【導讀】華邦電80納米制程下季投產(chǎn),溝槽式陣營暫緩顏面 臺灣DRAM業(yè)者華邦電總經(jīng)理徐英士近日于法說會時表示,華邦電于2006年完成初步擴產(chǎn)計畫,12寸廠月產(chǎn)能已達2.4萬片,2007年華邦電并無大規(guī)模擴產(chǎn)計畫,
【導讀】70奈米技術 DRAM廠生存關鍵 為強化競爭力,全球DRAM廠持續(xù)積極朝先進制程技術發(fā)展。有鑒于DDR2世代來臨,今年DRAM廠商競爭淘汰賽,將以90納米技術為基礎關卡,70納米為領先關鍵;今年,包括力晶、茂德
【導讀】CPU與芯片組未來將合而為一? 制程技術的進步可能意味著CPU和芯片組未來可能會整合在一起,但并不代表這會成為廣泛的趨勢。 近年來在PC領域,對于歷史悠久的PC芯片組將存在或消失的爭論開始升溫,
【導讀】臺積電今年65奈米制程業(yè)績上看600億 獨霸全球 臺積電 (2330) 65奈米制程技術發(fā)展持續(xù)逐季高成長,今年第二季65奈米制程業(yè)績已達新臺幣158.65億元,已是競爭對手聯(lián)電 (2303) 的12.57倍,拉大與競爭對
【導讀】臺積電2011年資本支出將達78億美元,年增31.4%,主要以提高研發(fā)競爭力為主,公司也在年關過后宣布,啟動18寸晶圓廠投資計劃,預計于2013年導入試產(chǎn)線,2015年以20納米開始量產(chǎn)。 關鍵詞:臺積電,晶圓,
【導讀】2012年3月22日,中國上?!狦LOBALFOUNDRIES今日宣布,其在德國德累斯頓的Fab1工廠已經(jīng)出貨了超過25萬個基于32納米高K金屬柵制程技術(HKMG)的半導體晶圓。這一里程碑體現(xiàn)了GLOBALFOUNDRIES同其它代工廠相比
【導讀】聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術,預計效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶
【導讀】美國高通公司與臺積公司今日共同宣布,美國高通公司的全資子公司美國高通技術公司將率先采用臺積公司28納米高性能移動(28nm High Performance Mobile, 28HPM)制程生產(chǎn)芯片。臺積公司28HPM制程領先業(yè)界,率先
【導讀】矽智財大廠英商安謀(ARM)及臺積電擴大合作,安謀針對臺積電28納米HPM制程,推出以ARMv8指令集為架構(gòu)的Cortex-A57與Cortex-A53處理器優(yōu)化套件矽智財(POPIP)解決方案,并同時發(fā)布針對臺積電16納米鰭式場效晶體
【導讀】日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報,營收同樣繼續(xù)維持成長,主要營收的大多比重皆是來自于IP技術授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術)。 摘要: 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報,營收同樣繼續(xù)維持成長
臺積電共同執(zhí)行長魏哲家昨(29)日指出,臺積電過去五年已斥資近兆元,投注于晶圓制程技術研發(fā)及產(chǎn)能擴充,締造多項驚人成就。其中,20納米即斥資約3,000億元,獲得高通等大廠青睞,并將創(chuàng)造五個月內(nèi)產(chǎn)能即由零到逾4
18寸晶圓制程可望更趨成熟。為持續(xù)降低IC制造成本,半導體業(yè)界正積極開發(fā)18寸晶圓制程技術,并成功藉由策略聯(lián)盟與資源整合方式,克服研發(fā)資金及技術門檻過高的挑戰(zhàn);目前包括臺積電、英特爾(Intel)與三星(Samsung)等
據(jù)iSuppli公司分析,由于全球內(nèi)存芯片廠商在2005-2007年間已經(jīng)耗費了大量資本進行設備投資和產(chǎn)能擴展,因此現(xiàn)有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿足2012年的市場需求,這便意味著在未來兩年之
看好凹板轉(zhuǎn)印技術的市場潛力,李長榮化工與工研院、臺大等產(chǎn)學研單位組成「精密凹板轉(zhuǎn)印技術」研發(fā)聯(lián)盟,近期并獲得經(jīng)濟部業(yè)界科專支持,未來技術指標成功達成后,除了能提供凹板轉(zhuǎn)印制程技術完整的解決方案,相關材
大尺寸觸控面板制程有大突破,工研院機械所研發(fā)的凹板轉(zhuǎn)印技術,將可取代黃光微影及ITO的觸控制程,用新材料、新制程取代,至少可節(jié)省三到四成的制程成本。這項核心技術已技轉(zhuǎn)榮化 (1704),并取得經(jīng)濟部科專支持進
東芝和SanDisk公司共同開發(fā)并即將量產(chǎn)世界上第一批15納米制程技術的NAND閃存芯片,數(shù)據(jù)傳輸率比前代19納米制程快1.3倍,將廣泛應用在智能手機和平板電腦領域。對用戶來說,低成本結(jié)構(gòu)的殺傷力不容小覷。東芝還表示將
IC載板大廠景碩連續(xù)2年進行高額資本支出,布建新豐廠的14/16納米制程載板產(chǎn)能,總經(jīng)理陳河旭表示,進入14/16納米世代,全球IC載板廠將面臨又一次產(chǎn)業(yè)分水嶺,為跨越技術挑戰(zhàn)、維持產(chǎn)業(yè)領先地位,載板廠的生產(chǎn)、管理方
日月光(2311)今日召開法人說明會,財務長董宏思表示,首季系統(tǒng)級封裝業(yè)績占整體業(yè)績比重約7%,第2季占比將會在下滑一些,下半年則會明顯增加,預估第4季SiP業(yè)績占比可突破20%。 日月光封測事業(yè)營收首季為343.51億
barron`s.com報導,臺積電(2330)的20奈米制程技術準備進度傳出比市場預期還要快,應可順利達成蘋果(Apple Inc.)要求、為次世代iPhone與iPad制作A系列處理器。 研究機構(gòu)BlueFin Research Partners分析師John Donovan
全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator,F(xiàn)D SOI)是 28奈米與 20奈米半導體制程節(jié)點的最佳解決方案,主要原因是該技術與塊狀CMOS制程技術相比,其成本與泄漏電流較低,性能表現(xiàn)則更高。 同樣是100mm