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核輻射檢測儀在東京熱賣
日本大地震雖已過去兩個多月，但福島核電站還在發(fā)射放射性物質。這讓日本民眾對核輻射十分擔憂，各種監(jiān)測輻射的檢測儀受到熱捧。在首都東京的很多電器行，檢測儀熱賣到脫銷。據(jù)日本AKIBAOO商店銷售經(jīng)理 MAKOTO OGASA
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富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線
富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機將
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擴增SiC功率半導體產(chǎn)線 富士電機增大生產(chǎn)規(guī)模
富士電機于2011年會計年度（2010年4月~2011年3月）對功率半導體的投資額高達185億日圓（約2.4億美元），約占該公司總投資額的一半。士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野
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富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線
富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。 富
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富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線 預計2012年春季開始量產(chǎn)
富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機將
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富士電機計劃擴增薄膜太陽電池產(chǎn)能至10倍
因接獲來自中國大陸廠商的大單，故日本綜合性電機產(chǎn)品大廠富士電機(FujiElectric)計劃藉由提高旗下熊本工廠產(chǎn)能利用率將薄膜型太陽能電池產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的10倍。據(jù)報導，富士電機的薄膜型太陽能電池以樹脂薄膜作為基
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富士電機投資185億日元改建200mm功率半導體生產(chǎn)線 后工序封裝廠或設在中國
富士電機日前決定建設用于功率半導體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)建設該公司在日本國內的第二條生產(chǎn)線。資料顯示，此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機將有效利用該工廠的
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富士電機欲設用于功率半導體的200mm晶圓量產(chǎn)線
富士電機決定設置用于功率半導體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設置該公司在日本國內的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示，此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機將有效利用該工廠的
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富士電機新設功率半導體200mm晶圓量產(chǎn)線
富士電機決定設置用于功率半導體的晶圓處理工序（前工序）生產(chǎn)線。將在山梨制作所（山梨縣南阿爾卑斯市）設置該公司在日本國內的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示，此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機將有效利用該工
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富士電機新設功率半導體200mm晶圓量產(chǎn)線
富士電機決定設置用于功率半導體的晶圓處理工序（前工序）生產(chǎn)線。將在山梨制作所（山梨縣南阿爾卑斯市）設置該公司在日本國內的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示，此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機將有效利用該工
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富士電機決定新設用于功率半導體的200mm晶圓量產(chǎn)線
富士電機決定設置用于功率半導體的晶圓處理工序（前工序）生產(chǎn)線。將在山梨制作所（山梨縣南阿爾卑斯市）設置該公司在日本國內的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示，此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機將有效利用該工
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富士電機決定新設用于功率半導體的200mm晶圓量產(chǎn)線
富士電機決定設置用于功率半導體的晶圓處理工序（前工序）生產(chǎn)線。將在山梨制作所（山梨縣南阿爾卑斯市）設置該公司在日本國內的第二條生產(chǎn)線。 發(fā)布資料顯示，此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機將有效利用
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薄膜光伏模塊力走偏鋒 向柔性要市場要發(fā)展
2010年由于歐洲國家對光伏產(chǎn)業(yè)的補貼并未出現(xiàn)預期中的大幅縮減，該行業(yè)意外迎來了一個爆發(fā)式增長的時期。不少國內光伏面板廠商透露，今年上半年對歐洲出貨量明顯增加，尤其是德國、意大利的訂單占據(jù)了相當部分比例，
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富士電機開發(fā)出SiC功率元件用小型封裝
富士電機開發(fā)完成了用于SiC功率半導體元件（以下：功率元件）的新封裝。據(jù)富士電機介紹，體積約為原來Si功率元件封裝的1/4。另外，通過采用無需引線鍵合的布線技術、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹脂等，實
