富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
富士電機(jī)于2011年會(huì)計(jì)年度(2010年4月~2011年3月)對(duì)功率半導(dǎo)體的投資額高達(dá)185億日?qǐng)A(約2.4億美元),約占該公司總投資額的一半。士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。 富
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
因接獲來(lái)自中國(guó)大陸廠商的大單,故日本綜合性電機(jī)產(chǎn)品大廠富士電機(jī)(FujiElectric)計(jì)劃藉由提高旗下熊本工廠產(chǎn)能利用率將薄膜型太陽(yáng)能電池產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的10倍。據(jù)報(bào)導(dǎo),富士電機(jī)的薄膜型太陽(yáng)能電池以樹脂薄膜作為基
富士電機(jī)日前決定建設(shè)用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)建設(shè)該公司在日本國(guó)內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工廠的
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國(guó)內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工廠的
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國(guó)內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國(guó)內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國(guó)內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國(guó)內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。 發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用
2010年由于歐洲國(guó)家對(duì)光伏產(chǎn)業(yè)的補(bǔ)貼并未出現(xiàn)預(yù)期中的大幅縮減,該行業(yè)意外迎來(lái)了一個(gè)爆發(fā)式增長(zhǎng)的時(shí)期。不少國(guó)內(nèi)光伏面板廠商透露,今年上半年對(duì)歐洲出貨量明顯增加,尤其是德國(guó)、意大利的訂單占據(jù)了相當(dāng)部分比例,
富士電機(jī)開發(fā)完成了用于SiC功率半導(dǎo)體元件(以下:功率元件)的新封裝。據(jù)富士電機(jī)介紹,體積約為原來(lái)Si功率元件封裝的1/4。另外,通過(guò)采用無(wú)需引線鍵合的布線技術(shù)、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹脂等,實(shí)