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Vishay推出雙芯片P溝道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器
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新型DirectFETplus功率MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技術(shù)，可為 12V輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率，這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦。IRF6811和
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單通道功率MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出6款新的通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車(chē)模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝，占位面積比業(yè)界
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單通道功率MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出6款新的通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車(chē)模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝，占位面積比業(yè)界
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單通道功率MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出6款新的通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車(chē)模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝，占位面積比業(yè)界
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新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
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功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開(kāi)關(guān)電源(switch-mode powersupplies，SMPS)的整流組件，不過(guò)，在選用MOSFET時(shí)有一些注意事項(xiàng)。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在
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通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800（新日本無(wú)線(xiàn)）
新日本無(wú)線(xiàn)現(xiàn)已開(kāi)發(fā)完成了內(nèi)置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800，并已經(jīng)開(kāi)始投入生產(chǎn)了。該產(chǎn)品的特點(diǎn)是只需把微處理器或DSP發(fā)出的PWM信號(hào)輸入就能很容易進(jìn)行功率開(kāi)關(guān)控制?！鹃_(kāi)發(fā)背景】 為了減
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通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800（新日本無(wú)線(xiàn)）
新日本無(wú)線(xiàn)現(xiàn)已開(kāi)發(fā)完成了內(nèi)置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800，并已經(jīng)開(kāi)始投入生產(chǎn)了。該產(chǎn)品的特點(diǎn)是只需把微處理器或DSP發(fā)出的PWM信號(hào)輸入就能很容易進(jìn)行功率開(kāi)關(guān)控制?！鹃_(kāi)發(fā)背景】 為了減
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通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800（新日本無(wú)線(xiàn)）
新日本無(wú)線(xiàn)現(xiàn)已開(kāi)發(fā)完成了內(nèi)置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800，并已經(jīng)開(kāi)始投入生產(chǎn)了。該產(chǎn)品的特點(diǎn)是只需把微處理器或DSP發(fā)出的PWM信號(hào)輸入就能很容易進(jìn)行功率開(kāi)關(guān)控制?！鹃_(kāi)發(fā)背景】 為了減
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通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800（新日本無(wú)線(xiàn)）
新日本無(wú)線(xiàn)現(xiàn)已開(kāi)發(fā)完成了內(nèi)置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800，并已經(jīng)開(kāi)始投入生產(chǎn)了。該產(chǎn)品的特點(diǎn)是只需把微處理器或DSP發(fā)出的PWM信號(hào)輸入就能很容易進(jìn)行功率開(kāi)關(guān)控制?！鹃_(kāi)發(fā)背景】 為了減
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)?！ ?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類(lèi):即最大額定值和電氣特性值。
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)?！ ?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類(lèi):即最大額定值和電氣特性值。
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2010年中國(guó)功率MOSFET領(lǐng)域?qū)⒃鲩L(zhǎng)，但明年將放緩
據(jù)iSuppli公司，由于2010年銷(xiāo)售增長(zhǎng)50%以上，而且產(chǎn)量有限，英飛凌、意法半導(dǎo)體和飛兆半導(dǎo)體等主要供應(yīng)商的某些功率MOSFET對(duì)中國(guó)市場(chǎng)實(shí)行配給，而且交貨期拉長(zhǎng)。2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)到24億美元，比2009
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高
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非對(duì)稱(chēng)雙通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱(chēng)雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%，同時(shí)具有
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非對(duì)稱(chēng)雙通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱(chēng)雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%，同時(shí)具有
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600V、47A N溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。柵極電荷與導(dǎo)通電
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封裝上下均設(shè)有散熱路徑，飛兆發(fā)布新構(gòu)造功率MOSFET
美國(guó)飛兆半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor）開(kāi)發(fā)出面向功率MOSFET的高散熱封裝技術(shù)“Dual Cool”，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)供貨采用該技術(shù)的5款產(chǎn)品。產(chǎn)品用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)元件。通過(guò)將其設(shè)置成不僅封裝底端，從上端也可散
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