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未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億
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未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場 將以18%速度增長
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和Ga
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智能電網(wǎng)帶來的不僅是智能
受宏觀經(jīng)濟疲軟影響，2012年半導體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示，2013年的半導體市場將會繼續(xù)呈下降趨勢，相反地，功率MOSFET領域則會在2013年預計將增長7.7%
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英飛凌家族芯片通過質檢 已向全球發(fā)貨
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。從始至終，基于這項新技術的生
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英飛凌選用漢高新型導熱膏 導熱性能更出色的TIM
21ic訊 功率半導體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設計階段就將散熱管理功能集成到當今的功率半導體中。只有這樣，它們才能確保實現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個技術瓶頸是功率器件和散熱器之間的導熱膏。在高功率
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英飛凌家族芯片通過質檢 已向全球發(fā)貨
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。從始至終，基于這項新技術的生
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功率半導體下一個主戰(zhàn)場 電動汽車等新興領域
據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導體市場2012年增長率為5.0%，達到320億美元規(guī)模;預期2013年會恢復兩位數(shù)字增長 作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導體運行于弱電控制與強電之間，對降低電路損耗、提
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功率半導體市場復蘇：動力來自新領域
據(jù)IMS Research數(shù)據(jù)，全球功率半導體市場2012年增長率為5.0%，達到320億美元規(guī)模;預期2013年會恢復兩位數(shù)字增長作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導體運行于弱電控制與強電之間，對降低電路損耗、提高電
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功率半導體增長點在新興領域
功率半導體是僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，運行于弱電控制與強電之間，對降低電路損耗、提高電源使用效率，發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，功率半導體的應用領域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)
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功率半導體下一個主戰(zhàn)場 電動汽車等新興領域
據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導體市場2012年增長率為5.0%，達到320億美元規(guī)模;預期2013年會恢復兩位數(shù)字增長作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導體運行于弱電
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CEATEC 2012羅姆:開關損耗降低85% SiC功率半導體助建節(jié)能社會
21ic訊 10月2日-10月6日，CEATEC 2012如期召開，本屆CEATEC主題重點關注：Smart Innovation-豐富多彩的生活和社會的創(chuàng)造當今世界隨著個人生活、商務、行業(yè)、社會系統(tǒng)的全面網(wǎng)絡技術活用已在逐步孕育構筑高效的智能社
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英飛凌在功率半導體市場市占率逾1成
根據(jù)市調(diào)機構IMSResearch（屬IHS公司）最新報告指出，2011年全球功率半導體市場總值達176億美元，英飛凌的市占率達11.9%，連續(xù)9年拿下功率半導體市場市占率第一。調(diào)查也指出，三菱（Mitsubishi）市占率為8.3%，位居第
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功率半導體：新封裝新材料提升能效
隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，如何降低電子電器產(chǎn)品的高能耗成為眼下的熱點話題之一。5月16日，國務院常務會議安排265億元資金，對符合節(jié)能標準的平板電視、空
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無錫新潔能功率半導體有限公司
地 址：江蘇省無錫市濱湖區(qū)高浪東路999號啟航大廈8樓郵 編：214131電 話：0510-85629718傳 真：0510-85627839網(wǎng) 站：www.ncepower.com電子郵件：caik@ncepo
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中國南車首家海外功率半導體研發(fā)中心落成
7月25日，中國南車株洲所首家海外功率半導體研發(fā)中心在英國順利落成，這也是我國軌道交通裝備制造企業(yè)首個海外高端器件研發(fā)中心。以IGBT為代表的功率半導體器件技術是軌道交通裝備關鍵技術之一，被業(yè)界認為是現(xiàn)代機車
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中國南車首家海外功率半導體研發(fā)中心落成
7月25日，中國南車株洲所首家海外功率半導體研發(fā)中心在英國順利落成，這也是我國軌道交通裝備制造企業(yè)首個海外高端器件研發(fā)中心。以IGBT為代表的功率半導體器件技術是軌道交通裝備關鍵技術之一，被業(yè)界認為是現(xiàn)代機車
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三菱電機榮獲中國變頻器行業(yè)“最佳器件供應商”
2012年7月6日，第九屆變頻器行業(yè)企業(yè)家論壇暨《變頻器世界》創(chuàng)刊十五周年慶典在深圳隆重舉行，近200名行業(yè)內(nèi)的企業(yè)家精英和技術專家參與了此次盛會。三菱電機在頒獎晚會上榮獲“最佳器件供應商”稱號，這也是繼2010年
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三菱電機榮獲中國變頻器行業(yè)“最佳器件供應商”
2012年7月6日，第九屆變頻器行業(yè)企業(yè)家論壇暨《變頻器世界》創(chuàng)刊十五周年慶典在深圳隆重舉行，近200名行業(yè)內(nèi)的企業(yè)家精英和技術專家參與了此次盛會。三菱電機在頒獎晚會上榮獲“最佳器件供應商”稱號，這也是繼2010年
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功率半導體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機構IMSResearch預測，全球功率半導體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟前景不明朗效應將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導
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功率半導體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機構IMSResearch預測，全球功率半導體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟前景不明朗效應將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導
