通過采用DMOS FET [1]型輸出驅(qū)動(dòng)器來擴(kuò)大高效晶體管陣列陣容東芝公司今天宣布,該公司正在開發(fā)BiCD[2]晶體管陣列TB62xxxA系列,以取代其雙極晶體管陣列TD62xxx系列。后者在
在PWM和電子鎮(zhèn)流器當(dāng)中,半橋電路發(fā)揮著重要的作用。半橋電路由兩個(gè)功率開關(guān)器件組成,它們以圖騰柱的形式連接在一起,并進(jìn)行輸出,提供方波信號(hào)。本篇文章將為大家介紹
東芝公司今天宣布推出一款采用SO6L封裝的晶體管輸出光電耦合器,該產(chǎn)品可用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的DIP4引腳封裝產(chǎn)品。出貨即日啟動(dòng)。新產(chǎn)品“TLP385”的絕緣規(guī)格與DIP4 F(寬引線)型封裝產(chǎn)品相當(dāng),并保證了8mm(最小)
日前,全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片成果產(chǎn)出,這是由臺(tái)積電幫助海思半導(dǎo)體雙方合作后的成果。根據(jù)設(shè)備廠透露,這個(gè)成果表明了臺(tái)積電的16納米技術(shù)在面對(duì)英特爾以及三星的強(qiáng)力壓力下,已
1.基極必須串接電阻,保護(hù)基極,保護(hù)CPU的IO口。2.基極根據(jù)PNP或者NPN管子加上拉電阻或者下拉電阻。3.集電極電阻阻值根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流實(shí)際情況調(diào)整。同樣基極電阻也可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整。基極和發(fā)射極需要串接電阻,該電
超外差式袖珍收音機(jī)的接收電路
FM收音自動(dòng)搜索和觸發(fā)電路
MOSFET,金屬-氧化層 半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管,簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管
50年前,Jack Kilby向少數(shù)幾名聚集在德州儀器半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室的同事展示的其實(shí)是一個(gè)并不復(fù)雜的裝置——它僅僅是在一塊鍺片上嵌置了一只晶體管和一些其他的元件。當(dāng)時(shí)在場(chǎng)的人員根本不會(huì)想到,Jack Kilby的
近日,國內(nèi)外媒體報(bào)道了搭載Tonga PRO芯片的R9-285發(fā)布的消息,各大網(wǎng)站也通過這種測(cè)評(píng)來顯示這個(gè)顯卡的實(shí)力。Tonga由于具備50億晶體管,并且價(jià)格還非常給力,吸引了眾多消費(fèi)者的關(guān)注。而AMD卻對(duì)細(xì)節(jié)問題有所保留,
21ic訊 Jack Kilby成功發(fā)明的首個(gè)集成電路是將一只晶體管、數(shù)個(gè)電阻器和一個(gè)電容器嵌置在一片不到半英尺長的鍺片上制成的。無論用哪種標(biāo)準(zhǔn)衡量,這種裝置都只能用粗糙來形容,但示波器屏幕卻顯示這塊集成電路確實(shí)能
晶體管漏電脫扣器保護(hù)電路
三相電動(dòng)機(jī)斷相晶體管保護(hù)電路
在圖8 - 9(a)中, 晶體管工作于共發(fā)射極方式, 其集電極電壓通過變壓器T反饋回基極, 而變壓器繞組的接法應(yīng)實(shí)現(xiàn)正反饋。 當(dāng)電路一接通, 立即產(chǎn)生強(qiáng)烈的自激振蕩, 晶體管迅速進(jìn)入飽和工作區(qū), 集電極電壓uce達(dá)到飽和電壓
想象一下,如果科學(xué)家在一塊芯片上重塑了一個(gè)你,或是你的一部分,會(huì)有什么樣的效果呢?至少對(duì)于醫(yī)生來說,這是個(gè)不錯(cuò)的創(chuàng)新,因?yàn)樗梢詭椭t(yī)生識(shí)別出快速治愈你的方法,患者也不用再經(jīng)歷痛苦的“試錯(cuò)治療&rdq
本設(shè)計(jì)實(shí)例是一個(gè)2線式電流調(diào)節(jié)器(圖1),它在性能和器件數(shù)目之間達(dá)到了很好的平衡。通過使用三個(gè)晶體管、三個(gè)電阻和一個(gè)LED燈,可實(shí)現(xiàn)很好的調(diào)節(jié)效果(在大部分電壓范圍
之前我們?cè)敿?xì)了解過Intel 14nm工藝的過人之處,但那基本只是單一的介紹,沒有和其他廠商、其他工藝的正面對(duì)比。日本同行PCWatch近日也對(duì)Intel新工藝做了一番解析,更加凸顯了世界第一芯片巨頭的強(qiáng)悍。Intel 22nm工藝
7MHz高頻載波振蕩器
455kHz載波振蕩電路
頻率可變的晶體管振蕩電路