場(chǎng)，制程技術(shù)也領(lǐng)先其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手超過(guò)2個(gè)世
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產(chǎn)能制程落后政策推動(dòng) 大陸晶圓朝差異化與MEMS平臺(tái)發(fā)展
從2011年大陸晶圓代工業(yè)者營(yíng)收排名觀察，中芯仍以人民幣85億元營(yíng)收規(guī)模穩(wěn)居產(chǎn)業(yè)龍頭，但在產(chǎn)業(yè)景氣不佳、先進(jìn)制程研發(fā)進(jìn)度落后，加上經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)更換等因素影響下，2011年?duì)I收仍較2010年衰退18.7%。 特別值得注意者，
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制程技術(shù)就定位 GZO薄膜取代ITO有望
氧化鋅鎵(GZO)薄膜制程技術(shù)邁大步。找到材料稀少又昂貴的氧化銦錫(ITO)薄膜替代方案，已成觸控面板廠降低模組成本的重要途徑，因此，業(yè)者正加緊開(kāi)發(fā)特性相近，價(jià)格僅ITO百分之一的GZO。目前在磁控濺鍍(MS)、離子鍍膜
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