晶體管

采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路圖

該電路由穩(wěn)壓管D1、晶體管T以及電阻R1、R2構(gòu)成恒流源，可供給由基準(zhǔn)二極管D2和負(fù)載電阻Rl（這里為68k歐）構(gòu)成的并聯(lián)電路電流約7.6mA。由于D1上電流遠(yuǎn)大于晶體管的基-射極電流而D1中的電流又設(shè)計(jì)得很大（5mA），因此，

恩智浦?jǐn)U大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)日前宣布擴(kuò)大了其超小型分立式薄型無(wú)引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前，恩智浦提供60款雙極性晶體管(BJT)和12款小信號(hào)單N/P溝道MOSFET產(chǎn)品，均采用

新型晶體管特性圖示儀掃描信號(hào)發(fā)生器電路設(shè)計(jì)

引 言晶體管特性圖示儀是電子測(cè)量常用儀器之一，日前通用的晶體管特性圖示儀的掃描信號(hào)和階梯信號(hào)由50 Hz工頻市電變換而來(lái)，掃描頻率低，顯示的特性曲線閃爍嚴(yán)重，穩(wěn)定性差;X軸掃描為正弦脈沖，線性度差，在顯示晶體

運(yùn)算放大器和達(dá)林頓晶體管的恒流源電路圖

電路由于采用達(dá)林頓晶體管BSY86后輸出電流較大。輸出電流最大值由電阻R=150歐限制，輸出電流的大小由電位器RP1調(diào)節(jié)，并且與負(fù)載電阻Rl無(wú)關(guān)而保持常數(shù)。圖中電位器RP1采用10k歐，電流可在5uA～40mA范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。運(yùn)算放

運(yùn)算放大器和達(dá)林頓晶體管的恒流源電路圖

電路由于采用達(dá)林頓晶體管BSY86后輸出電流較大。輸出電流最大值由電阻R=150歐限制，輸出電流的大小由電位器RP1調(diào)節(jié)，并且與負(fù)載電阻Rl無(wú)關(guān)而保持常數(shù)。圖中電位器RP1采用10k歐，電流可在5uA～40mA范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。運(yùn)算放

分享晶體管的檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

追隨離職上司跳槽？

段時(shí)間以來(lái)，由于中國(guó)區(qū)總裁周鴻的離職，被阿里巴巴收購(gòu)的雅虎中國(guó)流傳著副總裁齊向東與田健將追隨周離職的消息。近日雅虎中國(guó)副總裁、3721總經(jīng)理齊向東正式辭去在雅虎中國(guó)的所有職務(wù)，他證實(shí)說(shuō)，自己不會(huì)追隨周鴻煒

晶體管混頻器電路03

晶體管混頻器電路02

晶體管混頻器電路01

采用達(dá)林頓晶體管的紅外發(fā)送電路

追隨離職上司跳槽？

追隨離職上司跳槽？

夏普支付1.985億美元和解TFT晶體管訴訟案

北京時(shí)間7月10日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本液晶面板供應(yīng)商夏普已同意向戴爾及另外兩家公司支付1.985億美元，就該公司在北美及歐洲地區(qū)的TFT(薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)業(yè)務(wù)訴訟案達(dá)成和解。目前尚不清楚訴訟涉及哪些公司。但據(jù)推

夏普支付巨資和解TFT晶體管訴訟案

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本液晶面板供應(yīng)商夏普已同意向戴爾及另外兩家公司支付1.985億美元，就該公司在北美及歐洲地區(qū)的TFT(薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)業(yè)務(wù)訴訟案達(dá)成和解。目前尚不清楚訴訟涉及哪些公司。但據(jù)推斷指控涉及東芝、

28nm到14nm工藝代溝，全耗盡硅技術(shù)如何彌補(bǔ)？

今日的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷著若干充滿(mǎn)挑戰(zhàn)性的轉(zhuǎn)型過(guò)程，不過(guò)這也為Soitec為市場(chǎng)與客戶(hù)創(chuàng)造新增加值帶來(lái)了巨大機(jī)遇。隨著傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)的日薄西山——這一點(diǎn)從28nm巨大產(chǎn)量與20nm缺乏吸引力的規(guī)格與成本就可以看出，

28nm到14nm工藝代溝，全耗盡硅技術(shù)如何彌補(bǔ)？

今日的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷著若干充滿(mǎn)挑戰(zhàn)性的轉(zhuǎn)型過(guò)程，不過(guò)這也為Soitec為市場(chǎng)與客戶(hù)創(chuàng)造新增加值帶來(lái)了巨大機(jī)遇。隨著傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)的日薄西山——這一點(diǎn)從28nm巨大產(chǎn)量與20nm缺乏吸引力的規(guī)格與成本就可以看出，

晶體管的相關(guān)知識(shí)介紹

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

SoC低電壓SRAM技術(shù)介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑

具有助推晶體管的12W低噪音音頻放大器電路

晶體管驅(qū)動(dòng)電路圖