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2011年全球LTPS面板設(shè)備支出暴增逾3倍
市場研究機(jī)構(gòu)DisplaySearch指出，低溫多晶矽（Low Temperature Polysilicon, LTPS）制程之平面顯示器（面板）將成為殺手級應(yīng)用。主要系來自于智慧型手機(jī)應(yīng)用對于高性能面板之需求，正趨動LTPS制程LCD液晶面板和AMOLE
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十大制程將徹底改變TFTLCD面板產(chǎn)業(yè)
DisplaySearch正式發(fā)行全球首份完整解析TFT LCD最新制程技術(shù)的DisplaySearch TFT LCD制程技術(shù)藍(lán)圖趨勢報告（TFT LCD Process Roadmap Report）。該份報告結(jié)合DisplaySearch日本、韓國、臺灣的所有TFT LCD分析師針對2
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半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
時序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3DIC便為未來芯片發(fā)展趨勢，將促使供應(yīng)鏈加速投入3DIC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下，勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期3DI
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28nm設(shè)計(jì)專案、40nm將成主要成長動能
IC設(shè)計(jì)服務(wù)(IC Design Service)產(chǎn)業(yè)大致可區(qū)分為IC設(shè)計(jì)、IC量產(chǎn)2大范疇。其中，IC設(shè)計(jì)范疇包括開發(fā)具特定功能電路元件的矽智財(cái)(Silicon Intellectual Property；SIP)與匯整晶片所需電路元件的委托設(shè)計(jì)(Non-Recurring
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半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
時序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3DIC便為未來芯片發(fā)展趨勢，將促使供應(yīng)鏈加速投入3DIC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下，勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期3DI
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十大TFT LCD制程技術(shù)將徹底改變TFT-LCD面板產(chǎn)業(yè)
DisplaySearch正式發(fā)行全球首份完整解析TFT LCD最新制程技術(shù)的DisplaySearch TFT LCD制程技術(shù)藍(lán)圖趨勢報告（TFT LCD Process Roadmap Report）。該份報告結(jié)合DisplaySearch日本、韓國、臺灣的所有TFT LCD分析師針對2
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半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
時序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3D IC便為未來芯片發(fā)展趨勢，將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下，勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)
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半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
李洵穎／臺北 時序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3D IC便為未來晶片發(fā)展趨勢，將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下，勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半
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10項(xiàng)TFTLCD制程技術(shù)將改變液晶面板業(yè)
DisplaySearch正式發(fā)行全球首份完整解析TFT LCD最新制程技術(shù)的DisplaySearch TFT LCD制程技術(shù)藍(lán)圖趨勢報告(TFT LCD Process Roadmap Report)。該份報告結(jié)合DisplaySearch日本、韓國、臺灣的所有TFT LCD分析師針對201
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三星閃存廠選址中國，為了廉價勞工還是技術(shù)轉(zhuǎn)移？
無論你是在西方市場、東方市場或是不屬于這兩個陣營的開發(fā)中國家，中國以及其貿(mào)易伙伴之間的關(guān)系，將會在接下來幾年主導(dǎo)輿論與決策方向，而且我敢說，時間將長達(dá)數(shù)十年。更進(jìn)一步說，無論你是美國小鎮(zhèn)一家小型零售商
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力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動芯片量產(chǎn)
內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營收比重不斷降低影響，11月營收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)
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臺積電中科15廠第3期 明動土
(中央社記者張建中新竹2011年12月8日電)臺積電(2330)積極沖刺先進(jìn)制程，預(yù)計(jì)明天舉辦15廠第3期新建工程動土典禮，董事長暨總執(zhí)行長張忠謀將親自出席。 受全球經(jīng)濟(jì)情勢不佳影響，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值恐僅成長1%
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力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動芯片量產(chǎn)
內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營收比重不斷降低影響，11月營收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)
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力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動芯片量產(chǎn)
內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營收比重不斷降低影響，11月營收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)
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臺積 Q4營收展望不變
臺積電（2330）10月營收驚艷，但臺積電財(cái)務(wù)長何麗梅昨（11）日表示，臺積電仍維持法說會對第四季營收展望不變，公司不會對單一月份營收變化做任何評論。臺積電第四季營收預(yù)估介于1,030億元到1,050億元，相當(dāng)季減1%到
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春燕現(xiàn)蹤？臺積電重申Q4營運(yùn)展望維持不變
臺積電財(cái)務(wù)長何麗梅今日表示，臺積電對第4季營收將季減的看法維持不變。(鉅亨網(wǎng)記者尹慧中攝) 臺積電財(cái)務(wù)長何麗梅今(11)日表示，臺積電早先在法說會對第4季營收將季減1.3-3.2%的看法維持不變，且公司并不對單一
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臺積電10月營收月增12.6% 僅次8月客戶急單水準(zhǔn)
臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(10)日公布10月營收報告，合并營收約為新臺幣376.1億元，月增12.6%，終止9月下滑趨勢，優(yōu)于市場預(yù)期，并為今年僅次于8月在客戶一波急單涌現(xiàn)的376.45億元的水準(zhǔn)。 臺積電表示，10月營收為
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灣應(yīng)與大陸晶圓代工廠共同經(jīng)營中國新興熱點(diǎn)市場
根據(jù)中國國家統(tǒng)計(jì)局所公布的數(shù)據(jù)顯示，2010年起中國已經(jīng)超越日本，成為世界第二大經(jīng)濟(jì)體，其GDP在未來五年內(nèi)的年復(fù)合成長率將高達(dá)7%，到2015年時預(yù)計(jì)會成長為56兆人民幣，相當(dāng)于新臺幣280兆的規(guī)模；而在此同時，中國
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上華：臺灣應(yīng)與大陸晶圓代工廠共同經(jīng)營中國新興熱點(diǎn)市場
根據(jù)中國國家統(tǒng)計(jì)局所公布的數(shù)據(jù)顯示，2010年起中國已經(jīng)超越日本，成為世界第二大經(jīng)濟(jì)體，其GDP在未來五年內(nèi)的年復(fù)合成長率將高達(dá)7%，到2015年時預(yù)計(jì)會成長為56兆人民幣，相當(dāng)于新臺幣280兆的規(guī)模；而在此同時，中國
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臺積電2011年第三季營收略減 先進(jìn)制程占54%
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)日前公布2011年第三季財(cái)務(wù)報告，合并營收為新臺幣1,064.8億元。與2010年同期相較，臺積電當(dāng)季營收減少5.1%；與前一季相較則減少3.6%。若以美元計(jì)算，2011年第三季營收較前一季減少了4.5%，較
