受到部份零組件缺貨影響,ODM/OEM廠2017年第四季PC出貨不如預(yù)期,導(dǎo)致固態(tài)硬碟(SSD)需求急降,價(jià)格也一路走跌,2018年上半年NAND Flash市場(chǎng)供過(guò)于求已難避免。市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)期,三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫,新產(chǎn)能將在2019年后開(kāi)出,屆時(shí)NAND Flash市場(chǎng)將供過(guò)于求。
隨著AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的興起,業(yè)界對(duì)于存儲(chǔ)的要求達(dá)到了一個(gè)新的高度。但現(xiàn)在主流的存儲(chǔ)中,NAND的傳輸速度比較慢,而傳輸較快的DRAM則是易失性的,這就推動(dòng)存儲(chǔ)供應(yīng)商往下一代的存儲(chǔ)進(jìn)軍,其中ReRAM就是其中一個(gè)代表。
據(jù)消息稱,聯(lián)發(fā)科今年下半年將重返高端移動(dòng)處理器市場(chǎng),從而再次向高通發(fā)起挑戰(zhàn)。報(bào)道稱,為了迎接5G時(shí)代的到來(lái),聯(lián)發(fā)科最早將于2018年下半年重返高端移動(dòng)處理器市場(chǎng),再次推出Helio X旗艦智能手機(jī)芯片組。而今年上半年,聯(lián)發(fā)科仍將以Helio P系列中端產(chǎn)品為主。
近日,英特爾被曝出他們的處理器存在一個(gè)安全漏洞,這一漏洞能夠?qū)е虏涣贾皆L問(wèn)到個(gè)人電腦內(nèi)核訪問(wèn)的內(nèi)存數(shù)據(jù),其中包括用戶賬號(hào)密碼、應(yīng)用程序文件,文件緩存等。比較徹底的解決辦法是從硬件層面上修復(fù)。
Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲(chǔ)器,為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫(kù)等業(yè)界各領(lǐng)域。
美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校與國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員正著手打造一種分子大小的形變記憶體技術(shù),它只需要幾個(gè)原子,就可以將0與1當(dāng)做形狀進(jìn)行儲(chǔ)存,而且能搭配未來(lái)的原子級(jí)處理器…
近日,根據(jù)一份來(lái)自IDC最新的有關(guān)企業(yè)級(jí)SSD閃存市場(chǎng)的報(bào)告顯示,SSD企業(yè)級(jí)市場(chǎng)未來(lái)前景依然強(qiáng)勁,2016年到2021年期間,出貨量、收入和總出貨容量預(yù)計(jì)都會(huì)呈現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。IDC預(yù)計(jì)全球SSD出貨量的5年復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到15.1%。SSD行業(yè)收入預(yù)計(jì)到2021年達(dá)到336億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為14.8%。
今日,國(guó)新辦就北斗系統(tǒng)開(kāi)通五周年有關(guān)情況舉行新聞發(fā)布會(huì)。中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)管理辦公室主任、北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)發(fā)言人冉承其介紹,我國(guó)國(guó)產(chǎn)北斗芯片實(shí)現(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用,工藝由
很多時(shí)候,人們沒(méi)有水晶球,無(wú)法判斷未來(lái),詢問(wèn)CEO對(duì)業(yè)績(jī)的展望,也不能只聽(tīng)他嘴里說(shuō)什么,還要看看公司通過(guò)的資本支出額到底有多少。當(dāng)資本支出大增,真的花錢買廠房、機(jī)臺(tái)與設(shè)備,才真正代表CEO已掌握大訂單,或?qū)ξ磥?lái)接單展望很樂(lè)觀。
對(duì)于比特幣的估值,分析師的看法明顯趨向極端。一派隨著價(jià)格走高一路喊高,似乎10萬(wàn)、100萬(wàn)美元指日可待,另一派直呼泡沫即將破滅。摩根士丹利(Morgan Stanley)明顯屬于后者。
摩爾定律在20年前就被唱衰,但直到現(xiàn)在,半導(dǎo)體工程師們?nèi)匀话l(fā)揚(yáng)釘子精神,從方寸之地騰挪出無(wú)限空間。
根據(jù)最近在微博流傳的跑分?jǐn)?shù)據(jù),華為(Huawei)新一代“麒麟 970”(Kirin 970)處理器,比高通(Qualcomm)“驍龍 845”(Snapdragon 845)的得分還要高出 7%。
近期編碼型存儲(chǔ)器(Nor Flash)因市場(chǎng)需求不減,價(jià)格依舊持續(xù)維持高檔。不過(guò),目前大陸有新產(chǎn)能開(kāi)出,加上新的解決方案應(yīng)用,導(dǎo)致供需雙方面都有變化的情況下,整體市場(chǎng)價(jià)格開(kāi)始有松動(dòng)傾向。
石墨烯,2004年重新發(fā)現(xiàn)的神奇材料以及其他許多二維材料正在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域取得進(jìn)展,這一切源于硅的適用價(jià)值開(kāi)始逐漸消失。 雖然已經(jīng)有很多砷化鎵、氮化鎵和碳化硅等化合物在應(yīng)用中,但是這些材料通常只能在局部市場(chǎng)的特定領(lǐng)域上應(yīng)用。
Intel與AMD都承認(rèn)了他們?cè)诤献鞔蛟煲豢領(lǐng)ntel CPU+AMD GPU的移動(dòng)版處理器,CPU部分來(lái)自Intel第八代酷睿處理器,GPU部分由AMD的Vega,并且會(huì)使用HBM2顯存節(jié)省空間,具體細(xì)節(jié)之前是不清楚的,不過(guò)近日有人找到了些蛛絲馬跡。
經(jīng)過(guò)十多年的沉潛,次世代內(nèi)存的產(chǎn)品,包含F(xiàn)RAM(鐵電內(nèi)存),MRAM(磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和RRAM(可變電阻式內(nèi)存),在物聯(lián)網(wǎng)與智能應(yīng)用的推動(dòng)下,開(kāi)始找到利基市場(chǎng)。
日前,美國(guó)知名科技媒體Android Authority主筆Gary Sims對(duì)麒麟970進(jìn)行了深度解讀,講述了麒麟970的人工智能NPU的工作原理,對(duì)芯片設(shè)計(jì)的深遠(yuǎn)影響,以及為用戶使用場(chǎng)景帶來(lái)的跨越式體驗(yàn)。
近日,歐洲半導(dǎo)體巨頭NXP公司對(duì)其代理商發(fā)出了漲價(jià)通知。通知稱,將從2018年第一季度開(kāi)始對(duì)NXP旗下MCU(微控制器)、數(shù)字化網(wǎng)絡(luò)、汽車微控制器等主要產(chǎn)品上調(diào)價(jià)格。漲價(jià)幅度在5%—10%不等,這標(biāo)志著半導(dǎo)體巨頭打響了2018年MUC芯片漲價(jià)的第一槍。
據(jù)報(bào)道,三星電子宣布,公司已開(kāi)始通過(guò)第二代10納米級(jí)制程工藝量產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。三星稱,公司使用第二代10納米級(jí)工藝生產(chǎn)出了8Gb DDR4芯片,實(shí)現(xiàn)了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10納米級(jí)工藝生產(chǎn)出了8Gb DDR4芯片。
近日,英特爾宣布推出英特爾® Stratix® 10 MX FPGA,該產(chǎn)品是行業(yè)首款采用集成式高帶寬內(nèi)存 DRAM (HBM2) 的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA)。通過(guò)集成 HBM2,英特爾 Stratix 10 MX FPGA 可提供 10 倍于獨(dú)立 DDR 內(nèi)存解決方案的內(nèi)存帶寬1。憑借強(qiáng)大帶寬功能,英特爾 Stratix 10 MX FPGA 可用作高性能計(jì)算 (HPC)、數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化 (NFV) 和廣播應(yīng)用的基本多功能加速器,這些應(yīng)用需要硬件加速器提升大規(guī)模數(shù)據(jù)移