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從晶圓代工轉(zhuǎn)回IDM，有可能嗎？
最近，《EETimes》記者RickMerritt在采訪(fǎng)英特爾高層MarkBohr的一篇報(bào)導(dǎo)中寫(xiě)道：“MarkBohr認(rèn)為，無(wú)晶圓廠經(jīng)營(yíng)模式已經(jīng)快不行了。”這篇報(bào)導(dǎo)引起了廣大回響，因?yàn)閮?nèi)容暗示了英特爾將重回智慧手機(jī)市場(chǎng)，并對(duì)
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曾繁城:晶圓代工能見(jiàn)度看到Q3憂(yōu)經(jīng)濟(jì)持續(xù)低迷
創(chuàng)意(3443)今日召開(kāi)股東會(huì)，董事長(zhǎng)曾繁城指出，晶圓代工市況表現(xiàn)強(qiáng)勁，訂單能見(jiàn)度看到第三季，主要是來(lái)自于蘋(píng)果、三星等廠商推出新穎產(chǎn)品，訂單能見(jiàn)度提高；不過(guò)全球經(jīng)濟(jì)景氣均透露不佳消息，包括美國(guó)失業(yè)率降不下來(lái)
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晶圓代工漲多轉(zhuǎn)進(jìn)落后股
晶圓代工廠第二季營(yíng)收拉高，包括瑞銀等外資，開(kāi)始擔(dān)心下半年半導(dǎo)體庫(kù)存走高問(wèn)題，在基期墊高下?lián)呐_(tái)積電第三季營(yíng)收表現(xiàn)，建議投資人轉(zhuǎn)進(jìn)漲幅較低的聯(lián)電、世界先進(jìn)。日商大和證券日前調(diào)降臺(tái)積電投資評(píng)等，大和證分析
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Q2半導(dǎo)體沖鋒 產(chǎn)值估季增14% 晶圓代工增幅最強(qiáng)
工研院ITIS發(fā)布統(tǒng)計(jì)資料，總計(jì)今年第1季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)值達(dá)3601億元，較第4季下滑3.1%，雖受淡季影響，但降幅較以往10%還少，展望第2季，ITIS預(yù)估，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入成長(zhǎng)階段，估產(chǎn)值可達(dá)4115億元，較第1季成長(zhǎng)14.3%，
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從晶圓代工轉(zhuǎn)回IDM，有可能嗎？
最近，《EETimes》記者RickMerritt在采訪(fǎng)英特爾高層MarkBohr的一篇報(bào)導(dǎo)中寫(xiě)道：“MarkBohr認(rèn)為，無(wú)晶圓廠經(jīng)營(yíng)模式已經(jīng)快不行了?！边@篇報(bào)導(dǎo)引起了廣大回響，因?yàn)閮?nèi)容暗示了英特爾將重回智慧手機(jī)市場(chǎng)，并對(duì)目前由臺(tái)積
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臺(tái)積研發(fā)費(fèi)用400億創(chuàng)歷史新高
晶圓代工龍頭臺(tái)積電年度技術(shù)論壇在新竹登場(chǎng)，為維持技術(shù)領(lǐng)先地位，內(nèi)部確定今年研發(fā)費(fèi)用占年度營(yíng)收比重8%，業(yè)界推算研發(fā)費(fèi)用上看400億元，創(chuàng)下歷史新高，年增逾18%，全力防堵競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和英特爾滲透晶圓代工市場(chǎng)。
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從晶圓代工轉(zhuǎn)回IDM，有可能嗎？
最近，《EE Times》記者Rick Merritt在采訪(fǎng)英特爾高層Mark Bohr的一篇報(bào)導(dǎo)中寫(xiě)道：“Mark Bohr認(rèn)為，無(wú)晶圓廠經(jīng)營(yíng)模式已經(jīng)快不行了。” 這篇報(bào)導(dǎo)引起了廣大回響，因?yàn)閮?nèi)容暗示了英特爾將重回智慧手機(jī)市場(chǎng)，并對(duì)目前
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臺(tái)積研發(fā)費(fèi)用400億創(chuàng)歷史新高
晶圓代工龍頭臺(tái)積電年度技術(shù)論壇在新竹登場(chǎng)，為維持技術(shù)領(lǐng)先地位，內(nèi)部確定今年研發(fā)費(fèi)用占年度營(yíng)收比重8%，業(yè)界推算研發(fā)費(fèi)用上看400億元，創(chuàng)下歷史新高，年增逾18%，全力防堵競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和英特爾滲透晶圓代工市場(chǎng)。
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吳宗翰:臺(tái)積電資本支出創(chuàng)新高的意涵
【文／吳宗翰】 今年第一季臺(tái)股從七千點(diǎn)以下開(kāi)始反彈，最高漲到八一七○點(diǎn)，其中臺(tái)股權(quán)值最重的臺(tái)積電，在第一季漲幅超過(guò)一○％，對(duì)指數(shù)貢獻(xiàn)良多；就算四月份因油電雙漲與證所稅的利空襲擊，加權(quán)指數(shù)下跌五○○點(diǎn)，
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營(yíng)收增2成 中芯Q2拼虧轉(zhuǎn)盈
【蕭文康╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】臺(tái)灣晶圓雙雄同步看好晶圓代工產(chǎn)業(yè)景氣后，中國(guó)最大晶圓廠中芯國(guó)際也同樣看好通訊、手機(jī)需求增加，以及上中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)同步成長(zhǎng)，預(yù)估本季營(yíng)收將較上季成長(zhǎng)19~21%，季增幅度與臺(tái)積電（2330）相
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吳宗翰：臺(tái)積電資本支出創(chuàng)新高的意涵
今年第一季臺(tái)股從七千點(diǎn)以下開(kāi)始反彈，最高漲到八一七○點(diǎn)，其中臺(tái)股權(quán)值最重的臺(tái)積電，在第一季漲幅超過(guò)一○％，對(duì)指數(shù)貢獻(xiàn)良多；就算四月份因油電雙漲與證所稅的利空襲擊，加權(quán)指數(shù)下跌五○○點(diǎn)，臺(tái)積電卻仍上漲，
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臺(tái)積電4月?tīng)I(yíng)收404億 創(chuàng)新高
晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電（2330）昨公布4月?tīng)I(yíng)收，以合并營(yíng)收達(dá)404.96億元?jiǎng)?chuàng)單月合并營(yíng)收歷史新高紀(jì)錄，較3月增長(zhǎng)達(dá)9.2%，也比去年同期增加9.1%。1到4月累計(jì)營(yíng)收為1460.04億元，較去年同期增加2.5%。法人預(yù)期5月起單月?tīng)I(yíng)
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臺(tái)積電4月?tīng)I(yíng)收404億 創(chuàng)新高
晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電（2330）昨公布4月?tīng)I(yíng)收，以合并營(yíng)收達(dá)404.96億元?jiǎng)?chuàng)單月合并營(yíng)收歷史新高紀(jì)錄，較3月增長(zhǎng)達(dá)9.2%，也比去年同期增加9.1%。1到4月累計(jì)營(yíng)收為1460.04億元，較去年同期增加2.5%。法人預(yù)期5月起單月?tīng)I(yíng)
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臺(tái)積加持封測(cè)廠5月唱旺
晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）4月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)下歷史新高，旗下11座晶圓廠的產(chǎn)能利用率全線(xiàn)滿(mǎn)載，且產(chǎn)能將一路滿(mǎn)載到第3季底。臺(tái)積電投片量在3月起急速拉高，成品晶圓將在5月起陸續(xù)送達(dá)后段封測(cè)廠進(jìn)行封裝及測(cè)試，因此日月光
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臺(tái)積電4月?tīng)I(yíng)收404億 創(chuàng)新高
〔記者洪友芳／新竹報(bào)導(dǎo)〕晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電（2330）昨公布4月?tīng)I(yíng)收，以合并營(yíng)收達(dá)404.96億元?jiǎng)?chuàng)單月合并營(yíng)收歷史新高紀(jì)錄，較3月增長(zhǎng)達(dá)9.2%，也比去年同期增加9.1%。1到4月累計(jì)營(yíng)收為1460.04億元，較去年同期增加2
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臺(tái)積電：年底28奈米D0可達(dá)0.1 營(yíng)收占比逾20%
臺(tái)積電 (2330)今(10日)舉辦2012年技術(shù)論壇，產(chǎn)品發(fā)展副總經(jīng)理秦永沛指出，根據(jù)SEMI提供的統(tǒng)計(jì)資料顯示，在2011年底，若除去記憶體相關(guān)部分，臺(tái)積電的晶圓代工當(dāng)年產(chǎn)能，為英特爾的1.5倍、三星的2倍，已是全球最大的晶
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臺(tái)積研發(fā)費(fèi)用400億 創(chuàng)新高
晶圓代工龍頭臺(tái)積電年度技術(shù)論壇今（10）日在新竹登場(chǎng)，為維持技術(shù)領(lǐng)先地位，內(nèi)部確定今年研發(fā)費(fèi)用占年度營(yíng)收比重8%，業(yè)界推算研發(fā)費(fèi)用上看400億元，創(chuàng)下歷史新高，年增逾18%，全力防堵競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和英特爾滲透晶圓
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臺(tái)積研發(fā)費(fèi)用400億 創(chuàng)新高
晶圓代工龍頭臺(tái)積電年度技術(shù)論壇今（10）日在新竹登場(chǎng)，為維持技術(shù)領(lǐng)先地位，內(nèi)部確定今年研發(fā)費(fèi)用占年度營(yíng)收比重8%，業(yè)界推算研發(fā)費(fèi)用上看400億元，創(chuàng)下歷史新高，年增逾18%，全力防堵競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和英特爾滲透晶圓
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研發(fā)支出／臺(tái)積電跟三星比 還有段距離
臺(tái)積電近4年的研發(fā)支出年成長(zhǎng)率每年都維持在兩位數(shù)以上，業(yè)界認(rèn)為，這顯示臺(tái)積電所屬的晶圓代工產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，靠著IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)與整合元件制造廠（IDM）兩大客戶(hù)加持，擁有技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力的臺(tái)積電透過(guò)研發(fā)，穩(wěn)固老大地位，
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五家半導(dǎo)體企業(yè)有意在印度設(shè)晶圓廠
受印度政府計(jì)劃的影響，許多公司開(kāi)始計(jì)劃在印度次大陸設(shè)立一座或多座半導(dǎo)體晶圓廠。據(jù)印度商業(yè)新聞(HinduBusinessLine)報(bào)道，至少有5家公司對(duì)支持這一計(jì)劃表現(xiàn)出了興趣。這5家公司分別是：GlobalFoundries、英飛凌、
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