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一款八路閃光集成電路
一款八路閃光集成電路
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一款簡(jiǎn)易彩燈控制電路
一款簡(jiǎn)易彩燈控制電路
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基于MC34063的DC-DC電路變換的低成本實(shí)現(xiàn)
引言在電源電路中，出于溫升、效率以及其它因素的考慮，DC-DC變換應(yīng)用很多，本文介紹一種低成本的DC-DC變換實(shí)現(xiàn)方案，它可以實(shí)現(xiàn)降壓、升壓與電壓反轉(zhuǎn)應(yīng)用，其電路簡(jiǎn)單、成
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定時(shí)振蕩器MEMS爆發(fā)點(diǎn) 下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用困于標(biāo)準(zhǔn)？
自1959年微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的構(gòu)想被提出，歷經(jīng)幾十年的發(fā)展，今天，MEMS產(chǎn)品正成為推動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展的巨大驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，在未來(lái)五年內(nèi)，MEMS將以每年20%增長(zhǎng)(遠(yuǎn)超其他半導(dǎo)體產(chǎn)品)，而此在半導(dǎo)體
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MEMS爆發(fā)點(diǎn)為定時(shí)振蕩器 下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用困于標(biāo)準(zhǔn)？
自1959年微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的構(gòu)想被提出，歷經(jīng)幾十年的發(fā)展，今天，MEMS產(chǎn)品正成為推動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展的巨大驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，在未來(lái)五年內(nèi)，MEMS將以每年20%增長(zhǎng)(遠(yuǎn)超其他半導(dǎo)體產(chǎn)品)，而此在半導(dǎo)體
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移動(dòng)處理器業(yè)者攪局 MEMS與石英振蕩器戰(zhàn)局生變
瞄準(zhǔn)行動(dòng)裝置輕薄與低功耗設(shè)計(jì)需求，MEMS振蕩器業(yè)者積極以較小尺寸及功耗的32kHz振蕩器搶食傳統(tǒng)石英市占，讓石英與MEMS振蕩器戰(zhàn)火愈演愈烈。不過，近期行動(dòng)處理器已開始整合32kHz諧振電路，將使MEMS振蕩器頓失發(fā)揮空
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三路閃爍燈串電路（5）
三路閃爍燈串電路（5）
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基于LM1830的液位指示電路設(shè)計(jì)
M1830是一個(gè)單片集成電路，可用于液位指示器/控制系統(tǒng)。由國(guó)家半導(dǎo)體公司制造的LM1830可以檢測(cè)極性流體的存在或不存在?；诖薎C電路需要最低數(shù)量的外部元件和交流信號(hào)傳遞是通過浸沒在流體的傳感探頭。交流檢測(cè)信號(hào)
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L297-L298的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路圖
使用通過SGS湯姆遜(ST)生產(chǎn)的集成電路控制L297-L298的兩相雙極性或單極性四相步進(jìn)電機(jī)與控制電路(舞臺(tái)上允許的最大電流為2 A)。這種集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生控制信號(hào)雙定子，并允許選擇的行駛方向和執(zhí)行一個(gè)完整的一步或半
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用SGZ制作光控自動(dòng)閃爍燈
用SGZ制作光控自動(dòng)閃爍燈
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用M5232L制作光控自動(dòng)警示燈
用M5232L制作光控自動(dòng)警示燈
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用CD4069制作夢(mèng)幻燈
用CD4069制作夢(mèng)幻燈
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路障閃爍告警燈電路（1）
路障閃爍告警燈電路（1）
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IDT新型微機(jī)電振蕩器具備低相位抖動(dòng)
IDT 推出一款有著典型相位抖動(dòng)效能為 100飛秒及整合型頻率容限能力的差動(dòng)式微機(jī)電振蕩器。這款有著極低相位抖動(dòng)及智慧型輸出頻率的IDT高效能振蕩器，在10GbE乙太網(wǎng)路的交換器、路由器、以及其他相關(guān)的網(wǎng)路設(shè)備上，可
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一種應(yīng)用于D類音頻放大器的CMOS振蕩器的設(shè)計(jì)
摘要：文中介紹了一種應(yīng)用于低D類音頻功放的CMOS振蕩器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，用于對(duì)音頻信號(hào)的調(diào)制。振蕩器采用內(nèi)部正反饋的遲滯比較器設(shè)計(jì)，大大降低了電源電壓和環(huán)境溫度時(shí)CMOS振蕩器振蕩頻率的影響。理論分析及仿真結(jié)果表明，
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SiTime再祭殺手锏 MEMS搶收石英市占
電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)正全線走向高集成、微型化與智能化。一場(chǎng)由MEMS器件風(fēng)暴席卷而來(lái)的電子產(chǎn)品急劇變革的洗禮已是大勢(shì)所趨，MEMS時(shí)鐘器件正全面收復(fù)石英市占。高舉“全硅時(shí)鐘技術(shù)”大旗的全硅MEMS時(shí)鐘廠商SiTime
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Vectron International推出高性能MEMS振蕩器產(chǎn)品系列
21ic訊 Vectron International日前宣布推出增強(qiáng)型高性能MEMS產(chǎn)品系列。新推出的這一代基于MEMS的振蕩器可以為所有市場(chǎng)領(lǐng)域的傳統(tǒng)時(shí)鐘應(yīng)用提供支持。Vectron總裁Hajec表示：“自2004年以來(lái)Vectron一直致力于服務(wù)
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簡(jiǎn)單長(zhǎng)延時(shí)定時(shí)器電路
簡(jiǎn)單長(zhǎng)延時(shí)定時(shí)器電路
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晶振的負(fù)載電容問題
負(fù)載電容(請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表中的具體說明)注：有效負(fù)載電容晶振制造商通常會(huì)在晶振的數(shù)據(jù)表中定義有效負(fù)載電容。從電子學(xué)角度來(lái)說，電容器以串行方式連接到引腳XIN 與XOUT上，這時(shí)有效負(fù)載電容為：C(eff) = {C(XIN) ? C(X
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硅MEMS振蕩器將改變手機(jī)晶振器件供應(yīng)格局
傳統(tǒng)的石英晶振正在被硅器件取代，硅MEMS時(shí)鐘器件憑借標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體工藝和可高量產(chǎn)的塑殼封裝技術(shù)，使得時(shí)鐘晶振器件的交貨周期和供貨能力發(fā)生革命性變化，并且，尺寸也縮小70%以上，更宜集成。美國(guó)SiTime公司續(xù)推出針
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