制程技術(shù)

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英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計(jì)劃，以及計(jì)劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)，公司高級(jí)研究員MarkBohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在

消費(fèi)電子
2012-09-19

處理器英特爾制程技術(shù) 晶體管
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計(jì)劃，以及計(jì)劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)，公司高級(jí)研究員MarkBohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在

消費(fèi)電子
2012-09-19

處理器英特爾制程技術(shù) 晶體管
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

嵌入式動(dòng)態(tài)
2012-09-19

處理器英特爾制程技術(shù) 晶體管
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計(jì)劃，以及計(jì)劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)，公司高級(jí)研究員MarkBohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在

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2012-09-18

處理器英特爾制程技術(shù) 晶體管
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計(jì)劃，以及計(jì)劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)，公司高級(jí)研究員Mark Bohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在

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2012-09-18

處理器英特爾制程技術(shù) 晶體管
回?fù)襞_(tái)積，梁孟松抗告遭駁回

臺(tái)積電(2330)前研發(fā)部處長(zhǎng)梁孟松，轉(zhuǎn)任三星后，臺(tái)積電為防止梁孟松泄漏營(yíng)業(yè)秘密，向智能法院提出假處分的聲請(qǐng)，獲法官何君豪裁準(zhǔn)，梁孟松不服，提起抗告。智能財(cái)產(chǎn)法院合議庭日前裁定，駁回梁孟松的抗告。梁若對(duì)抗

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2012-09-14

半導(dǎo)體三星臺(tái)積電制程技術(shù)
聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65nm CMOS影像感測(cè)器背面照度BSI技術(shù)。事實(shí)上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗(yàn)，此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)展兩家公司的伙伴關(guān)

消費(fèi)電子
2012-09-11

聯(lián)電 CMOS 65NM 制程技術(shù)
聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65nm CMOS影像感測(cè)器背面照度BSI技術(shù)。事實(shí)上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗(yàn)，此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)展兩家公司的伙伴關(guān)

消費(fèi)電子
2012-09-11

聯(lián)電 CMOS 65NM 制程技術(shù)
聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65奈米CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電 (2303)于今(6日)宣布，與意法半導(dǎo)體合作65 奈米 CMOS影像感測(cè)器背面照度BSI技術(shù)。事實(shí)上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗(yàn)，此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)

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2012-09-07

聯(lián)電意法半導(dǎo)體 CMOS 制程技術(shù)
臺(tái)積電20奈米量產(chǎn)良率劉德音：提升速度比美過往

重量級(jí)權(quán)值股臺(tái)積電(2330-TW)(US-TSM)參加2012 SEMICON Taiwan并于展會(huì)期間陸續(xù)釋出20奈米年內(nèi)量產(chǎn)消息。臺(tái)積電執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)劉德音于展會(huì)期間受訪表示，新產(chǎn)品技術(shù)復(fù)雜度雖高，但良率提升速度比美過往。

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2012-09-06

臺(tái)積電 IC SEMI 制程技術(shù)
臺(tái)積電董事會(huì)通過830億資本預(yù)算

臺(tái)積電14日召開董事會(huì)。公司說明，半年報(bào)將依證交所規(guī)定于8月底前上傳；另董事會(huì)核準(zhǔn)兩筆先進(jìn)制程產(chǎn)能升級(jí)、興建廠房資本預(yù)算，累計(jì)新臺(tái)幣830.38億元，此兩筆未來支出超越了該公司今年上半年累計(jì)稅后凈賺規(guī)模。臺(tái)積電

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2012-08-15

先進(jìn)制程電表臺(tái)積電制程技術(shù)
臺(tái)積電董事會(huì)通過830億資本預(yù)算

臺(tái)積電14日召開董事會(huì)。公司說明，半年報(bào)將依證交所規(guī)定于8月底前上傳；另董事會(huì)核準(zhǔn)兩筆先進(jìn)制程產(chǎn)能升級(jí)、興建廠房資本預(yù)算，累計(jì)新臺(tái)幣830.38億元，此兩筆未來支出超越了該公司今年上半年累計(jì)稅后凈賺規(guī)模。臺(tái)積電

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2012-08-15

先進(jìn)制程電表臺(tái)積電制程技術(shù)
擴(kuò)先進(jìn)制程產(chǎn)能臺(tái)積電董事會(huì)通過830億元資本預(yù)算

臺(tái)積電(TSM-US)(2330-TW)今(14)日召開董事會(huì)。公司說明，半年報(bào)將依證交所規(guī)定于8月底前上傳；另董事會(huì)核準(zhǔn)兩筆先進(jìn)制程產(chǎn)能升級(jí)、興建廠房資本預(yù)算，累計(jì)新臺(tái)幣830.38億元，此兩筆未來支出超越了該公司今年上半年累

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2012-08-14

先進(jìn)制程電表臺(tái)積電制程技術(shù)
聯(lián)電欲藉由FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-08-14

聯(lián)電臺(tái)積電 FINFET 制程技術(shù)
高亮度LED制程技術(shù)介紹

LED光源具備多項(xiàng)環(huán)保優(yōu)勢(shì)，但早期產(chǎn)品在散熱處理與高亮度設(shè)計(jì)方面，仍存在某些技術(shù)瓶頸無法突破，但在LED芯片制程持續(xù)改善下，現(xiàn)有照明用LED的亮度輸出流明更趨近于日常照明需求，加上IC固態(tài)形式的元件設(shè)計(jì)，讓LED的

顯示光電
2012-08-11

LED PCB LED照明制程技術(shù)
臺(tái)積電7月營(yíng)收月增11.7% 創(chuàng)歷史新高將為Q3高點(diǎn)

臺(tái)積電(TSM-US) (2330-TW)今(10)日7月合并營(yíng)收為485.25億元，創(chuàng)下歷史新高，月增11.7%，年增37%；依臺(tái)積電法說預(yù)估營(yíng)收目標(biāo)計(jì)算，約將是今年第三季的高點(diǎn)。臺(tái)積電7月營(yíng)收突破今年5月高點(diǎn)441.38億，并再刷新歷史記錄

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2012-08-10

臺(tái)積電制程技術(shù)
ARM與臺(tái)積電簽署新協(xié)議引入臺(tái)積電FinFET工藝

知名芯片設(shè)計(jì)廠商ARM公司日前與臺(tái)積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺(tái)積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。從新協(xié)議的有效時(shí)間看，延伸到了臺(tái)積電計(jì)劃中的20nm

單片機(jī)
2012-07-25

ARM 臺(tái)積電 FINFET 制程技術(shù)
ARM與臺(tái)積電簽署新協(xié)議引入臺(tái)積電FinFET工藝

知名芯片設(shè)計(jì)廠商ARM公司日前與臺(tái)積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺(tái)積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。從新協(xié)議的有效時(shí)間看，延伸到了臺(tái)積電計(jì)劃中的20nm

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2012-07-24

ARM 臺(tái)積電 FINFET 制程技術(shù)
臺(tái)積電、ARM攜手合作雙方互惠為各自技術(shù)提供最佳化選擇

臺(tái)積電(2330-US)(TSM-US) 和ARM 今日宣布一項(xiàng)多年期的合作協(xié)議，這兩企業(yè)將就20 奈米技術(shù)合作，讓ARM 晶片可運(yùn)用于FinFET (鰭式場(chǎng)效電晶體) 上，讓晶片設(shè)計(jì)商能繼續(xù)拓展其在應(yīng)用處理器上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。，雙方的合作將能

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2012-07-23

ARM 臺(tái)積電 FINFET 制程技術(shù)
倍數(shù)跳躍成長(zhǎng)！臺(tái)積電28奈米挹注Q3營(yíng)收成長(zhǎng)逾8成

臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)財(cái)務(wù)長(zhǎng)暨發(fā)言人何麗梅資深副總經(jīng)理今(19)日表示，預(yù)期28奈米制程技術(shù)在第3季的出貨量將較第2季成長(zhǎng)一倍，此將挹注第3季營(yíng)收成長(zhǎng)的80%以上。何麗梅于法人說明會(huì)中表示，由于28奈米制程技術(shù)持

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2012-07-19

臺(tái)積電控管制程技術(shù)

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制程技術(shù)

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

回?fù)襞_(tái)積，梁孟松抗告遭駁回

聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65奈米CMOS BSI制程技術(shù)

臺(tái)積電20奈米量產(chǎn)良率劉德音：提升速度比美過往

臺(tái)積電董事會(huì)通過830億資本預(yù)算

臺(tái)積電董事會(huì)通過830億資本預(yù)算

擴(kuò)先進(jìn)制程產(chǎn)能臺(tái)積電董事會(huì)通過830億元資本預(yù)算

聯(lián)電欲藉由FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電

高亮度LED制程技術(shù)介紹

臺(tái)積電7月營(yíng)收月增11.7% 創(chuàng)歷史新高將為Q3高點(diǎn)

ARM與臺(tái)積電簽署新協(xié)議引入臺(tái)積電FinFET工藝

ARM與臺(tái)積電簽署新協(xié)議引入臺(tái)積電FinFET工藝

臺(tái)積電、ARM攜手合作雙方互惠為各自技術(shù)提供最佳化選擇

倍數(shù)跳躍成長(zhǎng)！臺(tái)積電28奈米挹注Q3營(yíng)收成長(zhǎng)逾8成

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