晶體管

電子整流器中采用聯(lián)柵晶體管的電路圖

電子整流器中采用聯(lián)柵晶體管的電路圖

時(shí)速96公里 50年代電動(dòng)車成現(xiàn)代車雛形

1947年，點(diǎn)接觸晶體管的發(fā)明帶來了現(xiàn)代電控技術(shù)并改進(jìn)了電池組。于是，Henney車身設(shè)計(jì)公司和國(guó)家聯(lián)合電子公司合資組建一個(gè)基于晶體管技術(shù)的電動(dòng)汽車公司，這家公司通過技術(shù)鉆研，確實(shí)研制出了世界第一款現(xiàn)代電動(dòng)車H

晶體管穩(wěn)壓電路圖

二極管橋和晶體管構(gòu)建的XOR/XNOR功能

在用高于常見的電源電壓(如24V)設(shè)計(jì)邏輯電路時(shí)，可以結(jié)合使用標(biāo)準(zhǔn)邏輯系列與一只穩(wěn)壓器，通過電平轉(zhuǎn)換器做接口。另外，如果邏輯并不太復(fù)雜，速度也不是非常高，可以用分立元件建立門控電路，直接用當(dāng)前電壓運(yùn)行。分立

555晶體管特性曲線描繪儀電路圖

如圖所示是555晶體管特性曲線描繪儀電路，描繪晶體管特性，要有兩種電壓，一是加在b極上的階梯波，用于產(chǎn)生不同的Ib，二是c極上的鋸齒波，其周期與階梯波相對(duì)應(yīng)，以描繪出Ic-Vcc特性曲線。如圖所示，555和R1、R2、C1

將運(yùn)算放大器用作比較器—此舉可行嗎？

許多人偶爾會(huì)把運(yùn)算放大器當(dāng)比較器使用。一般而言，當(dāng)您只需要一個(gè)簡(jiǎn)單的比較器，并且您在四運(yùn)算放大器封裝中還有一個(gè)“多余”運(yùn)算放大器時(shí)，這種做法是可行的。穩(wěn)定運(yùn)算放大器運(yùn)行所需的相位補(bǔ)償意味著把

采用晶體管的觸摸開關(guān)電路

旋轉(zhuǎn)監(jiān)控器電路圖

利用該電路可以監(jiān)控機(jī)械零件是否旋轉(zhuǎn)，其發(fā)送器采用接近開關(guān)AS。待監(jiān)控的設(shè)備零件旋轉(zhuǎn)時(shí)經(jīng)過縫隙處切斷振蕩電路。接近開關(guān)是作為可變電阻接在分壓電路上的，分壓電壓支點(diǎn)處接施密特觸發(fā)器，這可以使矩形波電壓有陡的

25歐揚(yáng)聲器的過載保護(hù)電路圖

如圖過載保護(hù)電路功率為650mW，電源電壓12V，揚(yáng)聲器25歐。部分元件規(guī)格：VT1：晶體管NB111EH/J VT2：晶體管：NR001E VT3：晶體管NA11EB/J VT4：晶體管NA12EB/J

選頻光電繼電器電路圖

此電路可借助于調(diào)制光信號(hào)控制繼電器。調(diào)制頻率約2.7kHz。接收電路的選擇性決定于兩個(gè)并聯(lián)的T型網(wǎng)絡(luò)（圖b）。其中RC元件參數(shù)決定了以2.7kHz為中心的很窄的截止頻帶。對(duì)于頻帶以外的信號(hào)，通過第二個(gè)晶體管BC108的發(fā)射

探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

根據(jù)最新消息，ARM與臺(tái)積電宣布簽署一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對(duì)象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)

探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

根據(jù)最新消息，ARM與臺(tái)積電宣布簽署一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對(duì)象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)

SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑

高頻硅PNP晶體管3CG120高溫失效機(jī)理研究

摘要：為了保證在高溫條件下，正確使用高頻硅PNP晶體管3CG120，文中對(duì)3CG120在不同溫度段的失效機(jī)理進(jìn)行了研究。通過對(duì)硅PNP型晶體管3CG120進(jìn)行170～340℃溫度范圍內(nèi)序進(jìn)應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)在170～240℃，240～2

恩智浦?jǐn)U大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

中國(guó)上海，7月30日——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)今日宣布擴(kuò)大了其超小型分立式薄型無引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前，恩智浦提供60款雙極性晶體管

晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響

　在電路中，不管晶體管是工作在直流工作狀態(tài)還是交流工作狀態(tài)，正確選擇晶體管的直流參數(shù)是很重要的。也就是說，應(yīng)根據(jù)工作環(huán)境中直流電路的工作狀態(tài)要求，對(duì)晶體管進(jìn)行最基礎(chǔ)的選擇，確定晶體管的工作電壓，工作電

面板分等級(jí)概念液晶面板鑒別四個(gè)方面

標(biāo)簽：.面板鑒別 液晶面板1.液晶面板的壞點(diǎn)在未介紹液晶面板的等級(jí)之前，筆者先為各位讀者介紹液晶面板上所存在的“壞點(diǎn)”的具體概念，以便于后面以此為根據(jù)來區(qū)分液晶面板的等級(jí)。液晶面板是由大量的像素

增壓電路分析

這里描述的電源把電壓從一節(jié)手電筒電池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏，同時(shí)用電源把LED和手電筒電池串聯(lián)起來。設(shè)計(jì)這種電路是為了用LED對(duì)手電筒進(jìn)行改進(jìn)。增壓電路在有兩節(jié)電池的手電筒中將代替的一節(jié)電池，LED裝置則

使用晶體管開關(guān)器件的升壓型開關(guān)電源電路圖

圖上的電路是把Tr1換為晶體管，并插入限制基極電流的電阻R0.這樣的電路即使只有1節(jié)錳電池的輸入電壓（約等于1.5V）也能夠充分工作（使74HC14在1.5V下工作是違規(guī)的）。但是由于必須流過較大的基極電流，所以電路的效率