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全球功率半導(dǎo)體市場萎縮，英飛凌市占逆勢走高
根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) IMS Research 的最新報(bào)告顯示， 2009年全球功率半導(dǎo)體市場出現(xiàn)萎縮，從前一年的 140 億美元縮減為 110 億美元，降幅達(dá) 21.5 %，但英飛凌(Infineon)的市占率仍逆勢成長至 10.7 %。統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，英飛
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全球功率半導(dǎo)體市場萎縮 英飛凌市占率逆勢成長
根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IMS Research的最新報(bào)告顯示， 2009年全球功率半導(dǎo)體市場出現(xiàn)萎縮，從前一年的140億美元縮減為110億美元，降幅達(dá)21.5 %，但英飛凌(Infineon)的市占率仍逆勢成長至10.7%。統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，英飛凌功率半
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三菱電機(jī)將在合肥建基地 生產(chǎn)主要零件
『中國家電網(wǎng)訊』記者獲悉，三菱電機(jī)半導(dǎo)體制作所與捷敏電子(合肥)有限公司達(dá)成合作，在肥建立生產(chǎn)基地。據(jù)了解，新建的合肥生產(chǎn)基地將成為三菱電機(jī)半導(dǎo)體制作所繼上海之后的中國第二個(gè)生產(chǎn)基地，主要為變頻空調(diào)、
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IMI收購封裝測試服務(wù)商PSi
Integrated Micro-Electronics, Inc. (IMI)是Ayala集團(tuán)的下屬子公司，其作為一家向世界核心的原始設(shè)備制造商提供電子制造服務(wù)的公司，不久前(10月7日)宣布，已完成對PSi科技公司絕大部分股權(quán)的收購行為。 PSi是一家獨(dú)
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器
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半導(dǎo)體的供應(yīng)不足將持續(xù)到何時(shí)？
半導(dǎo)體廠商的訂單額在2010年1～3月激增后，4～6月一直為橫盤走勢（圖1）。也就是說，訂單額從“雷曼事件”后的2009年4月開始一直處于持續(xù)增加的趨勢，但近來已轉(zhuǎn)為不升不降。由此，認(rèn)為半導(dǎo)體市場的供需正趨于平衡就
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瞄準(zhǔn)GaN及SiC功率半導(dǎo)體檢測標(biāo)準(zhǔn)—安捷倫開發(fā)新型測試裝置
目前，功率半導(dǎo)體受到越來越多的關(guān)注。這是因?yàn)樵趯?shí)現(xiàn)CO2減排及環(huán)保對策時(shí)，功率半導(dǎo)體起到的作用極大。比如在日本國內(nèi)，“變頻器家電（空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱）”已變得相當(dāng)普遍。采用變頻器可使電力效率獲得飛躍性提高
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億
美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSupp
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華潤上華與電子科技大學(xué)共建DMOS聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
華潤上華科技有限公司（簡稱“華潤上華”）與電子科技大學(xué)（簡稱“電子科大”）共建DMOS聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學(xué)舉行。華潤上華副總經(jīng)理蘇巍和電子科大副校長楊曉波分別代表雙方在協(xié)議上
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東麗道康寧開發(fā)出耐熱性及加工性的功率半導(dǎo)體用封裝材料
東麗道康寧面向SiC等新一代功率半導(dǎo)體，開發(fā)出了兼顧耐熱性及加工性的新型硅類封裝材料。特點(diǎn)是可在250℃條件下連續(xù)使用，而且加工性較高。比如，SiC功率半導(dǎo)體元件（功率元件）可在硅功率元件所限定的200℃以上的高
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昭和電工量產(chǎn)表面平滑性出色的功率半導(dǎo)體用SiC外延晶圓
昭和電工宣布，成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（EpitaxialWafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產(chǎn)品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)單晶Si
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昭和電工量產(chǎn)表面平滑性出色的功率半導(dǎo)體用SiC外延晶圓
昭和電工宣布，成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（Epitaxial Wafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產(chǎn)品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)
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全新功率半導(dǎo)體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能
世界各地計(jì)算機(jī)數(shù)量眾多，耗能量也相當(dāng)龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運(yùn)作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實(shí)例。在一個(gè)典型的數(shù)據(jù)中心設(shè)施中，其實(shí)只有不到一半的功耗是用在計(jì)算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商千方百計(jì)尋找機(jī)會來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級的數(shù)目。
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全新功率半導(dǎo)體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能
世界各地計(jì)算機(jī)數(shù)量眾多，耗能量也相當(dāng)龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運(yùn)作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實(shí)例。在一個(gè)典型的數(shù)據(jù)中心設(shè)施中，其實(shí)只有不到一半的功耗是用在計(jì)算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商千方百計(jì)尋找機(jī)會來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級的數(shù)目。
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全新功率半導(dǎo)體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能
世界各地計(jì)算機(jī)數(shù)量眾多，耗能量也相當(dāng)龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運(yùn)作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實(shí)例。在一個(gè)典型的數(shù)據(jù)中心設(shè)施中，其實(shí)只有不到一半的功耗是用在計(jì)算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商千方百計(jì)尋找機(jī)會來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級的數(shù)目。
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器
